机构名称：
¥ 1.0
在这项工作中，我们展示了如何使用A-Lith来制造悬浮的单层石墨烯。通过热蒸发在第二个金属沉积步骤中添加了介电材料（SIO 2），并用作牺牲层。单层CVD石墨烯在金属/介电堆栈上传递的铜箔上生长的cVD石墨烯是在牺牲层的缓冲氧化物蚀刻之后通过临界点干燥步骤释放的。制造过程利用了A-Lith和光刻学，以对大底物上的一系列悬浮石墨烯结构进行模板，其中实现了沟槽宽度与沟槽深度约10的宽高比。这种悬浮的石墨烯设备可以用作机电开关，气体传感器和压力传感器[4]。在以前的工作中，考虑单层石墨烯的屈服强度阻碍了可靠性，这种系统通常依赖于多层石墨烯。基于机电设备的理论模型的沟渠纵横比的仔细设计允许更高的产量，而可以实现的几何形状与低压驱动石墨烯开关兼容[4，5，6]。
Abigail Nieves Delgado b i o g r a p h y
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