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二维磁性半导体 CrPS4 中的栅极控制磁输运和静电磁性调制
使用场效应晶体管 (FET) 来探索具有传输测量的原子级薄磁性半导体是困难的，因为大多数 2D 磁性半导体的极窄带会导致载流子局域化，从而阻止晶体管工作。本文表明，CrPS 4 的剥离层（一种带宽接近 1 eV 的 2D 层状反铁磁半导体）可以实现在低温下正常工作的 FET。使用这些设备，可以测量电导率作为温度和磁场的函数，以确定完整的磁相图，其中包括自旋翻转和自旋翻转相。确定了磁导率，它在很大程度上取决于栅极电压。在电子传导阈值附近达到高达 5000% 的值。尽管研究中使用的 CrPS 4 多层厚度相对较大，但栅极电压还可以调整磁态。结果表明，需要采用具有足够大带宽的二维磁性半导体来实现正常运行的晶体管，并确定一种候选材料来实现完全栅极可调的半金属导体。
军用固态继电器选择指南
CD 系列光隔离、短路保护直流固态继电器 CD 固态继电器采用最新的 FET 技术，提供低导通电阻。控制电路经过缓冲，可直接从标准 CMOS 或开集 TTL 逻辑电路驱动继电器。可用选项包括短路、电流过载保护和控制状态。这两个选项可作为标准功能一起提供或单独提供。
和微观结构技术讲师（S）部门
5。1d纳米结构，纳米线。融合方法：纳米线大小控制原理。分子和纳米结构的自组织。自组装结构的生长和控制技术在有机电子中进行自组织：在自组织分子的应用中的优势和缺点，层制造，langmuir-blodgett层，体积，有机太阳能细胞和FET的自组织。
基于C–Pd层场效应晶体管的氢传感器
ISFET（离子敏感场效应晶体管）微传感器广泛用于 pH 值测量以及分析和生物医学应用。同时，ISFET 是测试各种材料在敏感膜中的应用的良好候选者。例如，含有 Pd 纳米晶体 (C-Pd) 的氢敏感碳质薄膜使这种材料非常适合传感器应用。选择了一种经济高效的硅技术来制造 n 沟道晶体管。将这些结构耦合到专门设计的双面 PCB（印刷电路板）支架上。支架使该结构能够组装为自动支架的一部分。MIS 结构生产的最后一步是沉积 C-Pd 层。C-Pd 薄膜采用物理气相沉积 (PVD) 法制造，其中蒸发了 C60 和醋酸钯。在具有 C-Pd 薄膜的结构与氢相互作用期间测量了它们的电阻。最后，展示并描述了一种新型高灵敏度场效应晶体管（FET）氢传感器，该传感器带有碳-钯层。关键词：场效应晶体管，碳-钯层，氢传感器，场效应晶体管。
使用Bcl3等离子体衍生的自由基对MOS2进行三维表面处理
ABSTRACT: The realization of next-generation gate-all-around field-effect transistors (FETs) using two-dimensional transition metal dichalcogenide (TMDC) semiconductors necessitates the exploration of a three-dimensional (3D) and damage-free surface treatment method to achieve uniform atomic layer-deposition (ALD) of a high-k dielectric film on the inert surface of a TMDC channel.这项研究开发了对MOS 2的BCl 3等离子体衍生的自由基处理，以使MOS 2表面功能化，以使超薄AL 2 O 3膜的随后ALD函数。微观结构验证证明，在平面MOS 2表面上大约2 nm厚2 O 3膜的覆盖范围，并使用从基板漂浮的悬浮的MOS 2通道确认了该技术对3D结构的适用性。密度功能理论计算由光学发射光谱和X射线光电子光谱测量值支撑，揭示了Bcl激进分子主要由BCL 3等离子体产生，并吸附在MOS 2上，并促进了Ultrathin Ald-Ald Ald-Ald 2 O 3膜的均匀成核。拉曼和单层MOS 2的光致发光测量以及底部门控的FET的电测量结果证实，由Bcl 3等离子体衍生的自由基治疗造成的可忽略不计。最后，证明了具有超薄ALD-Al 2 O 3（〜5 nm）栅极介电膜的顶部门控FET的成功操作，表明预处理的有效性。关键字：MOS 2，表面功能化，BCl 3等离子体，自由基，原子层沉积，高K介电
基础电子学的目标
单元 1：组件 14 小时 组件简介 – 无源组件和有源组件 – 电阻器、标准化、颜色编码技术、电阻器类型 – 电容器、电容器类型 – 电感器、电感器类型、特性和规格、变压器、变压器类型。 二极管 - 原子理论 – 硅和锗的结构 – 导体、半导体、绝缘体的能带图 – 本征和非本征半导体 – PN 结二极管 – 正向和反向偏置 PN 结的特性。 单元 2：特殊二极管及其应用 8 小时 特殊二极管 – 齐纳二极管 – 发光二极管 (LED) – 光敏二极管 (LDR)。 整流器 – 半波和全波（桥式和中心抽头）整流器 – 纹波系数 – 整流器的效率和滤波电路。第 3 单元：晶体管和偏置方法 17 小时 双极结型晶体管 – 晶体管结构 – PNP 和 NPN 晶体管 – 工作模式 – 共基极配置 (CB)、共发射极配置 (CE)、共集电极配置 (CC) – 晶体管参数 – α 和 β 之间的关系 – 偏置方法 – 固定偏置 – 集电极-基极偏置 – 发射极偏置场效应晶体管 – FET 的分类 – BJT 和 JFET 的比较研究 – FET 的优点和缺点 – JFET 的结构 – JFET 特性 – MOSFET（增强和耗尽）
BQ41Z90 高度集成的 3–16 节电池电量监测计，具有 IT-DZT 算法和 ECC 认证功能 数据表 (Rev. A)
• 高度集成的电池组管理器，适用于 3 至 16 节串联电池应用 – 超低功耗 32 位 RISC 处理器 – 最多可对 16 节串联电池进行 ADC 测量，容差为 80V – 高精度 SoC 和 SoH，具有动态 Z Track ™ 测量算法 – 基于证书的安全保护闪存 • 带有两个独立 ADC 的精密模拟前端： – 高精度 18 位积分 delta-sigma 库仑计数器 – 带有输入转换和多路复用器的高精度 16 位 delta-sigma – 支持同时进行电流和电压采样 – 支持最多八个外部热敏电阻测量和一个内部温度传感器 • 强大的高端 NMOS FET 驱动器，具有快速开启和关闭时间 • 电荷泵支持预充电和预放电 NMOS FET 驱动器 • 并联配置支持可拆卸电池，带有独立的充电器和系统端口 • 电池平衡支持每节电池高达 50mA 的旁路电流 • 诊断寿命数据监视器和记录器 • 多主机通信支持：– I 2 C（高达 1MHz） – SMBus 3.2（高达 1MHz）• 多种电源模式，实现低静态电流运行• SHA-1、SHA-2 或 EC-KCDSA 身份验证，确保电池组安全
探索时间感知期间的大脑心脏相互作用
致谢：这项研究由欧盟，Horizon 2020框架计划，FET积极主动（VirtualTimes Consortium，授予协议ID：824128：Marc Wittmann）。VIRTUALTIMES — Exploring and modifying the sense of time in virtual environments — includes the following groups with the principal investigators Kai Vogeley (Cologne), Marc Wittmann (Freiburg), Anne Giersch (Strasbourg), Marc Erich Latoschik, Jean-Luc Lugrin (Würzburg), Giulio Jacucci, Niklas Ravaja （赫尔辛基），Xavier Palomer和Xavier Oromi（巴塞罗那）。
产品电子录像2023
1。来源 +管理供应商：采购，合同管理，供应商生命周期管理2。浏览目录 +申请订单：浏览目录（E-catalog），创建/修改/批准申请订单3。履行订单：修改申请订单，补货订单，丢弃货物，采购订单4。报告 +分析：临时和预定的报告5。工具箱：货运估计工具（FET）；预算管理系统（BMS-365），订单有希望的工具（OPT），质量保证管理系统（QAMS）6。联系信息：
层厚度和场效应迁移率对硒化铟光响应性的影响
理解和优化光活性二维 (2D) 范德华固体的特性对于开发光电子应用至关重要。在这里，我们详细研究了 InSe 基场效应晶体管 (FET) 的层相关光电导行为。使用 λ = 658 nm (1.88 eV) 的连续激光源在 22.8 nW < P < 1.29 μW 的很宽照明功率范围内研究了具有五种不同通道厚度（t，20 nm < t < 100 nm）的 InSe 基 FET。所研究的所有器件都显示出光电门控的特征，然而，我们的研究表明光响应度在很大程度上取决于导电通道的厚度。场效应迁移率 (μ FE ) 值（作为通道厚度 t 的函数）和光响应度 (R) 之间的相关性表明，通常 R 随着 μ FE 的增加（t 降低）而增加，反之亦然。当 t = 20 nm 和 t = 100 nm 时，器件的最大响应度分别为 ~ 7.84 A/W 和 ~ 0.59 A/W。在施加栅极电压的情况下，这些值可能会大幅增加。本文介绍的基于结构-性能相关性的研究表明，可以调整 InSe 基光场效应晶体管的光学性能，以用于与太阳能电池中的光电探测器和/或有源层相关的各种应用。