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用坚固的si ...
硅被认为是下一代可充电锂离子电池中有望的阳极材料。为了克服固有的缺点，例如低电导率和不稳定的固体电解质界面膜，不同的SI和碳（C）纳米复合材料，但它们通常会受到复杂的结构设计，高制备成本的困扰，并且在有限的电化学性能中，C和SI之间的Teractions弱弱。在此，描述了一种简单的，环保的，低成本和可控的途径，可以通过简单的机械球铣削和磁性重新修复（MR）来制备从再生废物玻璃和商业碳纳米管（G-SI/CNT）中，具有较强的Si-C纳米管复合材料，具有较强的Si-C共价键合。由于导电CNTS网络，强烈的Si-C共价键在CNT和Si纳米颗粒之间形成，因此，G-SI/CNT电极的出色特异性容量为〜895 mAh G-1，以及在0.1 A g-g-1之后的0.1 a g-1之后的能力保留率为84.3％。由回收废玻璃产生的G-SI/CNTS复合材料在高能锂离子电池中作为阳极材料具有巨大的潜力。
基于 CNT 的材料作为柔性电极...
1 LAQV@REQUIMTE，波尔图大学科学学院化学与生物化学系，Rua do Campo Alegre，4169-007波尔图，葡萄牙； LSRE-LCM，波尔图大学工程学院化学工程系，Rua Dr. Roberto Frias，4200-465波尔图，葡萄牙（gabrielaq@fe.up.pt）ORCID 0000-0002-6030-970X； 2 LSRE-LCM，波尔图大学工程学院化学工程系，Rua Dr.罗伯托·弗里亚斯，4200-465 波尔图，葡萄牙；西班牙奥维耶多大学-CINN 物理和分析化学系，33006，奥维耶多（nataliarey@fe.up.pt）ORCID 0000-0002-5003-0035； 3 LAQV@REQUIMTE，波尔图大学科学学院化学与生物化学系，Rua do Campo Alegre，4169-007波尔图，葡萄牙（clara.pereira@fc.up.pt）ORCID 0000-0001-9224-1917； 4 LSRE-LCM，波尔图大学工程学院化学工程系，Rua Dr. Roberto Frias，4200-465 波尔图，葡萄牙 (fpereira@fe.up.pt) ORCID 0000-0002-5447-2471
CNTWClimateHealth 绿色计划 2021-2026 我们的可持续医疗之旅
1. 将碳排放量从 2020 年 3 月的 12,000 吨二氧化碳当量减少到 7,000 吨二氧化碳当量。2. 员工具备碳排放知识，并嵌入碳排放报告。3. 汽油/柴油汽车的商务里程比 2019 年基准低 45%，并制定激励措施鼓励积极出行。4. 制定并完善汽车和电梯共享计划。5. 所有信托车辆（包括增加的拼车数量）都是电动的。6. 餐饮团队定期审查信托机构提供的食物的碳影响。7. 可持续的护理模式将充分利用预防策略和服务用户参与来减少需求，并在需要治疗的地方使用价值最高和碳排放最低的替代品。8. 通过增加社会处方、共同决策和减少浪费，药物的碳成本将降低。
关于聚苯乙烯/MWCNT的简短沟通研究...
摘要这项研究的目的是为任何量热法制造一种新型的温度传感器。引入了一种新的混合溶液方法，以制备聚苯乙烯/多壁碳纳米管纳米管纳米复合样品，其重量百分比为0.05、0.1、0.1、0.28、1和2的MWCNT。为了证明包含在聚合物基质中的分散状态，应用了SEM分析。另外，进行了XRD和拉曼光谱分析。在包含的约0.28重量％的情况下，研究并实现了电渗透阈值。最后，从室温到〜100ºC的样品测量样品的电阻。因此，对于大多数纳米复合材料样品，在T g之前和之后观察到正温系数和负温度系数效应。在20-50ºC下实现了电阻 - 温度曲线的最佳线性响应，该曲线使用二阶拟合曲线可以用来将T0〜70ºC用光。结果表明，在渗透阈值附近的聚苯乙烯/多壁碳纳米管纳米复合材料可以用作量热法的温度传感器。关键字：温度传感器，量热法，电渗透阈值，聚苯乙烯/MWCNT纳米复合材料，电阻。1。在过去的二十年中，由于纳米填充剂（例如碳纳米管（CNT））增强的聚合物材料（CNTS）吸引了科学和工业社区的广泛关注。CNT是聚合物基质的理想增强填充剂，因为它们的纳米尺寸，高纵横比，更重要的是它们出色的机械强度，电气和导热率[1]。聚合物-CNT纳米复合材料在柔性电池，太阳能电池，抗固定器件，电磁干扰屏蔽，辐射屏蔽和电池，超电容器，超电容器，压电电气传感器，温度传感器和辐射传感器[2-11]中具有巨大的潜在应用[2-11]。
使用10 nm Wrap-Gate Cntfet技术的超细胞宽带操作跨导放大器
抽象的操作跨传输放大器（OTA）是模拟电路和系统中最关键的块。随着灾难性短通道效应的互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管在深纳米系统下的晶体管，微电学科学家的侧重于设计基于非西硅材料的超细胞性奥塔斯。在过去的几年中，具有惊人的电气和物理性能的全面碳纳米管局部效应晶体管（GAA-CNTFET）吸引了纳米电子研究人员的广泛关注，这是代表高性能纳米级OTA的潜在平台。在这方面，这项工作旨在根据10 nm GAA-CNTFET技术节点提出一个超米型超宽带OTA。在超级尺寸的GAA-CNTFET晶体管的弹道传输操作中，提出的OTA受益，该尺寸可提供优质带宽（2.88 GHz）以及合适的功率消耗（44.8 L W）。所提出的OTA显示在1 V电源电压下的64.5 dB开环增益和59 dB的共同模式排斥比。此外，由于使用间接反馈补偿方法的利用，拟议的基于GAA-CNTFET的OTA呈现了适当的相位边缘（61），并带有较小的补偿器电容器。提到的性能指标仅占据0.198 L m 2的物理区域，提出的GAA-CNTFET OTA有可能被视为基于纳米级CMOS的OTA的替代方法。
海事工程杂志 - CNTHA
《海事工程杂志》（ISSN 071.VOOSK）是加拿大武装部队海事工程师的非官方出版物，由海事工程和总干事每年出版四次，由国防参谋部副总参谋长授权。所表达的观点均为作者的观点，并不一定反映官方意见或政策。通讯地址：《海事工程杂志》编辑部，DMKK，国防总部，M(ien)orge R. Pearkes 大厦，加拿大安大略省渥太华 K1A OK2。编辑保留拒绝或编辑任何编辑材料的权利，尽管会尽一切努力将图片和照片完好无损地归还，但本杂志对此不承担任何责任。除非另有说明。期刊文章可在适当注明来源的情况下转载。