机构名称：
¥ 1.0
在室温下制备 p 型氧化锡 (SnO) 薄膜对传统方法提出了重大挑战，这主要是由于 SnO 的电各向异性和亚稳态。由于这种各向异性，在 SnO 中产生具有最佳迁移率的有效空穴载流子需要细致的热退火，但这受到 SnO 亚稳态的制约。在这项工作中，我们采用离子束辅助沉积 (IBAD) 在室温下制备 p 型 SnO 薄膜。这些薄膜具有纳米晶结构，表现出良好的电学性能，霍尔迁移率为 2.67 cm2V-1s-1，空穴浓度为 5.94×1017cm-3，尤其是无需退火处理。我们的研究揭示了霍尔迁移率和载流子浓度随 IBAD 过程中氩气流量变化而呈现的独特火山形趋势。这种关系与薄膜的光学性质、结构相和化学状态的变化相关，对于理解室温制备的 SnO 薄膜中 p 型导电性的起源至关重要——这一主题在当前文献中仍未得到解决。我们观察到迁移率增强与晶格无序性降低之间存在直接相关性，而空穴载流子浓度增加与氧间隙形成之间存在很强的相关性。我们还强调，中间相组成在确定 SnO 薄膜的无序程度方面起着至关重要的作用，这对于创建传输路径和空穴载流子形成所需的氧环境至关重要。这些见解有助于指导室温制备的 p 型 SnO 薄膜的设计和表征，从而推动大面积柔性电子领域的进步。
材料进展已接受手稿 - WRAP：沃里克
主要关键词
相关文件推荐
