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使用光谱椭圆偏振法测量薄介电层的热膨胀 最先进的集成电路需要低介电常数 (低 k) 材料。这些新材料的多孔性进一步降低了 k 值。由于有趣的多孔材料是有机和无机成分的组合,因此各个成分的膨胀可能非常不同。温度相关椭圆偏振法提供了测量薄层热膨胀的可能性。此外,它还可以提供有关这些样品吸水行为的信息。这为设备优化提供了更快的途径,因为这些特性对于设备的可靠性至关重要。椭圆偏振法

薄介电层的热膨胀

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