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World File Search System高密度
高密度数据中心如今意味着什么
在过去十年中，数据中心取得了巨大进步，能够支持当今的高密度计算。传统上，数据中心使用多个机架的低功耗系统，无法高效完成工作。由于没有意识到封闭的好处，这些传统数据中心因过度冷却房间而遭受严重低效。而且，由于他们使用的是只能运行一个应用程序的敏感机器，他们浪费了能源试图创造完美的环境来满足他们的设备。随着硬件、计算机和编程终于在技术上取得进展，数据中心开始利用这些智能来使他们的建筑运行得更智能。取得了重大进展，为其他行业铺平了道路（见图 2）。今天，一些数据中心的密度为每平方英尺 400 瓦，甚至更高。在相同空间内完成的工作量可能是传统数据中心的 4 到 5 倍。
高密度安全存储器 DDR2 SDRAM
128MB 64M x 16 W3H64M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 2 x 64M x 16 W3H264M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 32M x 64 W3H32M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 256MB 32M x 72 W3H32M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 64 W3H64M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBXF 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XSBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XNBX* 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M
用于太空任务的高密度储能
技术愿景：月球、火星和其他地点的探索任务将需要能够承受长时间休眠和长期使用的储能系统。航天器和探测车将需要具有比能（>300 W-Hrs/kg）和长放电时间（>10 小时）的太空级储能系统。充电和放电周期将基于车辆的日食期，此时太阳能电池阵列无法供电。
慢性电生理学的高密度碳纤维阵列...
1美国密歇根大学生物医学工程系，美国密歇根州安阿伯市，美国48109，美国2密歇根大学心理学系，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，48109，美国，美国神经病学系3，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，旧金山，旧金山，CA 94158 48109，美国美国5分子和行为神经科学研究所，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，美国48109，美国6卡夫利基本神经科学研究所神经科学计划，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，美国48109，美国9个机器人计划，密歇根大学，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，美国48109，美国美国10号生物物理学，密歇根大学，安阿伯，安阿伯，密歇根州安阿伯，密歇根州48109，美国11个作者。
高密度安全存储器 DDR3 SDRAM
4GB 512M x 64 W3J512M64X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 64 W3J512M64X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 64 W3J512M64X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 72 W3J512M72X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 64 W3J1G64X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 72 W3J1G72X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M
3D 高密度互连的测试和特性
和 Y 方向................................................................................................................................ 43 图 37：整体测试错位流程.................................................................................................... 44 图 38：电阻和电容值分布（W14 间距 =1.44μm）.................................................... 44 图 39：DFT 测试标准的历史......................................................................................................... 48 图 40：IEEE 1149.1 边界扫描测试......................................................................................................... 49 图 41：边界扫描寄存器（BSR）架构......................................................................................... 49 图 42：基于 IEEE 1149.1 的 3D DFT 架构（来源 [62]）.................................................... 50 图 43：IEEE Std 1500 包装器组件（来源 [58]）............................................................. 51 图 44：包装器边界寄存器（WBR）架构......................................................................................... 51 1500（来源 [62]）................................................. 52 图 46：IEEE 1687 概念网络 .............................................................................. 53 图 47：基于 IEEE P1687 的 3D DFT 架构（来源 [64]） ................................................ 53 图 48：串行控制机制（SCM）（来源：[68]） ................................................................ 55 图 49：WBR/DWR 面积与可用面积之比的变化作为
可穿戴、高密度 fNIRS 和漫射光学断层扫描...
摘要。光电子学的最新进展首次使可穿戴和高密度功能性近红外光谱 (fNIRS) 和漫反射光学断层扫描 (DOT) 技术成为可能。这些技术有可能通过在几乎任何环境和人群中以与 fMRI 相当的分辨率对人类皮层进行功能性神经成像来开辟现实世界神经科学的新领域。在这篇观点文章中，我们简要概述了可穿戴高密度 fNIRS 和 DOT 方法的历史和现状，讨论了当前面临的最大挑战，并提出了我们对这项非凡技术未来的看法。© 作者。由 SPIE 根据知识共享署名 4.0 国际许可出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.NPh.10.2.023513]
无光刻的高密度Mote2纳米替宾阵列
茎特征：茎样品是通过直接转移方法制备的。首先，将TEM网格（Quantifoil Cu网格）直接放在带有MOTE 2丝带的SIO 2基板上。然后将液压（3μL）的KOH溶液（25％）滴在TEM网格的边缘，并扩散到该网格的底面，以蚀刻SIO 2层。之后，将带有TEM网格的SIO 2基材滴入DI水中以去除KOH残留物。最后，将TEM网格用镊子夹住，并放在滤纸上干燥。茎图像是在配备了高级茎校正器（ASCOR）探针校正器的一个像差校正的JEOL ARM-200F上进行的，该探针校正器以80 kV的加速电压运行。
标题高密度单元人类皮质记录...
（未经同行评审认证）是作者/资助者。保留所有权利。未经许可不得重复使用。此预印本的版权所有者此版本于 2021 年 12 月 30 日发布。；https://doi.org/10.1101/2021.12.29.474489 doi：bioRxiv preprint
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。