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通过线性和圆偏振拉曼光谱研究手性碲的晶格动力学：晶体取向和手性
a IHP–Leibniz-Institut fu¨r innovative Mikroelektronik，Im Technologiepark 25，15236 Frankfurt (Oder)，德国 b Istituto Italiano di Tecnologia – Materials Characterization Facility，热那亚 16163，意大利 c CIC nanoGUNE BRTA，20018 Donostia-San Sebastia´n，巴斯克地区，西班牙。电子邮箱：b.martingarcia@nanogune.eu d IKERBASQUE，巴斯克科学基金会，48009 Bilbao，西班牙 † 可用的电子补充信息 (ESI)：化学蚀刻过程中的 Te 晶体照片和所研究 Te 晶体蚀刻坑的光学图像；关于拉曼数据采集条件和硅 (100) 极化测试的对照实验；交叉配置中角度相关的线性偏振拉曼光谱测量；线性偏振拉曼光谱的拉曼张量分析；以及 (100) 和 (110) 平面的圆偏振拉曼光谱测量。请参阅 DOI：https://doi.org/10.1039/d3tc04333a
扩大连接组学研究规模 - Wellcome Trust
Lucy Collinson 博士是一名电子显微镜专家，拥有微生物学和细胞生物学背景。她拥有医学微生物学学位和博士学位，并在医学研究委员会 (MRC) 分子细胞生物学实验室 (UCL) 和伦敦帝国理工学院与 Colin Hopkins 教授一起进行博士后研究，研究哺乳动物细胞中溶酶体相关细胞器的膜运输途径，使用光学和电子显微镜作为关键技术。自 2004 年以来，她先后在伦敦大学学院和英国癌症研究中心伦敦研究所管理一系列生物电子显微镜设施，该研究所于 2015 年成为新弗朗西斯克里克研究所的一部分。她与一支电子显微镜专家和物理学家团队一起，负责监督克里克研究所内 60 多个研究小组的 100 多个研究项目，对从蛋白质到整个生物体的多个尺度进行成像。她在显微镜和技术开发方面的兴趣包括体积电子显微镜、相关成像技术、低温显微镜、X 射线显微镜、图像分析以及显微镜设计和原型设计。她的团队正在利用公民科学收集数十万个电子显微镜图像注释，以训练深度机器学习算法，通过 Zooniverse 平台上的 Etch a Cell 项目自动识别电子显微镜图像中的细胞器。她与他人合作撰写了 100 多篇研究和评论论文，发表了 70 多场受邀和主题演讲，并担任 30 多个高级成像国际顾问委员会、小组和委员会成员。
132630617.pdf
在这里，我们提出了一种自动干燥方法，用于在目标样品中指定的设备上传输石墨烯碎片（称为石墨烯优惠券）。在我们的方法中，首先将源基板上的石墨烯（SI基板上的300nm SIO 2）进行了图案化。然后将沟槽蚀刻在Sio 2层中，距离石墨烯图案10 µm。随后，定义了保护石墨烯优惠券并向硅底物形成系的光孔掩模（TI35E）。（图1A，B分别显示顶部和侧视图）。然后将样品浸入缓冲的氧化物蚀刻中，以低估300 nm SiO 2层，并释放具有抗性顶部的石墨烯优惠券。然后将准备好的源样本和目标样品加载在传输打印机（X-Celeprint，µTP-100）中的专用阶段。图1C显示了传输打印机，包括源和目标样本的源和目标阶段以及清洁板。转移是使用连接到邮票支架中的玻璃板上的PDMS邮票完成的。此邮票持有器具有准确移动到阶段上方的能力。
Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y
在这项工作中，我们展示了如何使用A-Lith来制造悬浮的单层石墨烯。通过热蒸发在第二个金属沉积步骤中添加了介电材料（SIO 2），并用作牺牲层。单层CVD石墨烯在金属/介电堆栈上传递的铜箔上生长的cVD石墨烯是在牺牲层的缓冲氧化物蚀刻之后通过临界点干燥步骤释放的。制造过程利用了A-Lith和光刻学，以对大底物上的一系列悬浮石墨烯结构进行模板，其中实现了沟槽宽度与沟槽深度约10的宽高比。这种悬浮的石墨烯设备可以用作机电开关，气体传感器和压力传感器[4]。在以前的工作中，考虑单层石墨烯的屈服强度阻碍了可靠性，这种系统通常依赖于多层石墨烯。基于机电设备的理论模型的沟渠纵横比的仔细设计允许更高的产量，而可以实现的几何形状与低压驱动石墨烯开关兼容[4，5，6]。
控制流环氧缝密封剂
厚的n tan“直接到裸机”额外的重型环氧缝封口机“终身保修”厚n tan被批准用于裸金属。将其应用于裸金属或催化两个部分环氧树脂或蚀刻底漆时具有巨大的粘附和密封能力。这个重型身体两部分环氧缝封密封剂是针对需要非下垂性能且需要快速处理的每日应用设计的。厚n-tan是比黑jik更高的粘度产品。因此，它具有更大的抗曲，并保留所有刷子标记或其他表面纹理。它不会流动。•与OEM匹配的棕褐色•获得裸机批准•非SAG和非流量•保留所有刷子标记•良好的灵活性•10分钟的工作时间•30分钟的油漆时间•带2个搅拌机喷嘴。•7.3 fl。oz。双盒“真正的站立接缝密封剂”接缝密封剂＃ctnt搅拌机喷嘴＃gtmn gun＃gtsu，＃gf-21
Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
钻石和相关材料
直接观察超大型望远镜的METIS仪器对系外行星和原始磁盘的直接观察将为行星形成和系外行星大气的过程提供新的见解。这是由于功能强大的矢量涡流冠状动曲，可以抑制星光以揭示周围微弱的信号。在这里，我们介绍了将相位掩膜处于冠状动脉核心的过程。这些环形凹槽相掩膜由钻石中的深层次波长组成，这些光栅使用具有强偏见的电感耦合氧等离子体蚀刻。METIS仪器所需的带宽比以前证明了此类com ponents的带宽，从而导致具有更高纵横比和更垂直壁的光栅设计。为了实现这一目标，用于钻石蚀刻的蚀刻面膜从铝更改为硅，并增加了血浆功率。我们还改进了减少成品成分的光栅深度以微调它们的方法。以及改进的光学测试，这使我们能够生成迄今为止为天文N波段展示的最佳涡旋相掩码。
具有相干自旋控制的单个碳化硅色心的 Purcell 增强
摘要：碳化硅最近被开发为光学可寻址自旋缺陷的平台。特别是，4H 多型体中的中性双空位显示出光学可寻址的自旋 1 基态和近红外光发射。在这里，我们展示了耦合到光子晶体腔的单个中性双空位的 Purcell 增强。我们利用纳米光刻技术和掺杂剂选择性光电化学蚀刻的组合来产生质量因子超过 5000 的悬浮腔。随后与单个双空位的耦合导致 Purcell 因子约为 50，表现为零声子线的光致发光增加和激发态寿命缩短。此外，我们测量了腔纳米结构内双空位基态自旋的相干控制，并通过动态解耦证明了扩展的相干性。这种自旋腔系统代表了使用碳化硅的可扩展长距离纠缠协议的进步，该协议需要来自空间分离的单个量子比特的不可区分光子的干涉。关键词：碳化硅、双空位、单自旋缺陷、珀塞尔增强、相干自旋控制、光子晶体腔
2021年度报告
我们的自定义材料解决方案使制造半导体必不而图的最高水平。当我们的客户介绍更复杂的架构并寻找具有更好的电气和结构属性以提高设备性能的新材料时，他们依靠Entegris作为可信赖的合作伙伴来应对这些挑战。我们了解这些挑战，并具有解决方案来解决这些挑战，例如我们的先进沉积材料，植入气体，配制的清洁化学和选择性蚀刻化学。我们的客户还需要在其制造过程中更大的端到端材料纯度和完整性，当与较小的维度和更复杂的体系结构结合使用时，可能会具有挑战性。为了实现新金属的使用和芯片的进一步微型化，并最大程度地提高产量并提高了长期设备的可靠性，我们提供了诸如先进的液体和气体过滤和纯化产品等产品，这些产品有助于在整个半导体供应链中选择性地去除新的污染物类别。此外，为了确保整个供应链中的纯度水平，从批量制造到通过晶圆厂运输到运输，再到晶圆上的应用，我们提供高纯度包装，流体监控和材料处理产品。
![arxiv：2503.04366v1 [physics.optics] 6 3月6日2025](/simg/e\e219fc1de31615ce9d083129aac13138647290f7.webp)
arxiv：2503.04366v1 [physics.optics] 6 3月6日2025
带有Moir'E超级晶格的纳米光子设备目前由于光子的独特性和高效率控制而引起了广泛的兴趣。到目前为止，实验研究主要集中在单层设备上，即，将两个或多层光子晶体图案合并并蚀刻在单一材料中。相比之下，具有多层材料的扭曲的光子晶体在纳米化技术中引起了挑战，因为上层材料的生长通常需要没有纳米结构的光滑底层。在此，我们在石墨/Si 3 N 4异质结构中制造了扭曲的杂波光子晶体。我们使用干燥转移方法将石墨堆放在底部Si 3 N 4的顶部，并具有预蚀刻的光子晶体图案。选择性干蚀刻食谱用于蚀刻两个光子晶体层，从而提高了对齐的质量和准确性。在实验中清楚地观察到了从Moir´e位点的可见波长约700 nm处的腔光子模式。这些结果揭示了杂词纳米光量设备的实验图，并为在新的自由度下设计灵活性和控制光子开辟了道路。