深层地下中微子实验 (DUNE) 的远探测器 (FD) 将配备液氩时间投影室 (LArTPC),其中闪烁光将由适合低温应用的硅光电倍增管探测。在 DarkSide 实验的要求推动下,FBK 开发了一种用于低温应用的 SiPM 技术 (NUV-HD-Cryo SiPM),该技术的特点是在低温下具有极低的暗噪声,约为几 mHz/mm2,后脉冲概率低,并且淬灭电阻随温度的变化有限。在 DUNE 合作框架内,NUV-HD-Cryo 技术得到了进一步开发,通过增加深沟槽隔离 (DTI) 的数量来获得具有高增益但串扰有限的设备,目的是为 DUNE 读出模块提供更好的信噪比。大型物理实验通常需要具有最高性能的设备,并在短时间内以低到中等的产量完成紧张的实验计划。在 FBK,我们开发了一个小型供应链,其中包括一家使用 FBK 技术制造 SiPM 的外部代工厂和一家外部封装公司,能够提供中等批量的封装硅探测器。在这项工作中,我们将从 SiPM 的击穿电压、暗电流和正向电阻的均匀性以及 SiPM 板封装的质量评估方面报告 NUV-HD-Cryo 技术的性能和 DUNE 实验的 FBK SiPM 生产状态。
热电技术近年来由于对可持续能源和有效的冷却系统的需求不断增长,因此目睹了近年来的复兴。最近,使用无毒的,丰富的材料(包括P型MGAGSB和N -Type Mg 3(SB,BI)2标志着显着突破的无毒热模块。尽管表现有希望,但关于长期鲁棒性和稳定性的问题仍然存在,尤其是在恶劣的环境中。在这项研究中,对热电模块进行了彻底的探索,重点是在各种条件下的性能降解。通过元素映射分析,在氩气环境中循环过程中的模块中鉴定了降解机制,在氩环境中,原子迁移和在接触区域的复杂氧化物形成是关键因素。此外,空气中的骑自行车测试揭示了显着的降解,从而促进了保护策略的探索。使用原子层沉积(ALD)出现的表面涂层作为一种有希望的解决方案,尤其是HFO 2,表现出了出色的保护作用。此外,还发现了重新销售的恢复模块性能,强调了开发高级焊接技术以推广基于镁的热电技术的重要性,作为BI 2 TE 3的可持续替代方案。这些发现强调了探索新型接触材料的重要性,并证明了ALD作为增强模块可靠性和鲁棒性的普遍方法的潜力。
本研究分析了基于闭环布雷顿-焦耳循环并与聚光太阳能发电 (CSP) 电厂集成的创新型泵送热能存储 (PTES) 系统的预期性能。集成的 PTES - CSP 电厂包括五台机器(两台压缩机和三台涡轮机)、一个中央接收塔系统、三个水冷却器和三个热能存储 (TES) 罐,而氩气和花岗岩卵石分别被选为工作流体和存储介质。首先对集成电厂的主要部件进行了尺寸测量,以设计一个集成的 PTES-CSP 电厂,其标称净功率为 5 MW,标称存储容量为 6 等效运行小时数。已经在 MATLAB-Simulink 中开发了特定的数学模型来模拟不同操作条件下的 PTES 和 CSP 子系统,并评估三个储罐在充电和放电过程中的温跃层剖面演变。最终开发了一种控制策略,根据电网服务请求、太阳能可用性和 TES 水平来确定工厂的运行模式。考虑到 PTES 子系统在意大利能源市场的整合,分析了该系统在夏季和冬季的性能,以进行套利。结果证明了 PTES 系统与 CSP 工厂混合的技术可行性以及集成系统参与能源套利的能力,尽管与单一 PTES 系统(约 60%)相比,往返效率较低(约 54%)。
d1129与水D1193有关的术语D1193针对水中水的特定术语D1976测试方法通过电感耦合的氩血浆原子原子学发射光谱d2791测试方法用于在线测试,用于测量水中的含量量的痕量量4原子吸收分光光度计D4192在水中钠在水中钠的方法D4192通过原子吸收分光光度计测试方法D4327测试方法通过抑制的离子色谱D4453抑制水中的水在水中的阴离子,用于处理高纯度水样D4517的D4517 d4517 d4517 d4517 d4517 d4517 d4517的练习。 D5173通过化学氧化,通过化学氧化,通过紫外线氧化,或通过高温燃烧或通过高温燃烧或通过气相NDIR或通过电解电导率D5196生物应用指南的生物应用指南D55391测量液的电阻率和电阻的高纯度电阻D55462水中溶解的氧气D5542在离子色谱D5544测试方法中,通过离子色谱中的痕量阴离子测试方法通过电感上的含量高质量 - 含量d59666666666的测量方法蒸发高纯度水D5673测试方法在蒸发高纯度水D55673测试方法后,用于在线测量残留物的测试方法的测试方法,该测试方法是通过感应量d596666666666666666666666的测量方法,溶解的氧色谱
目的:牙根管的复杂结构有助于细菌在标准根管治疗难以触及的隐蔽区域定植和形成生物膜。本综述旨在总结体外和离体研究的数据,以更好地了解冷常压等离子体 (CAP) 在牙根管消毒中的应用。方法:筛选 PubMed、Scopus 和 Web of Science 数据库。提取纳入研究的特征,并对离体研究进行荟萃分析,以评估 CAP 对粪肠球菌 (E. faecalis) 菌落形成单位测定的影响。该研究遵循 PRISMA 2020 指南进行。结果:共有 31 项研究符合选择标准。只有 2 项研究报告了间接等离子体治疗,28 项试验使用直接 CAP 给药,而 1 项研究同时采用了这两种方法。大多数研究都是针对粪肠球菌进行的,使用氦气或氩气作为载气,或与氧气和空气结合使用。研究发现,不同研究对不同来源、设置和应用方案的处理存在相当大的异质性。尽管如此,CAP 仍显示出减少粪肠球菌菌落形成单位的有效性,标准化平均差异为 4.51,95% CI = 2.55 – 6.48,p 值 < 0.001。结论:数据表明直接使用 CAP 对微生物具有抗菌作用。体外研究表明,效果取决于治疗的时间和距离,而对体外研究进行的荟萃分析表明,CAP 的效果与时间和距离无关。
溅射沉积如图1所示,溅射沉积过程是通过用离子轰击所需沉积材料的目标来完成的。事件离子在目标内引发碰撞级联。当级联反应以足够的能量克服表面结合能到达目标表面时,可以弹出原子。溅射室的示意图如图2所示。电场将传入的气体电离(通常是氩气)。阳性离子轰击靶(阴极)和溅射原子在底物上(阳极)。可以加热底物以改善键合。溅射产量(即从每个入射离子射出的原子的平均原子数)取决于几个参数,包括相对于表面的离子入射角,离子的能量,离子和靶原子的相对质量以及靶原子的表面结合能。虽然影响溅射的相对较大的数字参数使其成为一个复杂的过程,但具有如此多的控制参数可以对所得膜的生长和微观结构进行很大程度的控制。各向异性的晶体靶材料,晶格相对于靶表面的方向影响溅射产量。在多晶溅射目标中,以不同速率的不同方向溅射的晶粒。这可能会影响沉积薄膜的均匀性。一个关键控制参数是目标材料中纹理的均匀性。图3显示了铜单晶溅射产量的各向异性(Magnuson&Carlston,1963年)。所有面部中心材料的一般趋势均具有:S(111)> s(100)> s(110)。
在室温下制备 p 型氧化锡 (SnO) 薄膜对传统方法提出了重大挑战,这主要是由于 SnO 的电各向异性和亚稳态。由于这种各向异性,在 SnO 中产生具有最佳迁移率的有效空穴载流子需要细致的热退火,但这受到 SnO 亚稳态的制约。在这项工作中,我们采用离子束辅助沉积 (IBAD) 在室温下制备 p 型 SnO 薄膜。这些薄膜具有纳米晶结构,表现出良好的电学性能,霍尔迁移率为 2.67 cm2V-1s-1,空穴浓度为 5.94×1017cm-3,尤其是无需退火处理。我们的研究揭示了霍尔迁移率和载流子浓度随 IBAD 过程中氩气流量变化而呈现的独特火山形趋势。这种关系与薄膜的光学性质、结构相和化学状态的变化相关,对于理解室温制备的 SnO 薄膜中 p 型导电性的起源至关重要——这一主题在当前文献中仍未得到解决。我们观察到迁移率增强与晶格无序性降低之间存在直接相关性,而空穴载流子浓度增加与氧间隙形成之间存在很强的相关性。我们还强调,中间相组成在确定 SnO 薄膜的无序程度方面起着至关重要的作用,这对于创建传输路径和空穴载流子形成所需的氧环境至关重要。这些见解有助于指导室温制备的 p 型 SnO 薄膜的设计和表征,从而推动大面积柔性电子领域的进步。
夏季学生就业申请截止日期:2025年2月5日,星期三,皇后大学的实验粒子天体物理学小组在2025年夏季为本科夏季研究人员开放。该小组积极参与下一代实验的设计,结构和操作,这些实验试图回答粒子物理和天体物理学中的基本问题,包括搜索暗物质颗粒,中微子和中微子性质的研究,以及对高级探测器技术的研究。我们的大部分实验性工作都在Snolab上进行,Snolab是世界领先的粒子天体物理实验室,位于萨德伯里(Sudbury)附近的Vale的Creighton Mine的地下6800'(请参阅www.snolab.ca)。一些夏季研究活动可能在Snolab举行。尽管不需要授予以下职位的奖励,但有资格获得NSERC本科生研究奖(“ USRAS”)或其他奖学金支持的学生有资格申请奖励。在皇后物理学中的USRAS和Queen's University's Summer学生研究奖(“ USSRAS”)由Melissa Balson(4MJB5@Queensu.ca)协调,并提供更多信息,可在https:///wwwww.queensu.ceensu.ca/physics/sites/sites/physics/physics/physics/phys/phys/physwwwww/filess/upload/upload/uarded/ploaddud/ploaddud/ USRAS-2025.pdf。 今年,在Snolab的女王夏季研究职位上,有一个单独的USSRA流,由Stephen Sekula(Stephen.sekula@queensu.ca)协调。 USRAS和USSRAS的申请截止日期是2025年2月7日。 以下实验预计今年夏天将雇用一个或多个学生。在皇后物理学中的USRAS和Queen's University's Summer学生研究奖(“ USSRAS”)由Melissa Balson(4MJB5@Queensu.ca)协调,并提供更多信息,可在https:///wwwww.queensu.ceensu.ca/physics/sites/sites/physics/physics/physics/phys/phys/physwwwww/filess/upload/upload/uarded/ploaddud/ploaddud/ USRAS-2025.pdf。今年,在Snolab的女王夏季研究职位上,有一个单独的USSRA流,由Stephen Sekula(Stephen.sekula@queensu.ca)协调。USRAS和USSRAS的申请截止日期是2025年2月7日。以下实验预计今年夏天将雇用一个或多个学生。请发送求职信,一个简历和一份通过电子邮件的最新成绩单的副本,以联系您感兴趣的每个实验。成功的候选人将在物理,工程物理,化学或相关学科方面拥有强大的学术记录,并具有一些相关的经验,这些经验证明了研究潜力。SNO+使用780吨液体闪烁体目标研究中微子的基本特性。该实验目前正在Snolab运行。潜在的夏季研究活动包括数据分析,有助于制备校准系统和校准来源,参与柜员过程系统和程序的开发以及在数据获取过程中操作探测器。女王在SNO+工作的教职员工包括Mark Chen,Ryan Martin和Alex Wright。联系人:Alex Wright(Awright@queensu.ca)Deap和Darkside是大规模的液体氩实验,使用液体氩闪烁的独特特性来寻找极为罕见的暗物质相互作用。DEAP位于Snolab,已经获得了3年的数据。Darkside是一个下一代实验,将是第一个直接的暗物质实验,可以用新型的量子传感器(silicon Photoltipliers(SIPMS))为检测器充分仪器。学生提供的机会包括对DEAP数据的分析以及与数据获取的帮助,以及与Triumf的同事一起模拟和测试Darkside的数据采集系统。原型检测器目前正在Queen's News-G实验室中构建和测试。在我们在皇后区的实验室中使用一个小的低温恒温器设施来衡量Deap和Darkside使用的不同探测器材料的各种特性,也有机会获得动手体验。联系人:Fred Schuckman(fgs@queensu.ca)News-G开发了新型的球形气体探测器,这些探测器对低能相互作用非常敏感。已经建立了一个大容量的球形探测器,目前正在Snolab的地下安装,以搜索低质量的暗物质颗粒和其他罕见的低能相互作用。夏季职位可用于协助Snolab和Queen's的数据,深色物质搜索和校准数据分析,以及新型探测器技术的开发和测试。联系人:Guillaume Giroux(gg42@queensu.ca)
摘要:短期电子设备的不断增长固有地导致大量有问题的废物,这构成了环境污染的风险,危害人类健康并引起社会经济问题。因此,为了减轻这些负面影响,我们的普遍兴趣是将传统材料(聚合物和金属)替换为电子设备中的传统材料(聚合物和金属),并在可能的情况下,同时考虑了功能,制造性和成本的各个方面。在这项研究中,我们探索了可生物降解的生物塑料的使用,例如聚乳酸(PLA),与多羟基丁酸(PHB)(PHB)(PHB)以及与Pyrolyzed的木质素(PL)以及多壁处理的碳nan型(My naneS)(梅尔氏含量)相结合。电子组件,包括等离子体处理,浸入涂料,喷墨和丝网印刷,以及热混合,挤出和成型。我们表明,经过短暂的氩等离子处理,对热泡PLA-PHB混合纤维的表面进行了短暂的表面处理后,单壁碳纳米管(SWCNTS)的渗透网络(SWCNT)可以通过浸水层沉积至1kΩ /□的薄板电阻,以制造能涂层的电极,以制造能力触摸触摸传感器的电极。我们还证明,作为浮光电介质底物的生物塑料膜适用于通过喷墨和屏幕印刷的手段来沉积SWCNT和AG(分别为1kΩ /□和1Ω /□)的导电微图案(分别为1kΩ /□和1Ω /□),并具有潜在电路板的应用。关键字:生物塑料,复合材料,混合物,热解木质素,电气设备,电极,触摸屏,EMI屏蔽■简介此外,我们以PL和MWCNT为PLA的复合和成型的复合材料是电磁干扰屏蔽材料的优秀候选物,其k频段无线电频率(18.0 - 26.5 GHz)分别屏蔽了高达40和46 db的效果。
35.1简介。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>2 35.2光子检测器。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>3 35.1.2 bacuum phototettors。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>4 35.2.2气态光子检测器。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 35.2.3固态光子检测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 35.2.4超导光子检测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 35.3有机闪烁体。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 35.3.1闪烁机制。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 35.3.2塑料闪烁体的实用性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。11 35.3.3有机玻璃闪烁体。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 35.3.4液体闪烁体的实用性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 35.4无机闪烁体。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。12 35.5 Cherenkov探测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。17 35.6气态探测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。22 35.6.1气体中的能量损失和电荷运输。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。22 35.6.2多线比例和漂移室。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 35.6.3高率效应。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 35.6.4微图案气体探测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。32 35.6.5时预测室。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。32 35.6.5时预测室。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38 35.6.6过渡辐射探测器(TRD)。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。42 35.6.7电阻板腔室。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。46 35.7 Lar Time投影室。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。51 35.7.1简介。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。51 35.7.2一批超纯液体氩气。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。52 35.7.3充电和光信号。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。53 35.7.4 Lar TPC拓扑。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55 35.7.5数据采集和事件重建。 。 。 。 。 。 。 。 。 。53 35.7.4 Lar TPC拓扑。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。55 35.7.5数据采集和事件重建。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。57 35.7.6发展。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。57 35.8半导体检测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。58 35.8.1半导体中的信号产生。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。59 35.8.2结孔检测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。61 35.8.3带有结构化电极的检测器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。63 35.8.4硅检测器的精确时机。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。66 35.8.5硅检测器中的辐射损伤。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。68 35.9低噪声检测器读数。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>71 35.9.1主噪声起源。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>72 35.9.2等效噪声分析。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>72 35.9.3时序措施。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>77 35.9.9.4数字信号处理。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。78 35.9.5什么时候使用什么?。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。79 35.10量热计。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。79 35.10.1引言。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。79
