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摘要 - 在本文中，我们提出了一个基于性能，稳定性，稳定性，稳定性，稳定性，稳定性之间的折叠式晶体管晶体管（CNT）效果晶体管（CNFET）基于基于5-NM技术节点的静态静态随机访问mem-Ory（SRAM）设计。除了尺寸优化外，还评估并对CNFET SRAM性能改善（包括CNT密度，CNT直径和CNFET频率）在内的物理模型参数进行了评估和优化。优化的CNFET SRAM与基于亚利桑那州立大学的最先进的FinFET SRAM细胞[ASAP 7-nm FinFET预测技术模型（PTM）]库进行了比较。我们发现，与FinFET SRAM细胞相比，所提出的CNFET SRAM细胞的读取，编写EDP和静态功率分别提高了67.6％，71.5％和43.6％，其稳定性稍好。CNT互连都被认为是组成全碳基SRAM（ACS）阵列，该阵列将在本文的第二部分中进行讨论。实现并使用具有铜互连的7 nm FinFET SRAM单元进行比较。
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