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Lam Research、Entegris 和 Gelest 联手推进 EUV 干光刻胶技术生态系统 2022 年 7 月 12 日 合作提供强大的化学品供应链
Lam Research、Entegris、Gelest 联手推进 EUV 干光刻胶技术生态系统 2022 年 7 月 12 日 该合作为采用突破性技术的全球芯片制造商提供强大的化学品供应链，并支持下一代 EUV 应用的研发 旧金山，2022 年 7 月 12 日 /美通社/ -- SEMICON WEST 2022 -- Lam Research Corp. (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG) 和三菱化学集团旗下公司 Gelest, Inc 今天宣布达成战略合作，该合作将为全球半导体制造商提供可靠的前体化学品，用于 Lam 突破性的极紫外 (EUV) 光刻胶干光刻胶技术，这是生产下一代半导体的创新方法。 双方将共同致力于 EUV 干光刻胶技术研发，用于未来几代逻辑和 DRAM 产品，帮助实现从机器学习和人工智能到移动设备的一切。强大的工艺化学品供应链对于 EUV 干光刻胶技术融入大批量生产至关重要。这项新的长期合作进一步拓宽了干光刻胶技术不断发展的生态系统，并将提供来自半导体材料领导者的双源供应，确保在全球所有市场持续交付。此外，Lam、Entegris 和 Gelest 将共同努力，加速开发未来具有成本效益的 EUV 干光刻胶解决方案，用于高数值孔径 (high-NA) EUV 图案化。高 NA EUV 被广泛视为未来几十年器件持续缩小和半导体技术进步所需的图案化技术。干光刻胶提供高蚀刻抗性和可调节的沉积和开发厚度缩放，以支持高 NA EUV 降低的焦深要求。Lam Research 执行副总裁兼首席技术官 Rick Gottscho 表示：“干光刻胶技术是一项突破，它打破了使用 EUV 光刻技术扩展到未来 DRAM 节点和逻辑的最大障碍。” “此次合作将 Lam 的干光刻胶专业知识和尖端解决方案与两家行业前体化学品领导者的材料科学能力和值得信赖的供应渠道结合在一起。干光刻胶生态系统的这一重要扩展为该技术令人兴奋的新水平创新和大批量生产铺平了道路。”干光刻胶最初由 Lam 与 ASML 和 IMEC 合作开发，它提高了 EUV 光刻的分辨率、生产率和良率，从而解决了与创建下一代 DRAM 和逻辑技术相关的关键挑战。它提供了卓越的剂量与尺寸和剂量与缺陷率性能，从而提高了 EUV 扫描仪的生产率并降低了拥有成本。此外，Lam 的干光刻胶工艺比传统光刻胶工艺消耗更少的能源，原材料消耗减少五到十倍，从而提供了关键的可持续发展优势。“Lam 的干光刻胶方法体现了材料层面的关键创新，并提供了广泛的优势，包括更好的分辨率、更高的成本效益和令人信服的可持续发展优势，”Entegris 首席执行官 Bertrand Loy 表示。“我们很自豪能够成为这一创新合作的一部分，以加速干光刻胶的采用，并成为客户值得信赖的工艺材料供应商，帮助他们利用这一重要技术创造下一代半导体。”“我们与 Lam 和 Entegris 合作推进 EUV 光刻的干光刻胶，表明我们致力于支持芯片制造商在材料科学方面的创新，”三菱化学集团旗下公司 Gelest 总裁 Jonathan Goff 表示。“我们看到 EUV 近年来展现出非凡的价值，我们很高兴成为不断发展的生态系统的一部分，以扩大其潜力。”关于 Lam Research Lam Research Corporation 是一家为半导体行业提供创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。 Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每款先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)“关于 Lam Research Lam Research Corporation 是面向半导体行业的创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每个先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)“关于 Lam Research Lam Research Corporation 是面向半导体行业的创新晶圆制造设备和服务的全球供应商。Lam 的设备和服务使客户能够制造更小、性能更好的设备。事实上，如今几乎每个先进芯片都是采用 Lam 技术制造的。我们将卓越的系统工程、技术领导力和强大的价值观文化与对客户的坚定承诺相结合。Lam Research (Nasdaq: LRCX) 是一家财富 500 强® 公司，总部位于加利福尼亚州弗里蒙特，业务遍布全球。了解更多信息，请访问 www.lamresearch.com (LRCX-T)
技术硕士（ICT）VLSI 和嵌入式系统
超大规模集成 (VLSI) 是一个领域，其中我们看到数百万个晶体管嵌入到单个芯片中，该领域始于 20 世纪 80 年代初。VLSI 技术因其高封装密度、高速度和低功耗而变得更加流行。嵌入式系统是一个使用 VLSI 技术构建特定应用系统并满足用户要求的领域。 VLSI 和嵌入式系统已在航空航天、农业、汽车、消费电子、生物医学、模拟和数字 IC 等各个领域开辟了道路。根据 Handel Jones 博士提供的统计数据，国际商业战略 (IBS) (2015) 表明，到 2025 年，全球 VLSI/半导体市场规模将达到 6000 亿美元左右。该收入主要来自物联网 (IoT) 半导体硬件和传感器市场，约贡献 1100 亿美元，半导体代工、DRAM、闪存市场合计贡献约 2400 亿美元。同样，全球嵌入式系统市场预计到 2025 年将达到 1000 亿美元。因此，VLSI 和嵌入式系统在未来几年将发挥重要作用，提供最好的就业机会之一。
Tech-241219-Su-Thematic（Kenanga）
Technology OVERWEIGHT Riding the AI-propelled Wave ↔ By Cheow Ming Liang l cheowml@kenanga.com.my The semiconductor industry, which has been on an uptrend cycle since November 2023, is being fuelled by AI adoption, high-performance computing (HPC), and 5G deployment, thus driving strong demand for advanced logic chips, GPUs, and memory (DRAM and NAND 闪光）。的历史模式表明，上升趋势大约是一半，应延伸到CY25或CY26中期，这是WSTS估计的全球销售增长至CY25的全球销售增长到627B的支持。作为全球销售的历史份额的百分比，在最近的结果季节重新校准之后，CY24和CY25的KLTEC收入的共识预测出现在趋势之下。上行修订的空间可能是由正在进行的数据中心装修和与AI相关的需求飙升的驱动。inari（OP，TP：RM3.85），Natgate（OP，TP：RM3.10），KGB（OP，TP：TP：RM4.16）和PIE（OP，TP：RM6.85）仍然是我们的首选，仍然是我们的最高收入的能力和策略性的定位，使其成为当前的增长趋势，使他们成为了当前的增长趋势。
1996 年年度报告 - AnnualReports.com
以确保东芝的长期盈利能力。我们近年来采取的措施包括加速全球化、提高我们的生产力和竞争力以及抓住多媒体提供的机遇。今年及以后，我们必须专注于全球市场，促进具有成本效益的运营，并利用我们的企业优势创造具有高增长潜力的新产品和服务。在此过程中，我们还必须提高消费产品和其他部门的竞争力和盈利能力。I 加速全球化—为了迅速提升我们在当今日益无国界的市场中的竞争能力并取胜，东芝正在通过扩大海外生产、与领先的海外公司结成联盟以及增强全球营销能力来加速其全球化。在菲律宾，我们将于今年晚些时候开始生产主板、硬盘驱动器和其他 PC 组件。我们与 IBM 在美国的新合资工厂将于 1997 年秋季开始生产下一代 64 兆位 DRAM。1998 年，我们预计海外生产将超过综合产量的 25%，远高于目前的 17%。我们还在加强国际采购。1996 财年，东芝进口到日本的零部件和成品将增长 5%，达到 3600 亿日元。随着业务范围超越地区和国家界限，我们
估值 美光科技 - 当前学生
公司概况 美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 成立于 1978 年，历史悠久，是半导体行业的支柱。凭借其先进的 DRAM、NAND 和 NOR 闪存技术，美光科技是一家以内存和存储解决方案专业知识而闻名的公司，始终处于行业领先地位。其产品在计算机、服务器、手机、汽车系统和物联网设备中发挥着重要作用，因此该公司完全有能力从日益增长的数字化需求中获益。股票表现亮点 52 周最高价 $130.54 52 周最低价 $58.03 Beta 值 1.28 日均交易量 (3 个月) 2136 万 日均交易量 (10 天) 2581 万 股票亮点 市值 $1345.5 亿 流通股数 11.1 亿 每股账面价值 $39.63 每股收益 (TTM) $-3.43 市盈率 (TTM) N/A 股息收益率 0.38% 股息支付率 31.56% 公司表现亮点 ROA (2023) 1.70% ROA (2024E) 1.79% ROE (2023) -11.69% ROE (2024E) 3.46% 销售额 (2023) $155.4 亿 销售额 (2024E) $241.2 亿 财务比率 当前比率（MRQ）3.74 债务与股权之比0.30
2021-2023 年中央采购实体框架报告
AAEE 额外可实现能源效率 AS 辅助服务 ATE 额外交通电气化 BTM 电表后 CAISO 加州独立系统运营商 CAM 成本分配机制 CARB 加州空气资源委员会 CEC 加州能源委员会 CCA 社区选择聚合器 CCGT 联合循环燃气轮机 CHP 热电联产 CPM 容量采购机制 CPE 中央采购实体 CPP 临界峰值定价 CPUC 加州公用事业委员会 CSP 竞争性招标程序 CT 燃气轮机 DA 直接访问 DG 分布式发电 DR 需求响应 DRAM 需求响应拍卖机制 ED 能源部门 EE 能源效率 ELCC 有效负荷承载能力 EFC 有效灵活容量 ESP 电力服务提供商 ExD 特殊调度 FERC 联邦能源管理委员会 GHG 温室气体 HE 每小时结束 IE 独立评估员 IOU 投资者所有的公用事业 IEPR 综合能源政策报告 IRP 综合资源规划 IV 帝国谷 kW千瓦 LCR 本地容量需求
航空电子辐射硬度保证（RHA）指南
3D Three-dimensional ADC Analog-digital Converters Ag Silver APEX Advanced Photovoltaic Experiment APS Active Pixel Sensor ASET Analog Single-event Transient ASIC Application-specific Integrated Circuit BCH Bose–Chaudhuri–Hocquenghem BiCMOS Bipolar CMOS BJT Bipolar Junction Transistor BNL Brookhaven National Laboratory BoK Book of Knowledge Br Bromine CAD Computer-aided Design CCA Circuit Card Assembly CCD Charge-coupled Device CGS centimeter–gram–second CIS CMOS Image Sensor CL Confidence Level CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor CONOPS Concept of Operations COTS Commercial off the Shelf CRRES Combined Release and Radiation Effects Satellite CRUX Cosmic Ray Upset Experiment CTE Charge Transfer Efficiency DC Direct Current DDD Displacement Damage Dose DRAM Dynamic随机访问记忆DRM设计参考任务DSEE破坏性的单事件效应DSET DESED数字单事件瞬态DSNE设计规范，用于测试的EDAC错误检测和校正EEEE EEEE电气，电子，机电和电位电流ELDRE，并增强了低剂量评分的敏感性
能量分析用户指南
第 1 章：能源分析用户指南 能源分析工作流程 ......................................................................................3 构建和管理能源分析驱动程序 ......................................................................6 为能源分析准备目标 Linux* 系统 ........................................................8 为能源分析准备目标 Android* 系统 ........................................................9 为能源分析准备目标 Windows* 系统 .................................................. 10 Intel ® SoC Watch 命令行工具选项 ............................................................. 11 运行能源分析 ...................................................................................... 13 使用 Intel ® VTune ™ Profiler 查看能源分析数据 ............................................. 15 使用 Intel ® VTune ™ Profiler 解释能源分析数据 ............................................. 16 使用 Intel ® System Studio 运行能源分析 ............................................................. 19 使用 Intel ® System Studio 查看能源分析数据 ............................................. 23 将能源分析结果导入 Intel ® System Studio ............................................. 25 能源分析指标参考 ............................................................................. 26 可用核心时间 ............................................................................................. 26 C 状态 ............................................................................................. 26 D0i x 状态 .................................................................................... 27 DRAM 自刷新 ................................................................................ 27 能耗 (mJ)................................................................................... 27 空闲唤醒 .............................................................................................. 27 P 状态 .............................................................................................. 27 S0i x 状态 .............................................................................................. 28 温度.................................................................................................... 28 定时器分辨率 ...................................................................................... 28 C0 状态下的总时间 ............................................................................. 28 非 C0 状态下的总时间 ............................................................................. 28 S0 状态下的总时间 ............................................................................. 29 总唤醒次数 ............................................................................................. 29 唤醒次数.................................................................................................... 29 每个核心每秒的唤醒次数 ............................................................................. 29 法律信息.................................................................................................... 29
准分子激光投影光刻技术综述
本文回顾了准分子激光投影光刻技术的早期发展状况。尽管这些技术自 1982 年以来一直处于中等发展速度，但直到今年，它们对未来微加工的特殊力量和重要性才得到广泛认可。2 现在看来，随着进一步发展，这项相对被忽视的新技术可能会在未来十年为微电子行业提供大部分生产能力。具体而言，完全可以预见，正是凭借这项技术，光学技术可以扩展到实现接近 0.25 J.1m 尺寸的生产吞吐量，远远超过去年为 x 射线和粒子束光刻保留的范围。也有可能这项技术将成为终极光学技术，达到基本材料限制最终将要求脱离光学光刻的地步。对未来光刻的需求是强烈的。在撰写本文时，可以使用商用步进重复系统生产 4 Mbit 动态随机存取存储器 (DRAM)，无需子场拼接。这项任务已经需要现存最接近完美的宽场成像光学系统，用于任何商业用途。16 Mbit 和 32 Mbit 芯片将需要 - 10 9 个光场像素，是这些系统的两到四倍。正如下面所示，开发合适的紫外 (UV) 准分子投影系统的挑战绝非易事。
2025异质整合路线图（HIR）8th ...
在洛杉矶。在2023 - 4年，他担任美国商务部的任务，担任国家高级包装制造计划的主任，在那里他为国家包装命令制定了基础战略。他是异质整合和性能缩放中心（UCLA芯片）的创始主任。在此之前，他是IBM研究员。他的主要技术贡献是开发了世界上第一个SIGE基础HBT，盐盐，电气保险丝，嵌入式DRAM和45NM Technology节点，用于使第一代真正的低功率便携式设备以及第一个商业插入器和第一个商业插入器和3D集成产品。自加入UCLA以来，他一直在探索新的包装范式和设备创新，这些范式可能会启用晶圆尺度架构，内存模拟计算和医学工程应用程序。他是IEEE，APS，IMAPS和NAI的院士，也是IEEE EDS和EPS的杰出讲师。他是IIT孟买的杰出校友，并于2012年获得了IEEE DANIEL NOBLE奖章，并获得了2020年IMAPS Daniel C. Hughes Jr Memorial Award和2021年IMAPS杰出教育家奖。艾耶教授也是班加罗尔IISC的Makrishna Rao访问主教教授。