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幻灯片——用于先进晶圆级封装的苯并环丁烯基介电材料的图案化永久键合
Michael Gallagher、Rosemary Bell、Anupam Choubey、Hua Dong、Joe Lachowski、Jong-Uk Kim、Masaki Kondo、Corey O'Connor、Greg Prokopowicz、Bob Barr、陶氏电子材料
分布式能源的自充电电力系统
我们报告了基于2-氰基甲基三甲氧基硅烷（CNETM）对介电和储能储存性能对脉冲功率应用的介电性和能量储存性能的残留离子在介电溶胶胶片中的影响。使用了从1.5到6.5的广泛pH催化cnetms sol-gel膜。在近中性pH下处理的溶胶 - 凝胶膜具有改进的介电和能量储能特性，包括11个微型模量，泄漏电流的降低阶，可提取的能量密度为32 j/cm 3，能量提取效率为80％，在685 v/µm时，与在ph/µm相比，ph/µm的能量提取效率为80％。这些改进归因于Sol-Gel膜中离子量减少，这被认为可以抑制可能触发现场驱动的散射和影响电离的移动电荷载体的有害影响，以及随后在高电压下造成灾难性电气故障。目前的工作表明，基于三功能的烷氧基硅烷对脉冲功率应用，工程剩余的荷兰膜中工程剩余载体的重要性。
Ni2+对CU0.25CO0.25CO0.25MG0.5-XNIXCE0.03FE1.97O4尖晶石铁矿合成的结构，光学，电气和介电性能的影响
Table 1 Lattice parameters of the as-prepared samples Parameters x = 0.0 x = 0.125 x = 0.25 x = 0.375 x = 0.5 β (degree) ±0.05 0.1518 0.1812 0.1940 0.2627 0.8281 D (nm) ±0.05 57.33 48.02 44.87 33.14 10.51 d (Å) 2.5234 2.5221 2.5213 2.5188 2.5149 a (Å) 8.3694 8.3647 8.3622 8.3542 8.3410 V (Å) 3 586.25 585.27 584.75 583.06 580.31 L A (Å) 3.6239 3.6219 3.6208 3.6173 3.6116 l b（Å）2.9585 2.9569 2.9560 2.9532 2.9485γ（Å）0.7495 0.7491 0.7488 0.7481 0.7469 D x（g /cm 3）5.1385 5.2448 5.2448 5.2448 5.3471 5.3471 5.4606 5.4606 5.55848 S（MON 33.15 102.15 P 227.19 190.42 177.98 131.57 41.81 𝜀0.0020 0.0020 0.0024 0.0026 0.0026 0.0036 0.0112δ×10 -4（nm -2）±0.05 3.05 3.04 4.33 4.33 4.96 4.96 9.10 9.10 90.40
引入交联结构提高全有机氟聚合物复合电介质储能密度
随着移动设备的快速发展，电能存储在固定电网、智能机器人、混合电动汽车等领域受到广泛关注，这些应用场合要求储能系统与元件具有电能充放电速度快、可靠性高、重量轻等特点。1 – 6 柔性电容器因具有柔性、密度低、易集成等特点，在电子电气领域得到广泛的应用。双向拉伸聚丙烯（BOPP）被广泛应用于商业化的柔性储能装置中。然而，由于BOPP的介电常数低（1 kHz时为2），其储能性能（Ue）仅限于1 – 2 J cm 3 @ 660 kV mm 1，这对开发电子设备中的储能元件非常不利。7,8 介电电容器储能是当今最常用的储能材料之一。
采用低损耗和低介电常数树脂制成的 3D 打印介电透镜的 Ku 波段/Ka 波段模拟和测试
根据电磁有限元法的轶事经验，这种复杂性估计为 O(N^2)。因此，理论上，将问题体积减少四倍可将解决时间减少十六倍。一个简单的比较示例是根据所述透镜问题在一个频率（35 GHz）下构建的，在 HFSS 版本 2021R2 中仅进行一次自适应传递，并在一台运行速度为 3.50GHz 的两台 8 核 Intel(R) X eon(r) Gold 6144 处理器的计算机上运行。（由于购买了基本多核 HFSS 许可选项，因此在这些模拟示例中仅使用了四个内核。）四分之一模型产生 47,588 个四面体并在 131 秒内解决，而完整模型产生 181,817 个四面体并在 2143 秒内解决。因此，此示例的速度提高了 16.35 倍。请注意，这些比较的是总运行时间，而不仅仅是矩阵求解时间。
草稿研讨会议程 - CDN
摘要 - 在室温和市售大区域1.2 kV 4H-SIC功率MOSFET的室温和升高的温度下，进行了频率泄漏电流和恒定电压时间与时间依赖时间的介电分解（TDDB）测量值，以研究其门氧化物的可靠性并更好地了解其失败模式。表明，Fowler-Nordheim（F-N）隧穿电流是导致门泄漏电流的主要机制。尽管界面状态密度（d）和接近氧化物陷阱可能引起的异常门泄漏电流行为，但在正常工作条件下的泄漏电流（在28℃下为V g = 20 V）小于100 pa。从TDDB测量值推断出来，当V g = 20 V时，在28℃和175°C时的预测寿命远远超过目标10年。索引术语 - 碳化物（SIC），MOSFET，氧化物可靠性，Folwer-Nordheim，TDDB，故障时间
重新定义纳米级高 k 介电材料在储能领域的应用：一种新型电化学活性保护屏障
关键词：能源材料、纳米级效应、高 k 电介质、隧道传导、电化学储能。缩写：（第一页脚注） ALD：原子层沉积 Si NWs：硅纳米线 Si NTs：硅纳米树 Al@SiNWs：氧化铝涂层硅纳米线 Al@SiNTs：氧化铝涂层硅纳米树 3 纳米 Al@SiNWs：3 纳米氧化铝涂层硅纳米线
具有极低介电常数和损耗的轻质多孔二氧化硅泡沫，适用于未来 6G 无线通信技术
在接近太赫兹频率下工作的下一代无线通信系统中，具有尽可能低的介电常数和损耗因子的电介质基板变得至关重要。在本文中，我们采用模板辅助溶胶-凝胶法合成了高度多孔（98.9% ± 0.1%）和轻质二氧化硅泡沫（0.025 ± 0.005 g/cm 3 ），它们具有极低的相对介电常数（300 GHz 时 ε r = 1.018 ± 0.003）和相应的损耗因子（300 GHz 时 tan δ < 3 × 10 −4）。在泡沫板上浸涂一层纤维素纳米纤维薄膜后，可获得足够光滑的表面，在此表面上可方便地沉积对电子和电信设备应用很重要的导电金属平面薄膜。在这里，银薄膜的微图案通过荫罩溅射到基板上，以展示双开口环谐振器超材料结构作为在亚太赫兹波段工作的射频滤波器。
通过介电油中的水滴进行电滴来将基因递送到哺乳动物细胞中的机理研究div>
，我们基于通过介电油中的水滴进行了短路，开发了一种新的方法，用于传递可渗透细胞的分子。将细胞悬架液滴放在具有强烈直流电场的一对电极之间，液滴弹跳和液滴变形，这会导致瞬时短路，这取决于电场强度。我们已经证明了使用短路成功地转移了各种哺乳动物细胞。但是，分子机械主义仍有待阐明。在这项研究中，用Jurkat细胞进行流式细胞仪测定。用液滴弹跳或短路处理含有jurkat细胞的水滴和带有荧光蛋白的质粒。短路可导致24小时孵育后足够的细胞活力和荧光蛋白表达。在很重要的情况下，液滴弹跳并未导致成功转染基因转染。通过摄取可耐细胞荧光染料yo-pro-1和钙离子的涌入来研究瞬态膜孔的形成。结果，短路增加了Yo-Pro-1氟-1荧光强度和细胞内钙离子浓度，但液滴弹跳没有。我们还研究了内吞作用对转染的贡献。用内吞作用抑制剂对细胞的预处理以依赖性的方式降低了基因转染的效率。此外，使用pH敏感的染料偶联物表明在短路后内体中形成了酸性环境。内吞作用是细胞内递送外源性DNA的可能机制。
一种快速有效的氧化锆珠介导的超声策略，用于DNA碎片，最高10 kbp
材料上的特性。15最近，多层材料在表面工程社区中引起了广泛的关注，复合电极的制造也广泛用于LM电极处理。这还涉及增强电极材料的表面和界面，例如，减少金属颗粒的大小，不合适的多孔或分层结构，并与各种纳米颗粒进行修改或功能化表面（例如，，金属，金属氧化物，碳材料和离子/电子导电聚合物）。16 - 19虽然一项重要的研究集中在界面模式cation在改善金属化lms的能量存储和电性能中的作用，但它在自我修复特性方面已被很大程度上忽略了。由于其出色的电绝缘层和高导热率，可以将金属氧化物连接到聚丙烯LMS的表面上，以通过蒸气沉积形成复合的绝缘培养基。该方法不仅在适度地增加了复合lms的相对介电常数，而且在显着增强了电容器核心的热有效性方面。20,21尽管热量的快速耗散是由于电容器的介电损失或自我修复而产生的，但据信复合LMS可以防止在自我控制点附近介电lm的层间粘附，从而在自我控制过程中发挥隔离功能。22,23