级联的 CMOS 突触芯片包含一个 32x32 (1024) 个可编程突触的交叉阵列,已被制造为用于完全并行实现神经网络的“构建块”。突触基于混合数模设计,该设计利用片上 7 位数据锁存器来存储量化权重,并利用两象限乘法 DAC 来计算加权输出。突触具有 6 位分辨率,传输特性具有出色的单调性和一致性。已制造了一个包含四个突触芯片的 64 神经元硬件,用于研究反馈网络在优化问题解决中的性能。在本研究中,已在硬件中实现了 7x7 一对一分配网络和 Hop field-Tank 8 城市旅行商问题网络。已证明该网络能够实时获得最佳或接近最佳的解决方案。
简介 十一年前,马希尔 (Maher) 问道:“谁在创造?” (Maher 2012),并提出了几个创造性应用的分析空间,包括构思和互动两个维度。马希尔的问题引出了乔丹诺斯 (Jordanous) 的 PPP 视角框架,其中创造行为可以由人类或人工智能 (Jordanous 2016) 执行,以及坎托萨洛 (Kantosalo) 和塔卡拉 (Takala) 的 5C 框架,其中创造行为由人类和人工智能共同组成的集体执行 (Kantosalo and Takala 2020)。1然而,对于人与人工智能互动中创造力的位置,人们的共识较少。混合主动性创造性界面方法提出了一组基本的细粒度活动,这些活动可以由人类或人工智能以某种结构化对话的形式执行(Deterding 等人,2017 年;Spoto 和 Oleynik,2017 年),随后扩展到生成应用(Muller、Weisz 和 Geyer,2020 年),针对特定算法方法进行了改进(Grabe、Duque 和 Zhu,2022 年),并针对其他算法方法进行了批评(Zheng,2023 年)。虽然这些方法生成了重叠的分析动作词汇,但它们并没有解决创造力在何处发生(以及由谁或什么通过这些动作发生)的问题。在这篇短文中,我们提供了对该问题的一个答案的几个例子。我们重新利用 Kantosalo 和 Takala (2020) 的 5C 中的集体概念,提出一种类型的创造力可能会在以下互动空间中不对称地出现 (Rezwana and Maher 2022)
模块 — I(12 小时) MOS 场效应晶体管:FET 和 MOSFET 的原理和操作;P 沟道和 N 沟道 MOSFET;互补 MOS;E- MOSFET 和 DMOSFET 的 VI 特性;MOSFET 作为放大器和开关。BJT 的偏置:负载线(交流和直流);工作点;固定偏置和自偏置、带电压反馈的直流偏置;偏置稳定;示例。FET 和 MOSFET 的偏置:固定偏置配置和自偏置配置、分压器偏置和设计模块 — II(12 小时)BJT 的小信号分析:小信号等效电路模型;CE、CC、CB 放大器的小信号分析。Rs 和 RL 对 CE 放大器操作的影响、射极跟随器;级联放大器、达林顿连接和电流镜电路。 FET 的小信号分析:小信号等效电路模型、CS、CD、CG 放大器的小信号分析。CS 放大器上的 RsiG 和 RL 的匹配;源极跟随器和级联系统。模块 —III(8 小时)FET 和 BJT 的高频响应:BM 和 FET 的高频等效模型和频率响应;CS 放大器的频率响应、CE 放大器的频率响应。模块 —IV(6 小时)反馈放大器和振荡器:负反馈和正反馈的概念;四种基本反馈拓扑、实用反馈电路、正弦振荡器原理、WeinBridge、相移和晶体振荡器电路、功率放大器(A、B、AB、C 类)。模块 — V(7 小时)运算放大器:理想运算放大器、差分放大器、运算放大器参数、非反相配置、开环和闭环增益、微分器和积分器、仪表放大器。书籍:
以下论文讨论了使用微重力模拟器研究微重力效应的可能方法:随机定位机。此外,该研究旨在验证生物学和机械水平上的RPM性能。测试了RPM,以确保其准确模拟适合平面物的微重力环境,并为了找到最能模拟这种情况的机器的特性。随机定位机的研究和验证对于继续使用至关重要。它将RPM建立为可靠的微重力模拟器,为未来的研究和严格研究为微重力领域提供了科学基础。
《模拟电路与信号处理》丛书,前身为《Kluwer 国际工程与计算机科学丛书》,是一套高水准的学术专业丛书,出版有关模拟集成电路和信号处理电路与系统的设计和应用的研究成果。通常每年我们会出版 5-15 本研究专著、专业书籍、手册和编辑本段,分发给世界各地的工程师、研究人员、教育工作者和图书馆。该丛书促进并加快了模拟领域新研究成果和教程观点的传播。全球范围内,该领域开展着大量令人兴奋的研究活动。研究人员正努力通过改进模拟功能来弥合传统模拟工作与超大规模集成 (VLSI) 技术的最新进展之间的差距。模拟 VLSI 已被公认为未来信息处理的主要技术。模拟工作正在显示出巨大变化的迹象,重点是结合设备/电路/技术问题的跨学科研究工作。因此,新的设计概念、策略和设计工具正在被揭示。感兴趣的主题包括:模拟接口电路和系统;数据转换器;有源 RC、开关电容和连续时间集成滤波器;混合模拟/数字 VLSI;仿真和建模、混合模式仿真;模拟非线性和计算电路和信号处理;模拟神经网络/人工智能;电流模式信号处理;计算机辅助设计 (CAD) 工具;新兴技术中的模拟设计 (可扩展 CMOS、BiCMOS、GaAs、异质结和浮栅技术等);模拟测试设计;集成传感器和执行器;模拟设计自动化/基于知识的系统;模拟 VLSI 单元库;模拟产品开发;射频前端、无线通信和微波电路;模拟行为建模、模拟 HDL。
摘要 我们计划使用 NIRSpec 积分场单元 (IFU) 拍摄真正的太阳系气态巨行星类似物、标志性的 eps Eridani b 的第一张图像和光谱。Eps Eri b 是一颗已知的径向速度行星,围绕附近的类太阳恒星 (K2V) 运行,轨道距离约为 3.5 au(周期为 7.3 年),其动态质量介于土星和木星之间(0.57-0.78 MJup),这意味着它可以直接与太阳系气态巨行星进行比较。这颗青少年(4 亿至 8 亿年)亚木星是独一无二的,因为就半长轴、质量和年龄而言,它位于凌日和直接成像的系外行星之间。到目前为止,该参数空间区域无法进行光谱表征。此外,第 3 周期是观察该行星的最佳时间,因为它处于最远的投影分离状态,这种情况每 4 年才发生一次。我们将针对这颗冷亚木星的峰值通量(~140-215 K)获得 3-5 微米的 R~2,700 光谱,并首次测量其亮度、有效温度和成分(C/H、O/H、N/S)。由于第 1 周期数据证明 NIRSpec IFU 可以达到优于 JWST 日冕仪的对比度(35 分钟内 1'' 处 1e-6),因此可以直接探测到 eps Eri b。观察描述我们建议使用 NIRSpec 积分场单元(IFU;G395H/F290LP;2.87 - 5.27 微米)拍摄 eps Eridani b 的第一张图像和高分辨率光谱(R=2,700)。
说明VOM452和VOM453,高速光电耦合器,每个由Gaalas红外发射二极管组成,光学地与集成的光子探测器和高速晶体管组成。光检测器是从晶体管中分离出来的,以减少米勒电容效应。开放的收集器输出功能允许电路设计人员与不同逻辑系统(例如TTL,CMOS等)接口时调整负载条件。由于VOM452和VOM453在检测器芯片上具有法拉第盾,因此它也可以拒绝并最大程度地减少输入通用模式瞬态电压。没有基本连接,进一步降低了进入包装的潜在电噪声。VOM452和VOM453包装在行业标准SOP-5软件包中,适用于表面安装。这是工业通信总线隔离的理想解决方案,以及隔离的驱动电路应用,例如IPM(智能电源模块)驱动程序。
模拟电子产品是任何电子和电气工程师的核心要求之一。该模块旨在提供有关现代电子中常用的不同模拟电子电路和设备的实际应用的学习。有四个基本类别的组件类别对于任何电子设备或电气工程师都需要理解至关重要。这些是:
神经形态计算最近已成为传统的von Neumann计算机范式的潜在替代方法,该范式由于其建筑瓶颈而固有地受到限制。因此,需要新的人工组件和用于脑启发的计算硬件实现的架构。双极模拟熟悉设备,其电阻(或电导)可以连续调节(作为突触重量),是人工突触应用的潜在候选者。在这项工作中,混合离子电子导电氧化物(La 2 NiO 4+δ,L2NO4)与TIN和PT电极结合使用。TIN/L2NO4/PT设备显示双极电阻开关,以及用于集合和复位过程的逐渐过渡。电阻(电导)可以通过脉冲幅度和持续时间逐渐调节,显示出良好的数据保留特征。通过实验测量电阻变化和总应用脉冲持续时间之间的线性关系。此外,突触抑郁和增强特征是生物共生的重要功能之一,是为这些设备人为复制的,然后在尖峰神经网络环境中进行了建模并成功测试。这些结果表明使用TIN/L2NO4/PT回忆设备作为神经形态计算中的长期人造突触的适用性。