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电子器件与电路（规
了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型（定性分析）。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
参数提取和等效电路建模
天线是一种辐射结构，能够发射/接收特定频率的电磁辐射。天线设计为在特定频带内工作，该频带称为天线带宽。天线工程师通常很难设计具有特定带宽的精确谐振频率的天线，因为它取决于各种物理、电气和磁性参数。因此需要使用等效电路建模。等效电路建模是构建具有天线谐振和带宽特性的集总元件电路的过程。通过此模型，技术人员可以轻松计算天线的各种参数。如果开发的等效电路模型可以推广，则可以将其用于精确设计天线，并可以轻松地将具有特定特性的天线转换为另一种天线。
IEEE关于电路和系统中新兴和精选主题的日记
对于量子软件，一大堆软件工程是必不可少的，以释放量子计算的全部功能。迄今为止，正在出现量子计算语言，操作系统，编译器和应用程序。量子软件工程需要在不同的抽象水平上进行域知识。特别是将量子算法或应用程序编译为量子处理器上可执行的格式，需要将高级编程语言代码转换为低级量子组装代码，该代码由表示为量子电路的一系列单一操作组成。汇编需要高级，逻辑级别和设计自动化技术的物理水平合成。此外，还必须验证量子算法和电路的设计以确保正确性。正式验证，模拟和仿真至关重要，尤其是因为量子计算机本质上是概率和嘈杂的。集成电路的许多常规电子设计自动化（EDA）技术
用于 VLSI 的稳健且可扩展的混合 1 位全加器电路
摘要 本研究论文介绍了一种用于“超大规模集成”（VLSI）应用的新型 22 晶体管 (22T)、1 位“全加器”（FA）。所提出的 FA 源自混合逻辑，该逻辑是“栅极扩散输入”（GDI）技术、“传输门”（TG）和“静态 CMOS”（SCMOS）逻辑的组合。为了评估所提出的 FA 的性能，在“设计指标”（DM）方面将其与最先进的 FA 进行了比较，例如功率、延迟、“功率延迟乘积”（PDP）和“晶体管数量”（TC）。为了进行公平比较，所有考虑的 FA 都是在常见的“工艺电压温度”（PVT）条件下设计和模拟的。模拟是使用 Cadences 的 Spectre 模拟器使用 45 nm“预测技术模型”（PTM）进行的。仿真表明，在输入信号频率 fin=200 MHz 和电源电压 V dd =1 V 时，所提出的 FA 的“平均功率耗散”(APD) 为 1.21 µW。它的“最坏情况延迟”(WCD) 为 135 ps，并且“功率延迟积”(PDP) =0.163 fJ。进一步为了评估所提出的 FA 在 V dd 和输入信号操作数大小方面的可扩展性，它嵌入在 64 位 (64b)“行波进位加法器”(RCA) 链中，并通过将 V dd 从 1.2 V 以 0.2 V 的步长降低到 0.4 V 来进行仿真。仿真结果表明，只有所提出的 FA 和其他 2 个报道的 FA 能够在不同的 V dd 值下在 64b RCA 中运行，而无需使用任何中间缓冲器。此外，我们观察到，与其他 2 个 FA 相比，所提出的 FA 具有更好的功率、延迟和 TC。关键词：全加器、PDP、低功耗、静态 CMOS、门扩散输入、传输门逻辑
QCA中新型多路复用器电路的设计...
摘要。量子点蜂窝自动机（QCA）技术是CMOS技术的一种有希望的替代纳米级技术。在数字电路中，多路复用器是最重要的组件之一。在这项研究中，使用多数门和逆变器门提出了有效的单层2至1 QCA多路复用器电路。此外，使用此2至1多路复用器电路实现了有效的4至1和8至1 QCA多路复用器电路。开发的多路复用器电路是在qcadesigner工具中实现的。根据结果，开发的2至1、4至1和8至1多路复用器电路利用16（0.01μm2），96（0.11μm2）和286（0.43μm2）QCA Cell（面积）。结果表明，与现有多路复用器电路相比，提议的8至1多路复用器电路将成本降低约25％-99％。
耐变异感测放大器电路的设计
摘要 在 DRAM 和 SRAM 等深亚微米存储器中，准确感测位线电压变得非常具有挑战性，因为制造工艺的固有变化导致晶体管特性失配，这带来了严重的挑战，导致电路故障和产量下降。本文解决了这些问题，并将补偿方案应用于各种感测放大器的原理图，从而对工艺引起的变化具有很高的容忍度。使用 DGFinFET 设计的原理图利用增强的自补偿技术来克服物理晶体管特性的差异。使用蒙特卡罗技术重建晶体管失配（阈值电压，V t ），表明即使在 40-50mV 的严重 V t 失配下，所提出的 CCLSA 原理图也能正确运行。将这些结果与文献中报道的相应电路进行了速度、面积和产量的比较。与未补偿的设计相比，该设计还提供了高达 20-30% 的产量，并且降低了电路和性能的复杂性。这些电路在 45nm 和 32nm 技术节点上很容易实现。关键词：补偿、工艺变化、DRAM、FinFET 感测放大器、稳健性
电路工程区 #7 调查审计......
乳化剂工厂的融资 2012 年 6 月，在投票决定成立合资企业后，CED7 批准了“向 CED7 县能源区管理局提供资金支持的意向决议”。六个月后，该管理局获得了 2,000,000 美元的商业贷款，该贷款于 2013 年 10 月增加至 2,350,000 美元。合资协议表明，在附录“A”中所示的初始所有权投资之后，所有额外资本投入将平等进行。CED7 的 400,000 美元初始资本投入是承诺提供 400,000 美元的存款单作为管理局 2,350,000 美元贷款的抵押品。管理局的初始贡献是附件“A”中所示的“产品”，即 2012 年 10 月以 575,000 美元购买的沥青乳液专利。12 贷款还款包括 2013 年 7 月至 2019 年 12 月之间的多次付款。CED7 提供了 67% 的贷款，管理局支付了 33% 的贷款，总成本为 2,677,902.55 美元。
氮化硅光子集成电路原型制作及小批量生产
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