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热处理对使用激光粉末沉积修复的磨损轨道的微观结构和硬度的影响
经常更换磨损的铁轨在轨道上带来了巨大的经济负担，这也引起了铁路运营的重大干扰。通过激光粉末沉积（LPD）恢复磨损的导轨可以大大降低相关的维护成本。这项研究的重点是使用LPD来修复标准美国铁路的破产。最小硬度为85 hrb的304L不锈钢沉积物的微观结构由奥氏体，d -frerite和Sigma组成。微孔分散在整个沉积物中，并在轨道沉积界面上发现了微裂纹。珠光体导轨底物的中度硬度为94 hrb。珠粒，珠光皮热影响区的最大硬度为96 hrb，对于典型的导轨仍低于97 hrb的最小硬度。要增加硬度或以上97 HRB并减轻微结构缺陷，AS修复的导轨进行了热处理过程。AS处理的导轨的平均硬度显着增加，即103 hrb。此外，将多孔和粗粒沉积材料转化为可渗透和细粒度的微观结构。然而，热处理加强了轨道沉积界面的微裂纹，并导致了马氏体形成并增加了父轨中的微孔。在热处理和预热期间，基本导轨的隔离为有问题结果的解决方案。最终发现LPD过程是修复导轨的有前途的技术。2021 Tongji大学和Tongji大学出版社。 Elsevier B.V.的发布服务 这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。2021 Tongji大学和Tongji大学出版社。Elsevier B.V.的发布服务这是CC BY-NC-ND许可证（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章。
评估帕金森氏症脑铁沉积的疾病定量敏感性映射与双能CT和
缩写：AALV3¼解剖自动标签版本3；曲线下的AUC¼区域； Ca¼尾状核； DECT¼双能量CT; GP¼Globuspallidus; HC¼健康对照； MNI¼MONTREAL神经学院； MSV¼磁敏感性值； pd¼帕金森病； pu¼putamen; QSM¼定量敏感性映射； Rn¼红色核； ROC¼接收器操作特征； Sn¼根尼格拉氏病阿金森疾病（PD）是一种神经退行性疾病，会导致多巴胺能神经元的进行性死亡，而在尼格拉乳纹状体系统中具有过多的铁沉积是主要因素。1-3因此，对大脑中铁沉积的评估和监测对于PD患者尤其重要。验尸研究和动物研究都巩固了脑铁的沉积与磁性
面向芯片的选择性钴原子层沉积...
为了满足人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等数据密集型应用的需求，需要更紧密的集成以最大限度地减少电气互连延迟和能耗。遗憾的是，随着器件规模缩小，片上互连寄生效应变得越来越重要，因此纳米级 CMOS 技术的传统器件规模缩小正在放缓。因此，人们对 3D 异构集成技术的兴趣日益浓厚，台积电的 SoIC [1] 和 AMD 的 3D V-Cache [2] 技术就是明证。3D 异构集成技术具有高密度互连、带宽和低功耗的潜力 [3]，但由于材料和小尺寸，键合技术存在局限性，这可能会带来挑战。例如，μ 凸块已采用回流或热压工艺制造，然而，随着其间距缩小，凸块下金属化 (UBM) 厚度开始成为瓶颈 [4- 5]。
多主元素合金的定向能量沉积
随着使用计算和数据密集型方法探索多主元合金 (MPEA) 的努力不断增加，预测材料特性的实验实现和验证需要对这些合金进行高通量和组合合成。虽然增材制造 (AM) 已成为解决这些挑战和通过零件制造进行快速原型设计的主要途径，但开发和理解工艺-结构-性能相关性的广泛研究迫在眉睫。特别是，基于定向能量沉积 (DED) 的 MPEA AM 前景广阔，因为功能分级组件制造以及表面熔覆的成分变化可能无限。我们分析了 MPEA 的 DED 的最新努力、各种过渡和难熔元素的激光金属沉积过程中的微观结构演变，并评估了各种加工参数对材料相和性能的影响。我们的努力表明，开发用于工艺参数选择的稳健预测方法和修改合成机制对于使 DED 平台能够重复生产无缺陷、稳定和设计 MPEA 至关重要。
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入
原子层沉积：综合指南
原子层沉积 (ALD) 是一种薄膜沉积技术，已广泛应用于半导体行业，用于生产微电子和其他设备。ALD 的独特之处在于它通过一次沉积一层原子层来精确均匀地沉积材料层。本文全面概述了 ALD，包括其历史、原理、应用和当前的最新研究成果。随着各行各业对高质量薄膜的需求不断增加，ALD 的前景一片光明，使其成为生产先进设备和系统的有前途的技术。
激光定向能量沉积制备Ti-Zr-Mo合金的组织与性能
摘要：二元Ti-Zr同质合金因具有高结构稳定性和良好成形性而成为激光定向能量沉积的潜在候选材料。针对其强度不足的问题，基于团簇模型设计了一系列不同Mo含量的Ti-Zr-Mo合金，并利用激光定向能量沉积技术在高纯钛基体上制备了该合金。研究了Mo含量对激光定向能量沉积合金组织和性能的影响。结果表明，所有设计合金的组织均为近等轴β晶粒，无明显织构。然而，随着Mo含量的增加，晶粒逐渐细化，晶格常数逐渐减小，有效提高了设计合金的硬度、强度、耐磨性和耐腐蚀性，但略微削弱了延展性和成形性。从性能和成形质量来看，Ti 60.94 Zr 36.72 Mo 2.34（at.%）合金的力学性能、摩擦学性能、化学性能和成形性能匹配良好，广泛应用于航空发动机零部件。
使用聚合物作为抑制层的二氧化钌薄膜的低温区域选择性原子层沉积
与其他过渡金属氧化物相比，RuO 2 具有独特且有前途的性能。RuO 2 因其卓越的异相催化 [1] 和电催化 [2] 能力而闻名。它是一种导电性极强的氧化物（≈ 35 µΩ cm），电阻率与钌金属相当。这种材料的化学和热稳定性增加了它的吸引力。此外，钌的稀缺性和高成本要求我们了解 RuO 2 的微观特性。[3] RuO 2 薄膜具有低电阻率、优异的扩散阻挡性能、高温稳定性和耐化学腐蚀性，在大规模集成电路中有着广泛的应用。[4,5] 除了 Ru 之外，RuO 2 还可用作铜沉积的种子层。 [6,7] 它具有比 Pt 更好的蚀刻能力，这意味着 RuO2 可以借助 O2/CF4 放电中的反应离子蚀刻 (RIO) 轻松图案化。[8] 最近还有研究表明，RuO2 可以作为下一代 Ru 基互连中 Ru 扩散的优异阻挡层。[9]
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]