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介电非线性元曲面中的谐波产生
非线性介电元面积提供了一种有希望的方法来控制和操纵纳米级的频率转换过程，从而促进了基础研究的进步以及在光子学，启动和感应中的新实践应用的发展。在这里，我们采用了由中心的非定形硅制成的对称性交叉的元面积，以共同增强二阶和三阶非线性光学响应。在连续和引导模式的共振中利用光学准结合状态的丰富物理学，我们通过严格的数值计算全面研究表面和批量效应对第二谐波产生（SHG）的相对贡献，以及对来自meta-atoms的第三谐波发电（THG）的大量贡献。接下来，我们在实验上实现了具有高质量因素的光学共振，这极大地增强了轻度相互作用，导致SHG增强功能约为550倍，THG增加了近5000倍。观察到理论预测与实验测量之间的良好一致性。为了对所研究的非线性光学过程的物理学进行更深入的见解，我们进一步研究了非线性发射与跨表面的结构不对称之间的关系，并揭示了由线性敏锐的共振产生的产生的谐波信号非常依赖于元元素的非元元素。我们的工作提出了一项富有成果的策略，以增强谐波产生并有效地控制全dielectric Metasurfaces的不同顺序谐波，从而能够发展有效的有效的主动光子Nan-osevices。
混合介电质量质量纳米ante纳纳纳与... -dr -ntu
dmitriev，P.A.，Lassalle，E.，Ding，L.，Pan，Z.，Neo，D.C.J.，Valuckas，V.，Paniagua -dominguez，R.，Yang，J.K.W.，Demir，H。V.（2023）。杂种介电 - 质量纳米antena，具有子波长光子源的多散性。ACS Photonics，10（3），582-594。https://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.2c01332
TSK5542硅酮电介质绝缘化合物
潜在应用。汽车和海洋点火系统中的水分和防尘保护以及密封。电气连接器和端子的水分密封。电连接，电池端子的润滑。滑动 /转弯变量电阻的润滑。金属接触开关的润滑和表面保护
高 k 电介质材料对电气的影响...
摘要：本文介绍了使用不同高介电常数 (高 k) 栅极介电材料的双栅极 (DG) 和栅极环绕纳米线 (GAA) MOSFET 的电气行为。为了研究高 k 介电材料对 DG 和 GAA 的影响，使用 Atlas Silvaco TCAD 工具模拟器件并确定电气特性。本研究选择的高 k 材料是氮化硅 (Si3N4)、氧化铝 (Al2O3)、氧化锆 (ZrO2) 和氧化铪 (HfO2)。栅极介电材料在设计新型高性能纳米级电气器件方面发挥了重要作用。可以观察到，当接近更高的介电常数值时，导通电流增加，而亚阈值斜率 (SS) 阈值电压 (Vth) 和漏电流减少。可以观察到，与其他模拟介电材料相比，HfO2 对 DG 和 GAA MOSFET 都表现出最佳性能。
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Terahertz极化成像，不仅能够捕获强度曲线，而且能够捕获事件模式的极化状态，是一种具有前途应用的技术，例如安全扫描和医疗诊断。最近，已经提出了一种新的Terahertz成像方法，该方法使用将Terahertz光转换为温度曲线的元图吸收器。然而，由于元图的各向同性几何形状，极化在成像过程中仍然无法区分。为了解决这个问题，这项研究介绍了全丝，极化敏感的跨表面吸收器，并展示了其对Terahertz极化成像的适用性。光学和热模拟证实我们的跨表面的极化依赖性被转化为热域，从而使我们能够区分传入图像中的强度和极化状态。此外，我们证明了一般的椭圆极化下的极化成像是可以实现的。此跨表面有助于Terahertz极化成像，消除了对复杂的设置或笨重的组件的需求，从而减少了形状尺寸并实现了广泛的使用。
界面中非线性介电响应的极性依赖性
图2纳米孔中水氧（底部）和氢原子（顶部）的密度曲线在位于z =±9.31Å处的平行石墨烯片之间的不同电压下。正电场从左到右壁指向，报告的电压对应于平均静电电势之间的差异。除非另有说明，否则在整个手稿中使用相同的色压关系。
用MIE谐振介电元曲面的边缘检测
图4：模拟的角度分散。（a）在1570 nm的波长（电偶极共振模式）波长下，元表面的元表面透射率。（b）在1400 nm（磁模式）波长下具有相同的透射率。（c）磁模式的（b）子图中沿虚线的传输值以及数据的高斯拟合值。
高介电常数和低介电损耗的聚酰亚胺/皇冠醚复合膜，用于高信号传递
高频信号传输，低介电常数（D K）和低介电损耗因子（D F）的替代品以取代传统的二氧化硅材料。4 - 6聚酰亚胺（PI）通常被评为合适的候选者，因为其低分子极化性以及出色的热，机械和化学耐药性特征，并且在电信和微电子工业中表现出了理想的前景。7当前，低二型聚合物材料的结构和组成设计主要集中于结构修饰，改进材料制造过程和复合修饰。常规PI的固有介电常数位于约3.5中，但是，通常需要较低的值以最大程度地减少超大尺度集成电路，高频通信天线基板和毫米波雷达的层间介电信号传输的功率耗散和延迟。8 - 11通过减少主链上酰亚胺基团之间的极化，已经研究了许多方法来减少介电常数和PI的介电损失。12 PI聚合物的分子结构在其介电特性中起主要作用。固有偶极矩和
通过自动化技术探索介电薄膜中的泄漏...
使用扫描探针显微镜 (SPM) 中的自动化实验探索介电薄膜中的电子传导途径。在这里，我们使用大视场扫描来确定局部导电点的位置，并开发 SPM 工作流程以自动化方式探测它们在更高空间分辨率下的动态行为，这些行为是时间、电压和扫描过程的函数。使用这种方法，我们观察到 20 纳米厚的铁电 Hf 0.54 Zr 0.48 O 2 薄膜中导电点的变化行为，其中导电点在连续扫描过程中消失并重新出现。扫描过程中还会出现新的导电点。自动化工作流程是通用的，可以集成到各种显微镜技术中，包括 SPM、电子显微镜、光学显微镜和化学成像。