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超薄AL2O3保护层，以稳定无定形WOX薄膜的电致变色转换性能
尽管人口不断增长，并且主要能源需求的增加，但为了抵消全球气候变化，对节能和能够维持的技术的需求是增加优先级。[1,2]由于它们的多样性和多功能性，过渡金属氧化物在能源相关的应用中起着核心作用[3-7]，例如锂离子电池，超级电容器，照相和电含量和电载体或电元素或电代理（EC）设备。[8-17]为了稳定氧化物针对不希望的侧反应，可以使用薄的惰性保护层，如所示，例如，用于锂离子蝙蝠中的阴极材料。[18–21] EC设备具有在建筑业节能中发挥关键作用的潜力，该建筑业占欧洲能源征服的42％。[22,23]为此，电铬效应用于所谓的智能窗口。电色素是基于外部电压刺激的光吸收的可逆变化，这会导致（脱）对EC材料中电位的（例如H +，Li +或Na +）的（例如H +，Li +或Na +）的氧化还原反应。结果，材料中发生的着色或漂白过程。通常，EC材料可以分为两种不同类型。一种类型由所谓的阳极EC材料表示，其中离子的去分离会导致着色。其中包括Ni或IR的氧化物。[24]另一种类型是由阴极EC材料表示的。它们在离子插入时表现出着色。典型的代表是MOO 3或WO 3。氧化钨氧化物可以被视为最概述的EC材料，从那以后，它一直受到密集研究。[25–27]其阴极EC机制在离子插入时产生强烈的着色。因此，光态调节从不透明到深蓝色。根据
具有磁性和半导体性质的阳离子无序锰锡氮化物 MnSnN2 薄膜的组合合成
摘要：磁性半导体可能很快会提高微电子的能源效率，但具有这些双重特性的材料仍未得到充分探索。在此，我们报告了一种新的磁性和半导体材料 MnSnN 2 的计算预测和实现，通过薄膜组合溅射。掠入射广角 X 射线散射和实验室 X 射线衍射研究表明，MnSnN 2 表现出具有阳离子无序性的纤锌矿状晶体结构。这种新材料具有较宽的成分公差，单相区域范围为 20% < Mn/(Mn + Sn) < 65%。光谱椭圆偏振法确定光吸收起始点为 1 eV，与计算预测的 1.2 eV 带隙一致。电阻率测量与温度的关系支持了 MnSnN 2 的半导体性质。霍尔效应测量表明载流子密度与温度呈弱负相关，这表明电荷传输机制比原始半导体更复杂。磁化率测量表明 MnSnN 2 具有低温磁有序转变（≈ 10 K）和强反铁磁相关性。这一发现与块体阳离子有序 MnSiN 2 和 MnGeN 2 形成对比，在之前的研究中，它们在 400 K 以上表现出反铁磁有序。为了探究这种差异的起源，我们对阳离子有序和阳离子无序的 MnSnN 2 进行了蒙特卡罗模拟。他们发现阳离子无序降低了相对于有序相的磁转变温度。除了发现一种新化合物外，这项工作还表明，未来的努力可以利用阳离子（无）序来调整半导体材料中的磁转变，从而精确控制微电子特性。■ 简介
金属有机骨架薄膜和异质结构的 GIWAXS 表征：量化结构和方向
对于金属有机骨架 (MOF) 薄膜的光电应用，能够制造相对于基底表面法线高度取向的薄膜和异质结构非常重要。但是，如果没有足够详细的沉积薄膜结构表征，实现此目标的工艺优化将非常困难。结果表明，实验室系统的 2D 掠入射广角 X 射线散射 (GIWAXS) 数据对于提供此类表征大有帮助，并且可以 1) 比 1D 扫描更好地测试结构模型，2) 提供具有所需表面取向纹理（2D 粉末）的沉积薄膜部分的定量估计（可用于工艺优化），以及 3) 提供此类信息作为薄膜深度的函数（可用于异质结构表征）。本文在理解 MOF 薄膜的背景下介绍了 GIWAXS 数据收集和分析，然后展示了如何通过最小化溶液中的成核作用将通过蒸汽辅助转化制备的 UiO-66 的所需取向分数（2D 粉末分数）从 4% 提高到 95% 以上。最后，证明了一旦优化合成方案，就可以生长 UiO-66 和 UiO-67 的异质结构，其中两层都是高度有序的（UiO-66 83%，UiO-67 > 94%）。
高性能的底层纤维电离和压电纳米生成剂
1马德里材料科学研究所（ICMM）。 janon14 @@ ucm.s（J.G.）; hamorin@icmm.sic.s（H.A.）。材料，葡萄牙大街大学； vanovmaximem@ua.p.p）; pcferreira@ua。）; Paula* B.W.智能系统组。
集成在（111）Si
摘要：在我们最近发表的论文中（Y.-Y.Wang等人，高性能lanio 3-缓冲，（001）面向的PZT PIDZOELECTRICRICRICRICFMS集成在（111）Si，Appl。物理。Lett。 121，182902，2022），高度（001）面向的PZT纤维，据报道，在（111）SI底物上制备了较大的横向压电系数E 31。 这项工作对压电微型机电系统（Piezo-MEMS）的发展是有益的，因为（111）SI的各向同性机械性能和理想的蚀刻特性。 然而，在这些PZT薄膜中实现高压电性能的基本机制尚未彻底分析。 在这项工作中，我们在微观结构（XRD，SEM和TEM）中提供了完整的数据集，以及对这些薄膜的电气性能（铁电，介电和压电），典型的退火时间为2、5、10和15分钟。 通过数据分析，我们揭示了调整这些PZTFIM的电性能的竞争效果，即，消除时间增加了残留的PBO和纳米孔的增殖。 后者被证明是压电性能恶化的主导因素。 因此，最短退火时间为2分钟的PZT纤维显示出最大的E 31，F压电系数。 此外，可以通过纤维形态变化来解释性能降解10分钟，这不仅涉及晶粒形状的变化，而且还涉及大量纳米孔在其底部界面附近的产生。Lett。121，182902，2022），高度（001）面向的PZT纤维，据报道，在（111）SI底物上制备了较大的横向压电系数E 31。这项工作对压电微型机电系统（Piezo-MEMS）的发展是有益的，因为（111）SI的各向同性机械性能和理想的蚀刻特性。然而，在这些PZT薄膜中实现高压电性能的基本机制尚未彻底分析。在这项工作中，我们在微观结构（XRD，SEM和TEM）中提供了完整的数据集，以及对这些薄膜的电气性能（铁电，介电和压电），典型的退火时间为2、5、10和15分钟。通过数据分析，我们揭示了调整这些PZTFIM的电性能的竞争效果，即，消除时间增加了残留的PBO和纳米孔的增殖。后者被证明是压电性能恶化的主导因素。因此，最短退火时间为2分钟的PZT纤维显示出最大的E 31，F压电系数。此外，可以通过纤维形态变化来解释性能降解10分钟，这不仅涉及晶粒形状的变化，而且还涉及大量纳米孔在其底部界面附近的产生。
特洛伊木马重复序列引发聚酯薄膜和瓶子化学回收
合成至少 5 g PET/TH - 至少 15 kDa - 分解为至少 25 wt % 单体。 - 至少 1 g 回收的单体/低聚物将重新聚合至至少 1 kDa（通过 GPC）并通过 DSC 进行表征。
用于高性能深紫外光电探测的微米厚氧化镓薄膜中的定向载流子传输 张文瑞, 1,2 * 魏瓦
微米级氧化镓薄膜中的定向载流子传输用于高性能深紫外光电探测 张文瑞 1,2 * 王伟 1 张金福 1 张谭 1 陈莉 1 王刘 1 张宇 3 曹彦伟 1 季莉 3 叶吉春 1,2 * 1 中国科学院宁波材料技术与工程研究所，浙江省能源光电子材料与器件工程研究中心，浙江 宁波 315201 2 甬江实验室，浙江 宁波 315201 3 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室，上海 200433 关键词：紫外光电探测器，宽禁带半导体，氧化镓，载流子传输，缺陷
基于计算机图形的PTFE复合传输膜的形态特征的定量测量
摘要：在本文中，对纳米-ZRO 2和聚醚酮2和聚醚酮（PEEK）颗粒填充的聚乙烯（PTFE）复合材料的摩擦学特性通过线性互换式摩擦和磨损实验机进行了摩擦测试。在材料的各个摩擦阶段获得了有关传递局面的摩擦学性能和光学图像的数据。MATLAB软件被用来制定转移胶体形态特征的定量分析程序。该程序可以增强传输图像的图像增强和形态处理，然后识别，提取和量化转移范围的几何和纹理特性，以分析特性的变化及其与材料摩擦学特性的关系的基础。结果表明，转移薄片的几何，形态和质地特征在摩擦过程中动态发展，各种摩擦阶段之间存在明显的差异，并且对材料的摩擦学特性产生了显着影响。定量分析表明，转移仪的某些形态和纹理特征的趋势（覆盖率，面积，直径，圆度，圆度，一致性和纹理熵）与PTFE复合材料的磨损抗性之间存在良好的相关性。因此，这些形态和纹理特征可用于量化转移效果的质量，并用作材料摩擦学特性的间接指标。
2023 年 EFM 上映的英国电影
简介：贝克特是一只娇生惯养的自私猫，他完全认为自己的幸运是理所当然的。然而，当他不小心失去了第九条生命时，一切都将改变。贝克特没有了生命，面对不可避免的命运，他恳求一切回到原来的样子。起初他的请求被拒绝，但在一次异常同情的时刻，“守门人”改变了主意，允许他带着一整套新生命回到地球。然而，他没有立即意识到，这些新生命中的每一个都会让他以各种不同的形式回归……每一个都教会了他宝贵而及时的教训。在这段旅程中，贝克特从光荣的自我陶醉的宠物变成了一个自我牺牲的英雄；因为有时你必须走很多不同的路才能找到最好的自己。
铝 (Al) 薄膜的电气特性
铝 (Al) 是地壳中最丰富的金属，是继氧 (O 2 ) 和硅 (Si) 之后第三大丰富元素。它呈银白色，具有高电导率和热导率，熔点为 660 0 C。铝已广泛应用于各种领域。在基底上蒸镀的铝膜是非球面镜最常用的表面涂层，因为铝在可见光区是良好的光反射器，在中红外和远红外 (IR) 区是出色的反射器 [1]。此外，铝在微电子技术中广泛用作欧姆接触、肖特基势垒接触、栅极电极以及互连线 [2]。铝还用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。在太阳能电池的制造中，铝被广泛用作背接触，因为它易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低器件背面的载流子复合率 [4,5]。在薄膜太阳能电池中，铝接触的高反射特性被利用作为光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了光（光子）在器件中的光路长度，从而增加了吸收率