XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemBonding
用于激光辅助键合的先进芯片光束对准方法
摘要 在激光辅助键合工艺中检查激光束和芯片是否对准的动作称为芯片束对准。当前的芯片束对准方法是简单的肉眼目视检查，这使得该方法极易受到人为错误的影响，因为它取决于负责它的工程师/操作员的感觉和能力。此外，它缺乏明确的定量评估标准。本研究的目的是开发一种基于计算机视觉算法的无人为错误的芯片束对准方法。专用的图像采集相机与基于计算机视觉的定制软件相结合，成功地将芯片和激光束对准，精度为 0.060 毫米。简单的硬件设置与用户友好的软件相结合，使其成为一种方便的现场使用方法。 关键词 计算机视觉、芯片束对准、激光辅助键合、LAB。
太阳能设施粘合和退役...
a) 拆除和清除所有架空输电线和结构、变压器、建筑物和所有其他辅助设备，以及与将设施连接到电网无关的设施运行产生的碎片。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(i) b) 拆除所有地下电缆和管道，深度达 24 英寸，如果运营后土地使用需要，可拆除得更深。参考 ARM 17.86(1)(e)(ii) c) 拆除风力涡轮机和太阳能基础以及其他混凝土基础和板，拆除深度至少为自然坡度以下 36 英寸，或如果适合运营后土地使用，则拆除部门批准的其他深度。参考ARM 17.86(1)(e)(iii) d) 将设施场地复垦至设施开工前大致的原始地表地形，并对扰动区域进行平整，在扰动区域施以与扰动前深度相似的表土，重新播种和重新植被，以达到与退役时周围区域相同的效用，防止不利的水文影响。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(iv) e) 修复和重建因设施运行或退役直接造成的公共道路、涵洞和自然排水道损坏。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(v) f) 拆除所有通道并将其平整至施工前或自然坡度（视情况而定）。参考 ARM 17.86.105(1)(e)(vi)
采用面对面晶圆键合技术的三维堆叠高性能商用微处理器的热分析
摘要 — 3D 集成技术在半导体行业得到广泛应用，以抵消二维扩展的局限性和减速。高密度 3D 集成技术（例如间距小于 10 µ m 的面对面晶圆键合）可以实现使用所有 3 个维度设计 SoC 的新方法，例如将微处理器设计折叠到多个 3D 层上。但是，由于功率密度的普遍增加，重叠的热点在这种 3D 堆叠设计中可能是一个挑战。在这项工作中，我们对基于 7nm 工艺技术的先进、高性能、乱序微处理器的签核质量物理设计实现进行了彻底的热模拟研究。微处理器的物理设计被分区并以 2 层 3D 堆叠配置实现，其中逻辑块和内存实例位于不同的层（逻辑位于内存上的 3D）。热仿真模型已校准到采用相同 7nm 工艺技术制造的高性能、基于 CPU 的 2D SoC 芯片的温度测量数据。模拟并比较了不同工作负载条件下不同 3D 配置的热分布。我们发现，在不考虑热影响的情况下以 3D 方式堆叠微处理器设计会导致在最坏情况下的功率指示性工作负载下，最高芯片温度比 2D 芯片高出 12°C。这种温度升高会减少在需要节流之前运行高功率工作负载的时间。但是，逻辑在内存上分区的 3D CPU 实现可以将这种温度升高降低一半，这使得 3D 设计的温度仅比 2D 基线高 6°C。我们得出结论，使用热感知设计分区和改进的冷却技术可以克服与 3D 堆叠相关的热挑战。索引术语 —3D 堆叠、面对面、热
粘合和回路电阻测试仪 - TEST-FUCHS
当盐、湿气或腐蚀性液体（如特种液压油）与连接件和电缆接触时，就会产生腐蚀。产生的氧化物会降低导电性，从而增加导电连接器的电阻。因此，如果系统发生故障，安全断路器将无法运行或运行缓慢，甚至可能导致火灾。腐蚀的结构连接在遭受雷击时会造成巨大损坏。不幸的是，这种腐蚀形式并不总是肉眼可见的。
MIL-HDBK-419A 电子设备和设施的接地、接合和屏蔽 第 1 卷（共 2 卷）
本卷是两卷系列中的一本，阐述了通信电子 (C-E) 设备和设施的接地、连接和屏蔽理论。接地、连接和屏蔽是复杂的主题，过去人们对其存在很多误解。这些主题本身是相互关联的，涉及从电化学和冶金到电磁场理论和大气物理学等广泛的主题。这两卷将这些不同的考虑因素简化为一组可用的原则和实践，可供所有关注和负责复杂 C-E 系统安全和有效运行的人使用。在可能的情况下，这些原则被简化为具体步骤。由于存在大量相互关联的因素，因此无法为每种可能的情况制定具体步骤。但是，一旦定义了给定情况的要求和约束，就可以利用所提出的原则制定解决问题的适当步骤。
AC 21-99 飞机接线和接合 - SteinAir
简介 1 1 至 3 参考规格 1 4 说明 2 5 至 11 绝缘套管和热缩管 4 12 至 14 焊接程序 5 15 至 26 压接触点 10 27 至 28 连接器接触点的手动压接工具 10 29 至 33 工具检查测量 11 34 至 35 接触定位装置的类型 22 36 至 39 压接程序 22 40 至 42 压接工具包 25 43 安装和拆卸压接触点 25 44 至 49 屏蔽连接 33 50 至 55 连通性测试 35 56 至 57 测试引线 36 58 电连接器的保护 36 59 至 61 灌封连接器 38 62 连接器附件40 63 至 72 引导修复程序 46 73 至 77 矩形连接器 48 78 至 79 MIL-DTL-83723 圆形连接器 48 80 至 84 MIL-DTL-5015 连接器 52 85 至 86 MIL-C-26482、MIL-C-26500 和 MIL-C-81703 连接器 57 87 至 88 MIL-C-81511 连接器 58 89 至 94 MIL-DTL-38999 连接器 65 95 至 97 M 和 MS 连接器电缆夹 70 98 MIL-C-81659 连接器 73 99 至 108 多端接连接器 87 109 至 111
“银键合线长期可靠性中金属间化合物生长及失效机制研究”
摘要 银线近年来已成为一种新型键合材料，但用户和现场工程师对其可靠性性能问题（包括故障机理和金属间化合物 (IMC) 形成）仍然存在分歧。本研究介绍了一种新型高纯度 96Ag-3Pd-1Au 合金（96% Ag）银线，并通过键合性和可靠性测试评估了其在铝键合焊盘上的键合性能。用于表征银线特性的可靠性测试包括高温储存寿命测试 (HTST) 和带温度和湿度的无偏高加速应力测试 (uHAST)。使用了两种具有不同氯离子含量的模具化合物。绿色化合物的氯离子含量低于 10 ppm，普通化合物的氯离子含量低于 27 ppm。对 HTST150'C 和 175'C 下 2000 小时的键合性、IMC 形成（Ag 2 Al、Ag 3 Al）和生长速率进行了测量，并根据 uHAST 的微观结构表征确定了可能的失效机制，其中由于原电池反应和 Cl- 离子在足够的水分和热能下发生重复的氧化和还原反应，而 Ag-Al IMC 和 Al 垫的还原反应导致形成微裂纹失效。
幻灯片——用于先进晶圆级封装的苯并环丁烯基介电材料的图案化永久键合
Michael Gallagher、Rosemary Bell、Anupam Choubey、Hua Dong、Joe Lachowski、Jong-Uk Kim、Masaki Kondo、Corey O'Connor、Greg Prokopowicz、Bob Barr、陶氏电子材料
幻灯片 - 基于苯并丁烯的介电材料的长期粘合材料的长期粘结
Choery Bellah，Jon Lachowski，Kim，Masak Kondo，Corey O'Connor，Provinces Provinces Profisces，Barr，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，Bar，Barr。