机构名称：
¥ 1.0
PIN 型结构中的薄（尽管有吸收性）N 型界面（例如 C 60 层）似乎确实比标准结构中通常使用的厚的高吸收性 HTL（例如 spiro-OMeTAD）的光学危害更小。14 因此，为了开发高性能串联电池，似乎有必要优化具有 PIN 型结构的半透明 PSC 单结。这种类型的电池逐渐得到更多研究，效率也相应提高到 17%。16–21 性能主要取决于用作活性层和界面层的材料。这些架构的主要缺点是由于使用了不合适的 N 型和 P 型界面层，导致 V oc 值较低。这会阻止钙钛矿层的最佳运行并有利于辐射复合。22
材料进展 - RSC 出版
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