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依赖于极化的效果在2D有限尺寸的吸附岛上对电介质底物的振动吸收光谱
相比之下，IRRAS在氧化物和二元组中的应用通常不那么发达了。虽然广泛可用的氧化物粉末吸附剂的实验性IR数据，但这些材料的宏观单晶的10,11 IRRAS数据受到限制。10–13此限制源于电介质的特定光学特性，并阻碍了直到最近氧化物上IRRAS数据的实验记录。金属和半导体之间的关键区别是通过金属电子对电场进行筛选，影响总红外反射率，并引起所谓的表面选择规则，管理金属表面上的IRRAS。2,14该规则规定，对于金属，通常仅具有过渡偶极矩的成分的振动
“使用拓扑设计的3D介电纳米纳米式天线增强纳米级手性增强”的补充信息”
拓扑优化图1（a）描绘了TO的物理模型。拓扑设计空间由400×400×100 nm 3的矩形区域定义，这是测量1的较大电磁场模拟区域的一部分。1 µm×1。1 µm×600 nm。在设计空间下方放置了100 nm厚的SIO 2底物。使用具有高斯模式的R -CPL使用几乎薄的透镜（Na 0.25），以垂直角度将其定向到底物表面上。位于底物表面上的梁腰部在底物表面的直径为982 nm。波长为532 nm，距离基板的光源位于420 nm。tio 2被选为设计材料，其折射率为2。51185 + 0。01128 i在设计波长处，通过椭圆测量法对通过原子层沉积制备的118 nm厚的TIO 2膜进行了实验测量。有限差频域法被用作麦克斯韦求解器[17，40]。用4 nm cu-bic网格离散模拟区域，将最外面的五层分配为完美匹配的层，该层吸收了仿真空间内单个对象散射的电磁场。在TO框架内，配偶的介电函数桥接了设计材料E R和周围空气介质（E 0）的值，形成为E R = E 0 +ρ（E M-e 0）。在这里，设计变量ρ是连续的真实标量，范围为0至1。文献[16，40]中记录了TO的更多细节。我们的设计变量的初始值被设置为随机数字，均匀跨越0.5至0.7。我们采用了基于梯度的优化算法将设计值ρ向0或1驱动，其中ρ= 1的分布代表优化的结构。另外，为了鼓励设计变量的二线化，我们使用sigmoid函数实现了一种投影过滤方法。计算是在具有NVIDIA TESLA V100 SXM2（32 GB）的GPU节点上进行的。
低介电常数硅氧烷/碳硅烷杂化苯并环丁烯树脂复合材料的制备及性能
摘要：将苯并环丁烯改性倍半硅氧烷（BCB-POSS）和二乙烯基四甲基二硅氧烷-双苯并环丁烯（DVS-BCB）预聚物分别引入到由1-甲基-1-（4-苯并环丁烯基）硅环丁烷（4-MSCBBCB）和1-甲基-1-苯基硅环丁烷（1-MPSCB）聚合而成的含苯并环丁烯（BCB）单元的基质树脂P（4-MB-co-1-MP）中，制备出低介电常数（低k）硅氧烷/碳硅烷杂化苯并环丁烯树脂复合材料P（4-MB-co-1-MP）/BCB-POSS和P（4-MB-co-1-MP）/DVS-BCB。通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和差示扫描量热法（DSC）研究了复合材料的固化过程。利用阻抗分析仪和热重分析仪(TGA)研究了不同比例的BCB-POSS和DVS-BCB对复合材料介电性能和耐热性的影响。复合材料的热固化可以通过BCB-POSS或DVS-BCB的BCB四元环与P(4-MB-co-1-MP)的BCB四元环的开环聚合(ROP)进行。随着BCB-POSS比例增加至30%，P(4-MB-co-1-MP)/BCB-POSS复合材料的5%热失重温度(T 5% )明显升高，但由于POSS中引入了纳米孔，介电常数(k)降低。对于P(4-MB-co-1-MP)/DVS-BCB复合材料，随着DVS-BCB比例的增加，T 5%和k略有升高。以上结果表明，BCB-POSS 比传统填料具有优势，可同时提高热稳定性并降低 k。
Ba 离子改性 Pb5Ge3O11 单晶的成分相关介电、铁电和电热特性
摘要：本文研究了Ba离子改性的典型氧化物单轴铁电单晶Pb5Ge3O11的一些铁电性质，包括介电常数、DSC、铁电极化和电热效应（ECE）测量。测量结果表明，增加Ba掺杂会显著影响所有测量参数，主要是通过降低居里温度、逐渐扩散相变、降低极化值以及矫顽场来影响。整体ECE的下降受到极化降低的影响。与纯PGO单晶相比，这一降幅从1.2K降至0.2K。然而，扩散相变的影响增加了其发生范围（高达30K），这可能对应用有益。
环氧基光刻胶薄膜纳米复合材料与碳包覆 Cu@C 纳米粒子的优异介电性能
C. L APEYRONIE 1*，MS A LFONSO 1，B. VIALA 2，J.-H. T ORTAI 1 1 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CNRS、CEA/LETI-Minatec、格勒诺布尔 INP、格勒诺布尔阿尔卑斯大学工程与管理学院、LTM、格勒诺布尔 F-38054、法国 2 格勒诺布尔阿尔卑斯大学、CEA、LETI、38000 格勒诺布尔、法国
铅卤化物钙钛矿纳米立方体与介电纳米盘的形状定向共组装成二元纳米晶体超晶格
摘要：胶体纳米晶体 (NC) 的自组装在固态材料的多尺度工程中具有巨大前景，通过这种技术，原子工程 NC 构件被排列成具有协同物理和化学性质的长程有序结构 超晶格 (SL)。迄今为止，报告主要集中在球形 NC 的单组分和二元系统上，产生的 SL 与已知的原子晶格同构。通过组合各种形状的 NC，可以预期获得远远超出已知晶格范围的更大结构空间。本文报道了空间稳定的 CsPbBr 3 纳米立方体 (5.3 纳米) 与圆盘状 LaF 3 NC (直径 9.2 - 28.4 纳米，厚度 1.6 纳米) 共组装成二元 SL 的过程，产生了具有 AB、AB 2 、AB 4 和 AB 6 化学计量的六柱状结构，这在之前和我们的参考实验中均未观察到，参考实验中使用由球体和圆盘组成的 NC 系统。本文使用填充密度计算合理化了立方体形状的这种惊人效果。此外，在尺寸相当的纳米立方体（8.6 纳米）和纳米盘（6.5 纳米、9.0 纳米、12.5 纳米）系统中，还观察到了其他非柱状结构，例如 ReO 3 型 SL，其特征是盘和立方体的紧密混合和面对面排列，纳米立方体的面心立方或简单立方亚晶格，以及每个晶格位置有两个或三个盘。层状和 ReO 3 型 SL 采用大型 8.6 纳米 CsPbBr 3 NC，表现出集体超快光发射 超荧光 的特征，源自激发态发射偶极子的相干耦合。关键词：胶体纳米晶体、纳米晶体形状、自组装、二元超晶格、电子显微镜、卤化铅钙钛矿、超荧光 I
3D 打印介电透镜可提高天线增益并扩大光束扫描角度
大多数电信和射频传感市场都在向更高性能的无线链路和传感技术迈进。为了实现这些新的吞吐量、延迟、可靠性、无线连接设备数量、可配置性和传感分辨率，从蜂窝电信到军用雷达应用，业界已投入大量资金来使用频谱的更高频率部分。这些努力要求开发更强大的先进/有源天线系统 (AAS) 用于电信，以及有源电子控制天线阵列 (AESA) 用于军事/国防传感和干扰技术。需要在更高频率下使用更复杂的 AAS 来克服与微波和毫米波通信和传感相关的高大气衰减和对准挑战。在大多数情况下，电子可控相控阵天线一直是实现 AAS 的最受探索的解决方案。
基于锂电池的高介电聚合物和离子液体的固体聚合物电解质
在2.3×10 - 5和1.4×10 - 4 s cm -1之间，具体取决于特定的IL。此外，对于[PMPYRR] [TFSI]样品，获得了最高的锂反式数量为0.71。li/lifepo使用这些SPES在不同C速率下在室温下显示出出色且稳定的电池性能。[PMPYRR] [TFSI]样品达到了最高的排放能力值，分别达到137 mAh.g -1和117 mAh.g -1在C/10和C/2速率，库仑效率高（〜100％）和低容量后，在100个周期后淡出较高的容量。使用P（VDF-TRFE-CFE）允许开发室温固态锂离子电池，并且改进的结果与高聚合物介电常数相关，从而促进了IL离子离子的解离，从而提高了离子迁移率。
幻灯片 - 基于苯并丁烯的介电材料的长期粘合材料的长期粘结
Choery Bellah，Jon Lachowski，Kim，Masak Kondo，Corey O'Connor，Provinces Provinces Profisces，Barr，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，酒吧，Bar，Barr。
通过在有机场效应晶体管 (OFET) 中加入天然粘土来提高虫胶的介电常数
1. 引言近年来，OLED 技术的巨大进步 [1,2,3] 和有机光伏 (OPV) 的迅猛发展证明了有机电子器件的工业和商业潜力。有报道称，体异质结设计中的经典有机光伏器件的效率接近 20%，而钙钛矿的效率甚至超过了这个值。这些里程碑式的进步使得此类发展如今既适用于小规模也适用于大规模应用 [4,5]。尽管如此，尽管最近电子器件和传感器取得了令人瞩目的进步，但下一代 OLED、太阳能电池和印刷电路（基于有机场效应晶体管 (OFET)）的制造在寻找新型更高性能半导体、基板和封装材料、电介质和加工条件 [6–11] 等方面仍面临挑战。有机材料在 RF 范围内（即兆赫甚至更高频率）在空气中的稳定运行将支持许多能够与硅基 CMOS 电路竞争的新技术的开发 [8,12–18]。当这些新型电子元件与生物传感元件相结合时，将为开发一次性诊断和药物输送技术开辟可能性[19–29]。