机构名称：
¥ 1.0
或CsCl 40已用于处理CsPbI 3 层以原位生长二维钙钛矿层作为电子阻挡层。 但单个电子阻挡层的性能提升仍然有限，需要新的策略。 在此，CsPbCl 3 QDs和二维Cs 2 PbI 2 Cl 2都沉积在CsPbI 3 钙钛矿层上以形成复合电子阻挡层。 首先，使用CsPbCl 3 QDs环己烷溶液将CsPbCl 3 QDs旋涂在CsPbI 3 钙钛矿层上。 然后，将CsCl乙醇溶液也旋涂在涂有QDs的CsPbI 3 钙钛矿层上以形成二维Cs 2 PbI 2 Cl 2。 这种结构形成了有利于电子阻挡的能级排列。此外晶体缺陷也得到有效钝化，CsPbI 3 C-PSCs的PCE由12.51%提升至16.10%。
材料化学 - RSC 出版
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