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钙钛矿量子点对列液晶材料的介电特性
量子点（QD）在液晶（LC）培养基中的分散可以有效地修改其介电和电光特性，这些特性在基于LC的显示以及非放置应用程序中很有用。在这里，我们报道了钙钛矿量子点（PQD）掺杂对列液晶（NLC）材料的介电性能的影响，即Zli-1565在其整个列和各向同性相。纯NLC的介电参数及其具有PQD的复合材料（0.1 wt。％，0.25 wt。％和0.5 wt。％）。与纯NLC相比，由于移动离子密度的增长，复合材料的介电介电常数（ɛʹ）和介电损耗（ɛʺ）的值增加。纯NLC的损耗因子（tanδ）的光谱峰随着PQD的添加向高频区域移动。此外，还评估了纯NLC和0.25 wt。％PQDS-NLC复合材料的温度依赖性介电参数（即最佳浓度）。此外，还评估了纯样品和0.25 wt。％复合材料的介电性各向异性和阈值电压。与纯净NLC相比，这里要注意的一点是，与纯NLC相比，清除温度（T n-I）的复合材料的清除温度（T N-I）减少了4°C。在这种PQDS-NLC复合材料上获得的结果可用于具有可调介电特征的基于NLC的电气设备。
在介电和电子应用中合成化学修饰的纳米材料的最新发展
抽象聚合物纳米复合材料（PNC）由于其在储能，电子，生物传感，药物输送，化妆品和包装行业中的应用而吸引了巨大的科学和技术兴趣。纳米材料（血小板，纤维，球体，晶须，杆）构成了这种PNC。聚合物基质中无机纳米材料的分散程度以及纳米材料的结构化排列是纳米复合材料总体性能的一些关键因素。为此，纳米材料的表面功能化决定了其在聚合物基质中的分散状态。用于储能和电子产品，这些纳米材料通常用于其介电特性以增强设备应用的性能。尽管已经报道了有关纳米材料表面修饰的几次评论，但目前缺乏与聚合物介质有关的纳米材料表面功能化的综述。本综述总结了重要的金属氧化物介电纳米材料的表面修饰的最新发展，包括二氧化硅（SIO 2），二氧化钛（TIO 2），钛盐（Batio 3）（Batio 3）（Batio 3）和氧化铝（Al 2 O 3）（Al 2 O 3），例如化学药品，例如silanes，silanes，silanes，silanic，phosphonic，phosphonic，phosphonic and phosphicam and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphicam and phosphonic and phosphonic and phosphonic。我们报告了纳米材料的化学修饰对纳米复合材料的介电性能（介电常数，分解强度和能量密度）的影响。除了使新手和专家在聚合物介电纳米复合材料的领域加快速度外，此综述还将作为选择适当化学剂的智力资源，用于将纳米材料功能化，以在特定聚合物矩阵中使用，从而潜在地调整了纳米复合材料的精细性能。
辐射衰减率提高介电间隙纳米annoantennas
抽象的高折射率介电介电纳米antennas通过辐射通道的设计通过purcell效应强烈修改衰减速率。由于其介电性质，该领域主要是在纳米结构内和间隙内进行的，这很难使用扫描探针技术进行探测。在这里，我们使用单分子荧光寿命成像显微镜（SMFLIM）来绘制介质间隙纳米二二聚体的衰减速率增强，中位定位精度为14 nm。，我们在纳米坦纳（Nanoantenna）的间隙中测量的衰减速率几乎是玻璃基板上的30倍。通过将实验结果与数值模拟进行比较，我们表明，与等离激元纳米ant的情况相反，这种较大的增强本质上是辐射的，因此在量子光学和生物效率等应用中具有巨大的潜力。
在 CVD 石墨烯上无种子层沉积高 k 电介质以增强栅极控制能力
摘要：栅极绝缘体是决定石墨烯场效应晶体管 (GFET) 性能的最重要因素之一。栅极电压对导电通道的良好静电控制需要较薄的栅极氧化物。由于缺乏悬挂键，通过原子层沉积 (ALD) 工艺生长的栅极介电膜通常需要种子层。种子层可实现介电膜的高质量沉积，但可能导致最终介电膜厚度大幅增加。针对该问题，本文提出了一种改进工艺，在原子层沉积之前使用蚀刻溶液去除自氧化的 Al 2 O 3 种子层，Al 2 O 3 残留物将提供石墨烯表面的成核位点。受益于电介质膜厚度的减小，与使用标准 Al 蒸发种子层方法的 GFET 相比，使用此方法作为顶栅电介质膜沉积工艺的 GFET 的跨导平均增加了 44.7%。
使用菠萝叶纤维制造纤维素粉末介电复合材料
菠萝以其美味的味道和营养价值而闻名，以核心，叶子和皮肤的形式产生大量废物，从而导致每年大量的积累。由于其生产的增加和潜在的环境污染，菠萝废物的有效处理已成为一个关键的挑战。本文的目的是通过将菠萝废料衍生成新的介电复合材料来挥发自然纤维。通过使用设计专家软件的优化技术实现了介电复合材料的制造过程，从而导致了值得注意的发现。然后，根据其介电性值和元素组成分析了制造材料的特性。使用矢量网络分析仪（VNA）方法测量新制造的介电材料的介电常数，而其元素组成是使用能量分散性X射线（EDX）光谱进行表征的。在本文中分析了元素组成与新制造的复合材料的介电值之间的相关性。结果，当介电复合材料由76.02％碳和22.61％的氧气组成时，获得了最高的介电常数（4.08）。相反，当材料碳含量降低到69.32％，其氧含量增加到29.81％时，该材料表现出较低的介电率值（2.87）。这种结果强调了碳在吸收和存储电磁信号中的关键作用，从而影响了材料的介电特性。总而言之，本文揭示了用于废菠萝叶的开创性用途，展示了它们的碳含量如何显着影响所得的介电复合材料的介电特性。例如，这种创新的环保材料为电子设备（例如PCB，天线和传感器）中不可回收的介电材料提供了可持续的替代方案。
通过破损预导导探测电介质聚合物的电子带结构
电子带结构，尤其是导带尾部处的缺陷状态，主导电子传输和在极高的电场下介电材料的电降解。然而，由于在检测到极高的电场的电传导时，即介电的挑战（即预损伤），介电带中的电子带结构几乎没有得到很好的研究。在这项工作中，通过现场预击传导测量方法探测聚合物电介质纤维的电子带结构，并与太空电荷限制 - 电流光谱分析结合使用。根据聚合物电介质中的特定形态学障碍，观察到具有不同陷阱水平的导带处的缺陷状态的指数分布，实验缺陷态也表明，与密度函数理论的状态密度相关。这项工作中所证明的方法桥接了分子结构确定的电子带结构和宏电导行为，并高度改进了对控制电崩溃的材料特性的高度改进，并为指导现有材料的修改以及对高电气纤维应用的新型材料的探索铺平了一种方式。
高频LTCC应用的铜硼酸盐的烧结，微观结构和介电性能
摘要：通过固态合成和烧结，基于两个铜硼酸盐和Cu 3 b 2 O 6的新陶瓷材料，并将其表征为低介电介电介电常数的有希望的候选者，用于很高的频率电路。使用加热显微镜，X射线衍射测量法，扫描电子显微镜，能量分散光谱镜检查和Terahertz时间域光谱研究了陶瓷的烧结行为，构成，显微结构和介电特性。研究表明，频率范围为0.14–0.7 THz的介电介电常数为5.1-6.7，介电损失低。由于低烧结温度为900–960℃，基于铜硼酸盐的材料适用于LTCC（低温涂层陶瓷）应用。
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
SR2+和Zr4+掺杂的Batio3巨大介电常数超材料的增强的介电特性
摘要。Batio 3是钙钛矿结构的最重要功能材料之一，广泛用于电子工业中。但是，Batio 3的介电介电常数仍然相对较低，这极大地限制了其在具有巨大介电介电常数的超材料中的实际应用。在这项工作中，（Ba 100 x Sr X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷是通过实心烧结方法制造的。令人惊讶的是，（ba 100 x Sr x）（ti 100 y zr y）o 3复合陶瓷材料的介电性能分别依赖于A位置和B位置的Sr 2+和Zr 4+的占用。因此，通过调整SRTIO 3和BAZRO 3的掺杂量，介电介电常数为28287（65°C，1 kHz），以及在（ba 90 sr 10）（ba 90 sr 10）中的高分子分解强度为84.47 kV/cm，是在214％的范围内，是214％的13％and 13％，是214％的13％。 （BA 99 SR 1）（Ti 99 Zr 1）O 3复合陶瓷。此外，通过有限的元素模拟确定了介电介电常数显着增加的原因，并探索了复合陶瓷材料的分解机制。这项工作提供了一种构建高介电介电常数复合陶瓷的简便方法，即（BA 100 X SR X）（Ti 100 Y Zr Y）O 3复合陶瓷在电子和静电储能存储电容器方面具有广泛的应用前景。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。