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高k电介质材料在短沟道中的性能...
摘要 — 当氧化层变薄，栅极长度变短时，MOSFET 器件中会出现短沟道效应 (SCE)。本研究的目的是寻找一种新的电介质和栅极材料来取代传统的氧化物二氧化硅 (SiO 2 ) 和多晶硅作为栅极材料。本研究的目的是研究使用不同类型的高 k 电介质材料和锗 (Ge) 作为栅极材料的 MOSFET 的性能。使用 Silvaco TCAD 工具制造和模拟 MOSFET 结构。基于电流-电压 (IV) 特性评估 MOSFET 的整体性能。结果表明，用 HfO 2 和 Ge 作为电介质和栅极材料制造的 MOSFET 具有较高的驱动电流，漏电流比传统 MOSFET 降低了 0.55 倍。因此，与 SiO 2 和多晶硅相比，MOSFET 结构中 HfO 2 和 Ge 的组合具有最佳性能，因为它在缩小器件尺寸时产生较小的漏电流和较小的 V th，从而降低 SCE。
与介电堆栈的开放空腔中的轻度互动
考虑到多层介电镜的影响，我们评估了单个发射极和光腔内的辐射场之间的精确偶极耦合强度。我们的模型允许一个人自由地改变腔的共振频率，光或原子过渡的频率以及介电镜的设计波长。耦合强度是针对具有未结合频率模式的开放系统得出的。在非常短的空腔中，用于确定其模式体积和定义的长度的有效长度不同，并且也发现与它们的几何长度有明显不同的分歧，并且辐射线在介电镜中最强。对于腔体比其谐振波长长得多，该模式体积通常从其几何长度中采用的模式进行接近。
在低温下氮化硅中固有的单光子发射器的光物理
图1。多价逻辑薄膜元素带有加密。（a）蒸发诱导的自组装（EISA）CNC膜上iTO/玻璃基板上。通过精确降低NaCl溶液，CNC的手性螺距通过相对湿度控制（比例尺为1mm）调节。（b）由光子带隙（相对湿度，H和盐浓度，S）和光子能量（波长，W和极化状态，P）触发的生物多值逻辑系统的图形符号，并通过以下转换后的字母字母来解码电信号。（c）基于集成电路的光通信启用了主动手性生物介电层。特定的输入提供了光学通信，并通过在系统中调整H通过加密传输“制造”信号。
全dielectric metasurfaces及其在Terahertz范围内的应用
在快速发展的Terahertz（THZ）技术领域中，全型元信息（ADMS）已成为一种显着的驱动力，可能会改变各种行业和科学训练。这篇评论对与THZ ADMS相关的基本原理，材料，制造技术和最新设计方法进行了全面和深入的研究，包括人工智能在其发展中的新兴作用。各种应用都深入到这些元信息的范围内，例如高分辨率成像，高级传感和可调设备的开发，展示了THZ范围内ADM的多功能性和承诺。此外，讨论了跨学科合作的重要性，并在推动基于ADM的THZ设备的边界时的尖端技术集成。随着该领域的不断增长和创新，预计全端元元面积的应用和含义预计将变得越来越多样化，为各个部门的变革突破铺平了道路。
合成和介电特性，XPS光谱研究
是由Xrd确定的，标称组成BI 2 Cr 1 /6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 ni 1/6 ni 1/6 Cu 1/6 cu 1/6 ta 2 o 9+δ，不管合成条件如何，包含均量含量的均量含量的异位甲酸盐溶剂甲酸甲酸酯抗溶剂。在Bi 2-cr 1 /6 Mn 1/6 1/6 Fe 1/6 CO 1 /6 Ni 1/6 Cu 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+Δbismuth sublattice中获得了bimuth原子的缺乏。复杂的氧化物在pyrochlore结构类型中结晶（sp。gr。fd -3 m，。= 10.4811（2）Å）。陶瓷的特征是多孔，松散的微观结构，平均晶粒尺寸为0.5 –1μm。根据XPS数据，Pyrochlore中的过渡元件离子主要在Cr（III），Fe（III），MN（II），CO（II），CO（II），Ni（ii），Cu（ii），Cu（ii）状态中。在室温下，BI 2-1 / 3 Cr 1/6 Mn 1/6 Fe 1/6 CO 1/6 CO 1/6 Ni 1/6 Cu 1/6 Ta 2 O 9+δ的介电常数和介电损耗分别为1 MHz，分别为≈46和≈0.004。提出了一个等效电路，该电路模拟样品的电性能。
（GO-MGO-POPDA-PVA）纳米复合薄膜的介电性能
本工作利用溶液浇铸工艺制备了不同重量比（0、2、4、6、8、10 wt%）的氧化镁、氧化石墨烯聚邻苯二胺（GO-MgO-PoPDA）增强的纯（PVA）聚合物薄膜。研究了纳米粒子氧化镁（MgO）和氧化石墨烯（GO）的不同重量比对纳米复合薄膜介电性能的影响。使用 FTIR、SEM、X-RAY 对纳米复合材料进行表征。介电性能结果表明，随着（GO-MgO-PoPDA）纳米粒子的添加、施加电场频率的增加和粒子含量的增加，制备的薄膜的交变电导率值增大，而介电常数值随（GO-MgO-PoPDA）纳米粒子含量的增加而增大，但随频率的增加而降低。而当添加纳米粒子且随着频率的增加而制备的薄膜的介电损耗系数降低。
未来一代 MOSFET 的电介质/SiC 接口展望
Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Aaniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，BRETT HULL1，BRETT HULL1，C SCOTT HULL1，C，C，C，C，SCOTT ALLEN1，D. U1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Hull1，C，Scott Allen1，d和John W. John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A* Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1,d，以及 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*，Sei-Hyung Ryu1,b，Brett Hull1,c，Scott Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1,a*、Sei-Hyung Ryu1,b、Brett Hull1,c、Scott Allen1,d 和 John W. Palmour1,e Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，B，B，Brett Hull1，C，Brett Hull1，C，Scott Hull ，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和John W. Palmour1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D，D，D。 Our1，E Daniel J. Lichtenwalner1，A*，Sei-Hyung Ryu1，B，Brett Hull1，C，Scott Allen1，D和约翰·W·帕尔默1,e
改善了CD-ZN尖晶石铁氧体的结构和介电性状
由La 3+和Er 3+阳离子联合实施大学，法萨拉巴德大学，38000，巴基斯坦C电气与生物物理学，韩国大学，首尔01897，韩国，韩国，在目前的工作中，稀土共同兴奋剂（RE 3+），LA和ER阳离子，LA和ER阳离子对CD-ZN Spinel Ferrites的物理和介电对cd-ZZN Spinel Ferrites的物理和介电的作用，由olter of-gel-gel-gel-gel-gel-geloso ofero unodocoustoso ofero Ondrouto ofero Ondroposo Ondero Ondero Ondero Ondero Ondero Ondero Ondero Onectose Onect。分别以550℃和750℃的偶尔钙化，分别为2小时8小时。使用XRD，FTIR和电介质测量研究了所获得的样品。XRD粉末模式验证了所有与FD-3M空间基团的所有AS合成铁氧体的尖晶石结构的单相生长。获得的结果表明，晶格常数随着ER 3+浓度的增加而降低，而晶粒尺寸随着ER 3+浓度的增加而显示出增加的行为。FTIR结果揭示了存在两个主要吸收带，即范围405-428 cm -1的低频带和范围523-550 cm -1的高频带，这是尖晶石结构形成的证据。LCR测量用于研究LA 3+和ER 3+的共掺杂对频率响应准备样品的各种介电参数的影响。介电常数和损耗随着ER 3+的掺入而降低，同时观察到AC电导率的增加。观察到的特性表明，准备好的材料是用于在高速微波炉和射频设备中应用的合适候选物。（2024年8月31日收到； 2024年11月14日接受）关键字：La＆er共同取代的CD-ZN Ferrites，结构，XRD，FTIR，介电属性1。简介铁氧体材料是由含有铁离子作为其主要成分的氧离子组成的重要类别。它们是陶瓷磁性材料，并发生在各种晶体结构中，但是，尖晶石结构是其中之一，已被广泛研究和报告。尖晶石结构的概念取自MGAL 2 O 4 [1]。该结构由以封闭式FCC形式结构的氧化离子组成，并具有两个类型的间质位点，即四面体和八面体位置。尖晶石铁氧体包含一般式AB 2 O 4，其中“ A”和“ B”代表四面体和八面体位点上的二价和三价金属阳离子[2]。这些材料引起了研究人员的重视研究，以研究其结构，并在各种技术应用中使用电气，介电和磁性。尖晶石铁氧体被归类为软磁性材料，并包含高渗透率[3]，良好的化学稳定性，较大的表面积，优势电阻率和低成本[4]和低涡流损失[5]，可以使用即将进行的讨论中提到的各种技术轻松地修改和官能化。由于上述属性，这些材料对于记录头，数据存储设备，波浪吸收器，电子设备，高速微波炉和射频设备的制造具有重要意义[6-9]。