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使用...的神经形态芯片 Loihi 的模拟器
开发智能神经形态解决方案仍然是一项艰巨的任务。它需要对硬件的基本构建块有扎实的概念理解。除此之外，易于访问且用户友好的原型设计对于加快设计流程至关重要。我们基于神经网络模拟器 Brian 开发了一个开源 Loihi 模拟器，可以轻松将其纳入现有的模拟工作流程。我们在软件中演示了单个神经元和循环连接的脉冲神经网络的无错误 Loihi 模拟。我们还审查并实施了片上学习，由于随机舍入，存在合理的差异。这项工作提供了 Loihi 计算单元的连贯介绍，并介绍了一个新的、易于使用的 Loihi 原型设计包，旨在帮助简化新算法的概念化和部署。
第 8 章：单芯片和多芯片集成
第 1 部分：执行摘要和范围简介集成电路发明 60 多年来，一直有人定期预测摩尔定律将终结。虽然设计和工艺技术方面正在进行重大创新，以继续推动向下一个节点的发展，但摩尔定律的经济效益即将终结，先进节点的一些关键性能指标正在趋于稳定，正如商业杂志《经济学人》2016 年 3 月 12 日的一篇文章所描述的“摩尔定律饱和”（图 1.1）。半导体行业正在实施 EUV、FinFET 和 FinFET 后继者。5 纳米节点已处于早期生产阶段，3 纳米节点即将到来。摩尔博士自己对摩尔定律技术终结的预测正在接近目标年份。2016 年 3 月 12 日文章中的信息在今天仍然具有现实意义。
双通道芯片冷却建模与优化...
摘要 — 未来处理器预计将具有超高功率密度，而传统的冷却解决方案无法有效缓解这一问题。使用带有微柱芯蒸发器的两相蒸汽室 (VC) 是一种新兴的冷却技术，可通过冷却剂的蒸发过程有效去除高热通量。带有微柱芯的两相 VC 利用毛细管驱动流提供高冷却效率，其中冷却剂由芯吸结构被动驱动，从而无需外部泵。此类新兴冷却技术的热模型对于评估其对未来处理器的影响至关重要。现有的两相 VC 热模型使用计算流体动力学 (CFD) 模块，这需要较长的设计和仿真时间。本文介绍了一种快速、准确的带有微柱芯的两相 VC 紧凑热模型。与 CFD 模型相比，我们的模型实现了 1.25 ◦ C 的最大误差，速度提高了 214 倍。使用我们提出的热模型，我们构建了一个优化流程，选择最佳冷却解决方案及其冷却参数，以在给定处理器和功率分布的温度约束下最小化冷却功率。然后，我们在不同的芯片尺寸和热点分布上演示了我们的优化流程，以在 VC、基于微通道的两相冷却、通过微通道的液体冷却以及热电冷却器和微通道液体冷却的混合冷却技术中选择最佳冷却技术。
芯片射击 - 加拿大的半导体策略
半导体价值链中的复杂性和巩固是由荷兰的ASML插图的，这是世界上几乎每个芯片制造商使用的光刻机器制造商。当一家芯片制造公司以1亿美元（USD）以北的价格从ASML购买一台光刻机器时，它将购买了一件非常复杂的设备，其中有超过400,000个零件来自“数千家公司的精心调整系统”。 10位分析师指出，ASML对全球光刻机器市场的80％至100％的捕获归功于该公司在供应链管理方面的高级技能和经验，这与首先投资了数十亿美元有关设计和开发机器的投资。11
Spinnaker上的语言建模2神经形态芯片
随着大型语言模型的规模继续迅速扩展，运行它们所需的计算能力也是如此。基于事件的神经形态设备的网络提供了一种潜在的方法来大大减少推理的能源消耗。迄今为止，大多数基于事件的网络都可以在包括尖峰神经网络（SNNS）在内的神经形态硬件上运行，即使与LSTM模型相当，也无法实现任务性能。结果，对神经形态设备的语言建模似乎是一个遥远的前景。在这项工作中，我们基于最近发表的基于事件的架构The Egru，演示了在神经形态设备（特别是Spinnaker2芯片）上的第一个语言模型实现。spinnaker2是一种多核神经形态芯片，设计用于大规模异步处理，EGRU构建以有效地利用此类硬件，同时保持竞争性任务绩效。此实现标志着神经形态语言模型首次与LSTM匹配，为将任务性能带到大语言模型的级别设定了阶段。我们还根据DVS摄像机的输入来展示对手势识别任务的结果。总的来说，我们的结果展示了这种神经启发的神经网络在硬件中的可行性，强调了单批推断的常见用例的能源效率的显着增长与常规硬件的可行性。
可编程拓扑光子芯片-Dr -ntu
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打造人工智能芯片的挑战和行业前景
• 第 1 部分：背景 - AI 应用、工作负载和系统 • 第 2 部分：构建数据中心 AI 芯片的挑战 • 第 3 部分：行业视角 - 软件 • 第 4 部分：行业视角 - 架构和硬件
6 位、X 波段核心芯片 8 - 12 GHz
• AESA 雷达 • 电信 • 仪器仪表 描述 CGY2170YHV/C1 是一款在 X 波段工作的高性能 GaAs MMIC T/R 6 位核心芯片。该产品有三个 RF 端口，包括三个开关、一个 6 位移相器、一个 6 位衰减器和放大器。它的移相范围为 360°，增益设置范围为 31.5 dB。移相器和第一放大器级之间还有一个电压可变衰减器，用于增益控制。它覆盖的频率范围为 8 至 12 GHz，并在 10 GHz 时提供 5.8 dB 的增益。带有串行输入寄存器的片上控制逻辑最大限度地减少了控制线的数量，并大大简化了该设备的控制接口。该芯片采用 0.18 µm 栅极长度 ED02AH pHEMT 技术制造。 MMIC 采用金焊盘和背面金属化，并采用氮化硅钝化进行全面保护，以获得最高水平的可靠性。该技术已针对太空应用进行了评估，并被列入欧洲航天局的欧洲首选部件清单。