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本文回顾了准分子激光投影光刻技术的早期发展状况。尽管这些技术自 1982 年以来一直处于中等发展速度，但直到今年，它们对未来微加工的特殊力量和重要性才得到广泛认可。2 现在看来，随着进一步发展，这项相对被忽视的新技术可能会在未来十年为微电子行业提供大部分生产能力。具体而言，完全可以预见，正是凭借这项技术，光学技术可以扩展到实现接近 0.25 J.1m 尺寸的生产吞吐量，远远超过去年为 x 射线和粒子束光刻保留的范围。也有可能这项技术将成为终极光学技术，达到基本材料限制最终将要求脱离光学光刻的地步。对未来光刻的需求是强烈的。在撰写本文时，可以使用商用步进重复系统生产 4 Mbit 动态随机存取存储器 (DRAM)，无需子场拼接。这项任务已经需要现存最接近完美的宽场成像光学系统，用于任何商业用途。16 Mbit 和 32 Mbit 芯片将需要 - 10 9 个光场像素，是这些系统的两到四倍。正如下面所示，开发合适的紫外 (UV) 准分子投影系统的挑战绝非易事。
准分子激光投影光刻技术综述
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