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CNFET晶体管优化-IMEC出版物存储库
摘要 - 在本文中，我们提出了一个基于性能，稳定性，稳定性，稳定性，稳定性，稳定性之间的折叠式晶体管晶体管（CNT）效果晶体管（CNFET）基于基于5-NM技术节点的静态静态随机访问mem-Ory（SRAM）设计。除了尺寸优化外，还评估并对CNFET SRAM性能改善（包括CNT密度，CNT直径和CNFET频率）在内的物理模型参数进行了评估和优化。优化的CNFET SRAM与基于亚利桑那州立大学的最先进的FinFET SRAM细胞[ASAP 7-nm FinFET预测技术模型（PTM）]库进行了比较。我们发现，与FinFET SRAM细胞相比，所提出的CNFET SRAM细胞的读取，编写EDP和静态功率分别提高了67.6％，71.5％和43.6％，其稳定性稍好。CNT互连都被认为是组成全碳基SRAM（ACS）阵列，该阵列将在本文的第二部分中进行讨论。实现并使用具有铜互连的7 nm FinFET SRAM单元进行比较。
由碳纳米管和Fe2O3纳米颗粒产生的超高分子量聚乙烯修饰
摘要：以原始形式和含有碳纳米管（CNT）或Fe 2 O 3纳米颗粒（NP）（NPS）的超高分子量聚乙烯（UHMWPE）的薄薄片。CNT和Fe 2 O 3 NP的重量百分比在0.01％至1％之间。通过传输和扫描电子显微镜以及通过能量分散X射线光谱分析（EDS）来确认UHMWPE中CNT和Fe 2 O 3 NP的存在。使用衰减的总反应傅立叶转化红外（ATR-FTIR）光谱和UV-VIS吸收光谱光谱光谱光谱光谱法研究了嵌入式纳米结构对UHMWPE样品的影响。ATR-FTIR光谱显示了UHMWPE，CNTS和Fe 2 O 3的特征。关于光学性能，无论嵌入纳米结构的类型如何，都观察到光吸收的增加。从光吸收光谱中确定允许的直接光能差距值：在这两种情况下，它都随着CNT或Fe 2 O 3 NP浓度的增加而降低。将提出和讨论获得的结果。
esee1125.pdf
探测原子形成的多苯胺/多吡咯/碳纳米管纳米管纳米复合材料Pawan Sharma，1 Kartika Singh，1 Akshay Kumar，2 Deepak Kumar，2 Harish Mudila，1 Harish Mudila，1 Udayabhaskar Rednam，3 P. E. Lokhan，3 p.e. lokhan and* Kumar 1， *抽象化学氧化聚合已用于合成聚苯胺/多吡咯/碳纳米管（PANI/PPY/CNT）三元纳米复合材料。过硫酸铵和盐酸分别用作氧化剂和掺杂剂。在这些纳米复合材料中，PPY充当Pani和CNT基质中的填充剂。应用各种物理化学技术来评估纳米复合材料的结构和热性质。观察到，与1 wt％，2 wt％和4 wt％的PANI和CNT矩阵中的负载相比，0.5 wt％的PPY载荷表现出更大的结晶度和热稳定性。
鸿沟-10
Agent™Works™Works CNT墨水是为丝网印刷制定的，由我们的单墙CNT（ComoCat™技术），一种光学清晰的聚合物粘合剂和我们的专有墨水车（V2V™技术）组成。用于制造Agent-10产品结构的CNT墨水等级是Chasm-VC201。CNT墨水可在标准1L瓶中使用。agnw膜是通过在连续的透明塑料膜底物上涂上agnws向随机的Agnw网络制造的。agnw层厚度〜0.7μm。Agent-10：7 mil PC膜有一个底物选项，背面没有硬外套（HC）。用于制造Agent-10产品结构的AGNW膜的等级为chasm-agent-aw121。AGNW膜的标准板尺寸可提供高达457mm x 605mm的标准尺寸，也可以在大约中提供。605mm或1,210mm宽的卷。
在碳纳米管上生长钙钛矿量子点用于神经形态光电计算
神经形态计算，又称受脑启发的计算，由于其构建模块能够同时记忆和处理数据，因此能耗较低。[2] 目前，人工神经网络在图像识别、[3] 音频识别、[4] 蛋白质结构揭示和材料发现等复杂的计算机器学习任务中展现出优势。[5] 这些机器学习任务依赖于大量数据和高速数据分析。因此，与传统的冯·诺依曼架构相比，模仿生物大脑基本要素——神经元和突触的受脑启发的计算架构正在成为复杂机器学习任务的计算解决方案。在实现神经形态计算的元器件中，可以作为光电神经形态计算机构建模块的光电子器件需要新型材料来制作电路级和纳米级的器件。碳纳米管 (CNT) 因其优异的机械和电学性能而常用于电子设备。[6] 与以单层或多层膜形式用于设备的二维石墨烯材料不同，一维 CNT 在电路级和纳米级设备应用中具有更好的潜力。作为一种具有高载流子迁移率的电气材料，CNT 用于构建场效应晶体管和计算机。[7] 尽管 CNT（包括多壁 CNT (MWCNT)）具有优异的电学性能，但它们对光的响应较弱，不适合
用于物联网传感器的碳纳米管电子元件 - 富兰克林集团
摘要 物联网 (IoT) 是一种无处不在的计算生态系统的概念，其中定制形式的电子设备可以无缝嵌入到日常物品中。物联网的核心是电子传感器，它能够检测物理 / 环境现象、将这些测量值转换为电信号并通过无线方式传输数据以进行远程计算。物联网传感器和系统的开发至关重要的是低成本材料，这些材料要足够坚固以在中到长时间内维持稳定的电气性能，同时又要足够灵敏以检测到周围环境中的细微变化。此类材料应具有机械灵活性并适合基于溶液的加工，以促进大规模生产方法，例如卷对卷印刷。碳纳米管 (CNT) 是满足这些要求的主要候选材料之一，因为它们具有独特的电气和机械性能，可以实现坚固耐用且用途广泛的设备，再加上它们的化学性能，可以从溶液中加工 CNT。这些优势使得各种印刷 CNT 电子产品和传感器能够在各种基板上展示，这些产品具有广泛的功能，从基于无源设备的简单传感器到复杂的多级电路和显示电子产品。在这篇评论中，我们全面总结了基于 CNT 的电子产品和传感器领域，重点介绍了与物联网相关的应用。主要内容是介绍由随机取向的 CNT 网络组成的设备；但是，我们也会讨论单纳米管设备的优势和功能。我们将回顾各种传感器的关键工作，并总结基于 CNT 的传感器技术面临的剩余挑战。
通过热后生成处理选择性调整对齐碳纳米管阵列的底物粘附强度
摘要：对齐的纳米纤维（例如碳纳米管（CNT））的出色固有特性，以及它们易于形成成多功能的3D体系结构的能力，激励它们用于各种商业应用的使用，例如电池，用于环境监测的化学传感器以及能源监测和节能式载体。在控制对生长底物的纳米纤维粘附对于批量制造和设备性能是必不可少的，但迄今为止的实验方法和模型尚未解决CNT阵列 - 底物 - 底物粘附强度在热处理条件下。在这项工作中，可轻松的“一锅”热后生成处理（在温度下t p = 700 - 950°C）用于研究CNT-底物 - 底物提取强度，用于毫米高的对准CNT阵列。CNT阵列通过拉伸测试从平坦生长基板（Fe /Al 2 O 3 /SiO 2 /Si Wafers）中取出，表明该阵列逐渐失败，类似于脆性微生物束的响应。在三个方案中，引进强度与T P非单调地演变，首先由于在CNT-catalyst界面上对无序碳的石墨化而首先增加10次，直至t p = 800°C，然后由于Fe催化为catly catalyst扩散到950°C而降低到弱界面，从而降低到弱界面，并降低了sudtration substration substration substrate and 2 o cystration and 2 o 3 cystration and 2 o 3 cystratization。失败发生在750°C以下的CNT-催化剂界面处发生，并且CNT在较高的T P加工后拉出期间自身破裂，在基板上留下了残留的CNT。形态学和化学分析表明，在所有制度中，Fe催化剂在撤离后仍保留在底物上。这项工作提供了对负责纳米纤维 - 底物粘附的界面相互作用的新见解，并允许调谐增加或降低应用程序的阵列强度，例如高级传感器，能量设备和纳米机电系统（NEMS）。关键字：碳纳米管，粘附，热处理，机械性能，界面行为，扫描传输电子显微镜■简介
请求提案（RFP）开发2026-2030 ...
在过去的一年中，我们为积极塑造CNT未来的计划投入了大量资源。我们完成了全面的价值评估，目前正在就我们的核心价值观达成共识。与这项工作一起，我们正在对我们的倡导，项目和计划的历史进行评估，以吸引他们的见解，从而为我们的战略方向提供信息。我们还聘请了一名战略顾问来吸引员工，我们的董事会，合作伙伴，客户和基于社区的组织，以开发360度的组织观点。这项集体作品的产出包括CNT的新价值声明，工作人员，董事会和外部组织访谈的调查结果簿，并在2024年后期进行的访谈，并将很快包括有关CNT现有条件的其他报告。我们打算与顾问或团队共享这些工作产品以实施此范围。
首席战略和项目官职位描述
CNT 的首席战略和项目官是一位战略思想领袖，将与首席执行官密切合作。该职位负责提升组织在政策制定、基础设施投资和项目实施方面的影响力。该职位对于加强跨团队的项目管理、促进项目之间的协调以及最大限度地发挥 CNT 计划的影响至关重要。该职位将领导并与董事总经理合作制定和执行短期和长期战略，确保与组织优先事项保持一致。
用于互连的超高密度垂直排列碳纳米管森林的生长
碳纳米管 (CNT) 具有一组独特的性能，例如高电流承载能力、高热导率、机械强度和极大的表面积，18 这些特性使其可用于众多应用。现在可以高效地生长高纯度的块状和表面单壁纳米管 (SWNT) 9 13，因此许多应用的生产限制似乎已经得到克服。然而，仔细观察就会发现，对于纳米管森林的许多关键应用而言，现有的生长方法所生成的森林的面积密度和性能仍然低 1 2 个数量级。以用 CNT 取代集成电路中的铜互连线为例，这是半导体路线图的一个重要里程碑。14 16 只有当 CNT 互连线的电阻低于铜时，才会使用 CNT 互连线，而这需要 CNT 面积密度至少为 2 10 13 cm 2 才能降低由量子电阻引起的串联电阻。然而，迄今为止实现的 SWNT 最高密度仅为 7·10·11 cm2，7,17 21 低了 30 倍（图 1）。散热器也存在类似的问题。虽然单个纳米管的导热系数可能与金刚石实心棒相当，3 但是，如果纳米管森林只填充了可用横截面积的 3%，实际导热系数就会低 30 倍，用处不大。22,23 为了克服这些限制，我们需要完全茂密的森林。我们在此介绍了一种催化剂设计，用于生长超高密度纳米管森林，接近所需的 2·10·13 cm2 密度，甚至可以达到更高的密度。