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W2W 混合键合界面的可靠性研究
摘要 — 评估了 1 µm 间距晶圆对晶圆 (W2W) Cu/SiCN 混合键合界面的电气可靠性。使用控制 IV 方法获取 W2W 混合堆栈的击穿电压分布。假设幂律模型，对使用条件外推可确认使用寿命超过 10 年，当温度低于 175 ◦ C 时，幂律指数高于 10。发现沿 Cu/SiCN 混合键合界面的传导机制为 Poole-Frenkel 发射，能量势垒等于 0.95 eV。仅在温度高于 200 ◦ C 和场高于 1.5 MV/cm 时才能观察到移动铜，证实了该键合界面对铜漂移具有良好的稳定性。索引术语 — 晶圆对晶圆 (W2W) 键合、可靠性、电介质击穿、混合焊盘泄漏。
AC 21-99 飞机接线和接合 - SteinAir
简介 1 1 至 3 参考规格 1 4 说明 2 5 至 11 绝缘套管和热缩管 4 12 至 14 焊接程序 5 15 至 26 压接触点 10 27 至 28 连接器接触点的手动压接工具 10 29 至 33 工具检查测量 11 34 至 35 接触定位装置的类型 22 36 至 39 压接程序 22 40 至 42 压接工具包 25 43 安装和拆卸压接触点 25 44 至 49 屏蔽连接 33 50 至 55 连通性测试 35 56 至 57 测试引线 36 58 电连接器的保护 36 59 至 61 灌封连接器 38 62 连接器附件40 63 至 72 引导修复程序 46 73 至 77 矩形连接器 48 78 至 79 MIL-DTL-83723 圆形连接器 48 80 至 84 MIL-DTL-5015 连接器 52 85 至 86 MIL-C-26482、MIL-C-26500 和 MIL-C-81703 连接器 57 87 至 88 MIL-C-81511 连接器 58 89 至 94 MIL-DTL-38999 连接器 65 95 至 97 M 和 MS 连接器电缆夹 70 98 MIL-C-81659 连接器 73 99 至 108 多端接连接器 87 109 至 111
利用飞秒激光脉冲将 PMMA 键合到硅上
文献中，较小的间距可预期较高的剪切强度。事实上，在之前关于飞秒激光粘合两层 PMMA 层的研究 [20] 中发现，每次激光通过产生的缺陷和空隙都会被下一条激光线产生的熔融材料填充。因此，增加连续激光线之间的重叠可提高焊接强度。相反，在我们的案例中，当激光束经过之前产生的激光修改线时，即当 h/w < 1 时，可以注意到剪切强度的降低。该结果可以归因于 PMMA 和硅之间的锚定“断裂”，这是由于激光在已经加工好的线上扫描造成的。另一方面，增加间距对剪切应力有负面但不太明显的影响。这可能
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
纳米、微米和宏观晶圆键合技术
本文概述了用于实现纳米、微米和宏观系统以及系统集成的最常见晶圆键合技术。首先，讨论了晶圆键合应用的一般方面。然后是对不同晶圆键合工艺的技术描述，因为不同的键合应用需要与工艺集成和应键合的晶圆上的实际表面层相关的不同工艺。最后，在概述表中显示了优点和缺点以及技术和应用方面，对所述键合工艺进行了系统化和详细的比较。本概述应有助于为晶圆级键合和其他应用选择最合适的工艺。
键合理论应解释什么？什么...
虽然这些轨道上的电子与 MnO 中金属离子周围的六个 O 2- 离子上的电子之间可能会发生排斥，从而增加这些轨道的能量，但这些轨道仍将保持简并状态（具有相同的能量）。
太阳能电池应用的半导体晶圆粘结
有效地需要用能量转换器覆盖较大的表面。这是太阳能电池，也称为光伏的地方。光伏设备，首先是由法国科学家Henri Becquerel于1839年发现的，它通过产生电子对 - 在光伏材料中的孔对直接转化为电子。这些对创建了电流流，该电流遵循材料的内置势坡。太阳能电池已成为重要的替代电源，尤其是自1970年代的石油座舱以来。此外，太阳能电池是一种有希望的无碳能源，可以帮助减轻全球变暖。实现高效率太阳能转化对于使太阳能成为满足世界能源需求的可行选择至关重要。太阳能电池的能量转化效率是指电池产生的电力与电池每单位时间接收到的入射阳光能量的比率。
利用智能玻璃体粘接修复复合材料和铝结构
任何修复的目的都是恢复结构的原有强度和刚度，并满足规定的质量平衡和空气动力学要求。一般来说，复合材料的修复要么用螺钉固定，要么用胶水固定。对于薄层压板或夹层复合材料，不允许使用螺栓修复，因此要进行粘合修复，最好采用齐平模板修复的形式。轨道车辆承受着很高的运行和交通负荷，损坏需要修复过程，而修复过程可能会因临时和计划外的停机而产生经济后果。因此，目标是使修复过程更简单、更快捷、更安全。修复复合材料时，湿法层压和真空工艺是耗时且多阶段的工艺。为了提高修复过程的可靠性，必须
工业粘合剂核心系列选择指南
亨斯迈凭借 60 年作为高性能粘合剂技术先驱的传统，开发了一系列全面的粘合剂，为工程师每天面临的各种设计问题提供解决方案。基于三种化学物质——环氧树脂、聚氨酯和甲基丙烯酸酯，Araldite ® 粘合剂核心系列为塑料、金属、复合材料和其他基材提供卓越的连接和粘合解决方案。
第 9 部分 电气设备 - 传单 9-1 接合和电路...
3.10.5 作为上述方法的替代，可以使用适当的毫欧表采用四端子电阻测量法（见图 1）。使用这种类型的仪器，测试电流（约 2 安培）由内部电池提供，并通过电缆 C1 和 C2 流过电阻。测量电阻两端的电压降（P1 和 P2），并将其与流动的电流进行比较。然后将结果值显示（通常以数字形式）在仪表上。测试引线可以是双尖峰形式（见图 2），或者与鳄鱼型测试引线结合使用时，可以是单尖峰形式。为了检查仪器是否正常工作，应将两个手尖放在低电阻导体上，使电位尖峰（P1 和 P2）紧密靠在一起（见图 3）。此测试的结果应为仪表上的零读数。