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World File Search System高密度
高密度单分散多孔碳微球
通过对预碳化间苯二酚-甲醛球进行化学活化，合成了具有高度堆积六边形排列的多孔碳微球和 S/微球碳复合材料。硫代硫酸钠用作无害的活化剂、S 掺杂剂和硫前体。多孔微球具有较大的表面积（2060-2340 m 2 g -1 ）和足够的微中孔率。它们还具有大量的硫杂原子（5-7 %）和高电子电导率（2.3-3.1 S cm -1 ）。微球的紧密组织和适当的孔隙率使其在水性和有机电解质中工作的超级电容器中使用时能够实现具有竞争力的体积电容值（分别为 130 和 64 F cm -3 ），同时保持良好的倍率性能。此外，硫含量超过80％的硫/球形碳复合材料被测试用作锂硫电池正极材料，显示出高的硫利用率、大的体积容量值（768mAh cm -3 ）和稳定的长期循环性能（每次循环的容量损失为0.086％）。
先天性横向缺陷患者计算机辅助训练后高密度表面肌电图：病例研究
结论：这些结果虽然仅来自一名患者，但表明由计算机生成的视觉和感官刺激支持的心理训练可导致肌肉力量和活动的有益变化。心理训练后肌肉激活度增加和 EMG 活动空间分布改变可能表明双侧上肢先天性横向缺陷患者的斜方肌运动激活策略在训练过程中发生了功能可塑性。患者在训练后亚最大收缩过程中空间分布的显著变化可能与肌肉神经驱动的变化有关，这与特定的（患者不熟悉的）运动任务相对应。这些发现与双侧上肢先天性横向缺陷患者的神经肌肉功能康复（尤其是上肢移植前后）以及基于 EMG 的假肢的开发有关。
慢性电生理学的高密度碳纤维阵列...
1美国密歇根大学生物医学工程系，美国密歇根州安阿伯市，美国48109，美国2密歇根大学心理学系，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，48109，美国，美国神经病学系3，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，加利福尼亚大学，旧金山，旧金山，CA 94158 48109，美国美国5分子和行为神经科学研究所，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，美国48109，美国6卡夫利基本神经科学研究所神经科学计划，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，美国48109，美国9个机器人计划，密歇根大学，密歇根大学，安阿伯，密歇根州安阿伯市，美国48109，美国美国10号生物物理学，密歇根大学，安阿伯，安阿伯，密歇根州安阿伯，密歇根州48109，美国11个作者。
空间应用印刷电路板的高密度互连技术评估
摘要 — 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路（如现场可编程门阵列、数字信号处理器和应用处理器）日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能性的不断增长的需求意味着更高的信号速度和越来越多的输入/输出 (I/O) 数量。为了限制整体封装尺寸，元件的触点焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求，需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心过孔以及小的轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用，但将这些性能的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两种类型的 HDI 技术：两级交错微孔（基本 HDI）和（最多）三级堆叠微孔（复杂 HDI）。本文介绍了根据 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 毫米间距下，该技术成功通过了所有测试。在 0.8 毫米间距下，互连应力测试和导电阳极丝测试期间会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。
Brickell心脏中心的高密度开发位点
该物业位于布里克尔市中心发展的西北角的战略角落，是难题的最后一部分。布里克尔金融区有四个主要动脉，将其与迈阿密市中心，I-95和城市其他地区联系起来。著名的Brickell桥和S Miami Avenue Bridge是该地区的北行和南入口，而SW 7th Street是东行入口，SW 8th Street是西行出口。Brickell Frame Art Development网站非常位于S Miami Avenue和SW 7街的拐角处，它不仅可以连接到Brickell City Center和Brickell Financial District，而且还可以朝着迈阿密市中心和I-95进行连通。布里克尔（Brickell）是许多高层豪华公寓建筑，世界一流的餐厅和商店以及许多500 Fortune-500公司的所在地。在西侧的物业街对面，目前正在建造109个关键的AC Marriot，这将为Brickell City Center和Brickell Frame Art网站的西侧带来更多的生命。
航天用印刷电路板高密度互连技术评估
摘要 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路（如现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 和应用处理器）日益增加的复杂性和功能性至关重要。对功能的不断增长的需求转化为更高的信号速度和越来越多的 I/O。为了限制整体封装尺寸，组件的接触焊盘间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求，需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心通孔和小轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用；但将这些能力的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。考虑了两类 HDI 技术：两级交错微孔（基本 HDI）和（最多）三级堆叠微孔（复杂 HDI）。本文介绍了按照 ECSS-Q-ST-70-60C 对基本 HDI 技术的鉴定。在 1.0 mm 间距时，该技术成功通过了所有测试。在 0.8 mm 间距时，在互连应力测试 (IST) 和导电阳极丝 (CAF) 测试中会遇到故障。这些故障为更新 HDI PCB 的设计规则提供了基础。简介通常认为 HDI PCB 有两个主要驱动因素：(1) 关键元件的小间距和高 I/O 数量；(2) 这些元件的性能不断提高，导致电路板上的信号线速度加快。微孔的使用可以缩短信号路径的长度，从而提高信号完整性和电源完整性。由于扇出内的密集布线，关键网络可能会受到串扰。在 1.0 mm 间距元件的引脚之间布线差分对需要精细的线宽和间距。0.8 mm 间距元件的埋孔之间不再可能进行差分对布线。需要在扇出区域内分割线对，分割长度决定了分割对对信号完整性的影响。单端网络宽度的变化以及差分对间距和/或走线宽度的变化将导致阻抗不连续。因此，选择合适的层结构和过孔类型将同时改善布线能力和信号完整性。在定义 HDI PCB 技术参数时，一个重要的考虑因素是元件间距和 I/O 数量不能独立处理。间距为 1.0 mm 的高引脚数元件（> 1000 引脚）可能需要使用微过孔来减少总层数或改善受控阻抗线的屏蔽。另一方面，仅具有两排焊球的 0.5 mm 间距元件的逃逸布线可在不使用微孔和细线宽和间距的情况下进行。增加层数以便能够布线一个或多个高引脚数元件将导致 PCB 厚度增加，这会通过限制通孔纵横比影响最小通孔钻孔直径，从而再次限制布线可能性。为了定义 HDI 技术参数，需要了解过去、现在和未来太空项目中使用的面阵器件 (AAD) 的规格。纵观目前正在开发的复杂太空元件，间距为 1.0 mm 的陶瓷柱栅阵列 (CCGA) 仍将是未来几年的首选封装。例如，新的 Xilinx FPGA (RT-ZU19EG: CCGA1752) [1]、CNES VT65 电信 ASIC (CCGA1752) [2] 和欧洲航天局 (ESA) 的下一代微处理器 (NGMP, CCGA625) [3] 就是这种情况。间距较小的柱状网格阵列 (0.8 毫米) 已在研发中得到展示 [4]，尽管尚未发现商业实现。带有非塌陷高铅焊球的陶瓷球栅阵列 (CBGA) 用于军事和航空航天应用 [5]。当间距为 0.8 毫米及以上 (0.5 毫米) 时，陶瓷 (即密封) 封装会成为可靠性风险，因为更小的间距 (0.8 毫米) 会降低封装的可靠性。
高密度安全存储器 DDR2 SDRAM
128MB 64M x 16 W3H64M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 2 x 64M x 16 W3H264M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 32M x 64 W3H32M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 256MB 32M x 72 W3H32M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 64 W3H64M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBXF 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XSBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XNBX* 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M
草书手写对于课堂学习的重要性超过打字：一项针对 12 岁儿童和青少年的高密度脑电图研究
手写、打字还是绘画——哪种策略最能提高课堂学习效率？随着数字设备越来越多地取代传统的手写，研究这种做法的长期影响至关重要。研究人员对 12 名年轻人和 12 名 12 岁儿童进行了高密度脑电图 (HD EEG)，以研究他们在手写草书、打字或绘制难度各异的视觉呈现单词时的脑电活动。对使用 256 通道传感器阵列记录的 EEG 数据进行了时间频谱演变 (TSE，即随时间变化的幅度变化) 分析。对于年轻人，我们发现，当使用数字笔在触摸屏上手写时，顶叶和中部大脑区域在 θ 范围内显示出与事件相关的同步活动。现有文献表明，这些特定大脑区域的这种振荡神经元活动对于记忆和新信息的编码非常重要，因此为大脑提供了最佳的学习条件。在绘画时，我们发现顶叶区域存在类似的激活模式，此外，alpha/beta 范围内还存在与事件相关的去同步化，这表明绘画和手写时的激活模式既相似又略有不同。在键盘上打字时，我们发现顶叶和中脑区域的 theta 范围内存在与事件相关的去同步化活动，alpha 范围内存在与事件相关的去同步化活动，但程度较轻。然而，由于这种活动是不同步的，并且与手写和绘画时的活动不同，因此其与学习的关系仍不清楚。对于 12 岁的儿童，也发现了相同的激活模式，但程度较轻。我们认为，儿童从小就必须在学校接触手写和绘画活动，以建立有利于学习的神经元振荡模式。我们得出的结论是：由于感觉运动整合的益处，即由于手写和绘画时感官的广泛参与以及精细和精确控制的手部动作，在学习环境中保持这两种活动对于促进和优化学习至关重要。
室温下在无补偿合成反铁磁体中实现孤立高密度 Skyrmion
摘要：磁性 skyrmion 是具有非平凡自旋拓扑和新颖物理特性的涡旋状自旋结构，有望成为新型自旋电子应用的基本构建块。长期以来，人们一直提出合成反铁磁体 (SAF) 中的 Skyrmion 比铁磁材料中的 Skyrmion 具有许多优势，而铁磁材料不受尺寸和有效操控的基本限制。因此，人们热切地追求在 SAF 中实验实现 skyrmion。在这里，我们展示了用洛伦兹透射电子显微镜在 SAF [Co/Pd]/Ru/[Co/Pd] 多层中在室温下观察到的零场稳定磁性 skyrmion，其中 SAF 的未补偿矩为 skyrmion 表征提供了媒介。分别通过磁场和电磁协调方法观察到了孤立的 skyrmion 和高密度 skyrmion。即使电流和磁场都被移除，这些产生的高密度 skyrmion 仍保持零场。在 SAF 中使用 skyrmion 将推动基于自旋拓扑的实用非易失性存储器的发展。关键词：skyrmion、合成反铁磁体、电磁协调方法、Ruderman − Kittel − Kasuya − Yosida 相互作用
微滴光燃料电池可收集高密度能量并降解染料
经历了从宏观到微观或纳米级原型的超大规模集成（如 VLSI）的范式转变，以提高效率、提高吞吐量和增加功率密度。12 因此，为了提高效率，人们也在小型化和工艺强化方面观察到大量研究活动，这些研究活动更为广泛使用的商业能量收集器，如电池、14,15 光伏电池 16 或燃料电池 17,18。特别是自从 18 世纪威廉·格罗夫爵士 19 将化学能转化为电能的开创性发明以来，燃料电池（FC）尽管遭遇了许多挫折，但还是取得了令人瞩目的进步 20。21 例如，FC 作为孤立或分布式电源的效用现在已经转化为几兆瓦的发电厂。 17 由聚合物电解质膜、磷酸、甲醇或碱组成的各种燃料电池已经以不同的长度和性能规模出现，不仅为能源密集型火箭提供动力，还用于运行微型微型发射器或生物医学设备。22 – 25 目前，燃料电池中使用的燃料是氢气 (H 2 )、甲醇