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欧洲汽车和电力电子行业的先进引线键合标准
2 Fraunhofer IZM Berlin Gustav-Meyer-Allee 25, 13355 Berlin Germany Email: martin.schneider-ramelow@izm.fraunhofer.de 摘要 本文介绍了德语国家和欧洲国家广泛使用的引线键合标准 DVS-2811。该标准于 1996 年推出，现在包含所有当前使用的键合方法的定义和限值，包括其他所有官方标准中都没有的重/粗引线键合连接的剪切测试。特别是考虑到电池键合用户数量的不断增长，指定适当的粗引线测试限值具有重要意义。除了概述当前状态之外，还展望了未来 1-2 年的进一步更新。 关键词 引线键合、拉力测试、剪切测试、质量、标准、测试 I. 简介 标准和细间距引线键合技术继续经历小幅发展，材料更加精炼、几何尺寸更小，可靠性要求也不断变化。当前可用的引线键合标准无法回答在测试此类先进引线键合触点时出现的问题。需要在这一领域开展活动。向新技术领域的发展在重引线键合中更为明显。一个例子是，用于生产电池模块的大面积键合机的需求不断增加。此外，新功能已集成到现有的键合机机器平台中，包括激光键合技术（F&K Delvotec）和智能焊接技术（Hesse Mechatronics、Kulicke & Soffa）。目前没有跟上这种快速发展的一个方面是过程控制和质量检查的标准化。现有标准（如 MIL-883、ASTM F1269 或 JEDEC 22B116B）不包含任何测试粗线（直径 > 100 µm）的指导。偏离此几何形状（如重带或超声波焊接成型部件或接线片）也没有得到解决。这给用户、机器供应商和最终客户带来了挑战。测试规范、工具属性、极限值等的定义必须单独讨论并达成一致。25 年来，DVS 公告 2811 一直
晶体固体中的Metavalent键
150年前，Mendeleev和Meyer的周期表开发了元素的周期表，如果对元素进行了相应的分类，则揭示了特性的财产趋势。[1,2]在周期表中的一列向下移动，通常会导致从非金属到金属的过渡。这可以很好地看到元素周期表的碳组14，其中从C，Si（Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova-Cova）到GE，SN和PB的运动导致过渡到金属基态（PB）。有趣的是，对于第15组元素，即Pnictogens，p是共价键合的，但SB和BI是（半） - 金属。这提出了有关从共价（CB）到金属粘合（MB）过渡的性质的问题。通过这项工作，我们通过讨论最近定义的“元债券” [3]到
RF前端模块比较2021 - 卷。 1yoledévelopment-超过摩尔2021的光刻和粘合设备 - 样品
Lithography equipment 117 o Lithography adoption in MtM devices 123 o Lithography equipment benchmark 124 o Maskless lithography 140 o MEMS and sensors lithography 148 o Trends and requirements o Substrate material and size o Market assumptions and forecast o Power devices lithography 165 o Trends and requirements o Substrate material and size o Market assumptions and forecast o RF devices lithography 179 o趋势和需求o基材材料和尺寸o市场假设和预测o CMOS图像传感器光刻195 O趋势和要求o基材材料和尺寸o市场假设和预测o高级包装光刻209 o趋势和要求o趋势和需求o集中在面板级包装o小组级包装o面板级包装o层次包装o层次包装o晶状体设备市场预测258 >>
氢键增强的胺-丙烯酸酯液晶单晶弹性体
单畴（永久取向的“单晶”）液晶驱动通常是获得人造软材料类似肌肉驱动的关键方案。[1–3] 然而，由于聚合物弹性体的各向同性，这种物理上偏置的分子结构的需求给经典的合成聚合物弹性体带来了技术挑战。1991 年，Finkelmann 等人 [8] 引入了一种两阶段氢化硅烷化方法，并报道了第一个成功的具有独立驱动功能的“向列液晶单晶弹性体”。在这种方法中，其本质一直是随后二十年制造单畴液晶驱动的首选方案，对轻度交联的凝胶施加单轴机械延伸，以建立内部单轴取向场，然后进行进一步（第二阶段）固化以永久固定该取向。然而，这种方法在实践中非常困难，因为半固化凝胶本身具有机械脆弱性，需要充分拉伸才能实现取向。这降低了液晶元件在不断扩展的变形和驱动应用中的可用性。为了实现更复杂的液晶取向模式并规避分阶段固化问题，人们开发了其他基于外部场的技术，特别是表面取向 [9–12] 和动态键交换。[13–20] 基板的多样化像素定义表面使驱动模式的扩展成为可能，而不仅仅是简单的收缩-伸展。尽管进行了功能化，但材料的规模仍然受到特定基板的限制，并且表面穿透液晶元件本体的深度有限，使得该方法在技术上不足以进行大规模制造。因此，对于通用且灵活的液晶元件制造，机械拉伸仍然是生产多功能功能形式的单畴液晶元件的最简单策略。例如，鉴于聚合物纤维加工方法的成熟，这在编织纤维中尤为突出。人们希望有除氢化硅烷化之外的新化学方法，以便进行稳健的反应和方便的机械排列方式。近年来，二丙烯酸酯反应性液晶原（如 RM257 和 RM82）的商业化供应已成为 LCE 领域的强大推动力，考虑到涉及二丙烯酸酯的一系列良性反应，它提供了一种令人满意的替代方案。特别是，
键合类型碲-氮相互作用
摘要：我们回复 J.-M. Mewes、A. Hansen 和 S. Grimme (MHG) 的评论，他们对我们通过气体电子衍射 (GED) 确定的 (C 6 F 5 )Te(CH 2 ) 3 NMe 2 中 N···Te 距离的 re 值的准确性提出质疑。我们最终证明，MHG 引用的参考计算结果不如他们声称的固态和气相准确。我们通过更高级别的计算表明，我们并未遗漏开链构象异构体的重大贡献。对模拟散射数据的细化表明，此类贡献对 re (N···Te) 的影响几乎可以忽略不计。MHG 建议使用 H0 调谐的 GFN 方法来计算振动校正 rare ，但这并没有显著改变这些值。使用更高级别的解析谐波和数值立方力场 (PBE0-D3BJ/def2-TZVP) 进行替代振幅计算，得出 re (N···Te) = 2.852(25) 的 GED 值，该值完全在原始值 2.918(31) 的实验误差范围内，但远低于 MHG 预测的 2.67(8)。现在改进的误差估计解释了计算辅助值的不准确性。与其他涉及弱化学相互作用的系统相比，弱 N···Te 相互作用的气固差异处于现实范围内。Mewes、Hansen 和 Grimme 最近的评论 [1]
CU键合技术：用例和前景
Table of Contents Overview of Wafer Level 3-D ICs.- Monolithic 3-D Integrated Circuits.- Stacked CMOS Technologies.- Wafer Bonding Technologies and Strategies for 3-D ICs.- Through Silicon Via Fabrication, Backgrind, and Handle Wafer Technologies.- Cu Wafer Bonding for 3-D ICs Applications.- Cu/Sn Solid-Liquid Interdiffusion Bonding.- An SOI-Based 3-D电路集成技术。-3-D制造高性能CMOS技术的选择。-基于介电粘合键的3-D集成。-直接混合键合。-3-D内存。-3-D集成的电路体系结构。-3-D ICS的热挑战。
C2W 混合键合联盟
情况说明书 A*STAR 微电子研究所与八家半导体公司合作成立芯片到晶圆混合键合联盟 2021 年 2 月 11 日 A*STAR 微电子研究所 (IME) 与领先的半导体公司合作开发芯片到晶圆 (C2W) 混合键合，用于高密度 2.5D 和 3D 集成电路 (IC) 集成。新成立的竞争前 C2W 混合键合联盟由国际和本地行业供应链公司组成，将利用 IME 在 2.5D 和 3D IC 集成和键合技术方面的专业知识来开发 C2W 混合键合工艺并演示 4 个芯片堆叠且间距 ≤10um 互连。请参阅附件 A 以获取联盟成员的完整列表。 IME 牵头的 C2W 混合键合联盟由全球领先的工业企业和新加坡的一家中小企业组成，包括设备制造商、设备和材料供应商。设备制造商为设计、工艺和可靠性要求做出贡献，而设备供应商则通过带来新的先进工具和能力以及开发和修改专用于混合键合和模块工艺开发的硬件来做出贡献。材料供应商将带来用于混合键合的新型介电材料以及用于薄晶圆处理的临时粘合剂。本地中小企业 Capcon Singapore 为该联盟带来了其在制造倒装芯片键合机方面的强大专业知识；主要是高精度高生产率芯片键合机和倒装芯片键合机、晶圆上芯片键合机和封装上封装键合机的能力。作为该联盟的成员，Capcon 能够加速其在芯片到晶圆混合键合领域的研发并缩短其开发周期。IME 将与联盟成员一起领导开发和流程集成，以实现高产量多堆栈 C2W 混合键合。由于数据中心和高性能计算 (HPC) 应用需要大量数据存储和数据处理，对更高速度和更大内存容量的需求不断增长。此外，片上系统 (SoC) 正朝着具有高密度 2.5D/3D 集成的“小芯片”发展。混合搭配功能小芯片能够通过重复使用现有 IP 和芯片来降低设计成本和时间，而传统的 2D 缩放不再能降低芯片成本。基于对高密度 3D 堆叠内存和 2.5D/3D 异构集成的强烈需求，细间距芯片间连接引起了半导体行业的极大兴趣。使用混合键合的 C2W 堆叠是满足这些需求以及细间距互连和小尺寸的关键。
电线键合可靠性评估
1.1.1。球键故障球键故障是微电子包装中最常见的故障模式[2]。通常是由于热老化引起的金属间生长。来自金属间层中的微裂纹并削弱了键[3]。球键合AU，Cu，Ag基线到Al金属化形成热老化的金属间化合物（铝制）。[4]在不同的金属超声波或热音线键中有限的界面IMC形成会增加键强度。但是，过度的IMC形成可能导致债券的性能下降。IMC的厚度增加会产生较高的电阻，从而导致流动流动时较高的热量产生。这会产生乘数效应，因为由于电阻率升高而引起的加热促进了粘合界面中其他IMC的形成[5]。imcs的形成以及界面处的相关空隙和裂纹决定键的强度和可靠性。IMC的形成对粘结强度有益，但是它们的过度生长可以增加键和接触电阻的脆性，从而导致键失败[6]。