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突破柔性电池的极限
随着柔性和可穿戴电子产品的快速发展，寻找可靠、安全、高能量的可充电柔性电池 (FB) 成为近年来的研究热点。尽管业界展示了一些 FB 原型，学术界报道的出版物数量也在迅速增加，但大多数演示都是在实验室规模上进行的，仍然很难找到该技术在市场上的真正应用。这一观点旨在讨论和分析将 FB 推向商业可行水平的关键指标，包括能量密度、灵活性和安全性，特别关注文献中报道最多的锂电池和锌电池。我们首先将现有锂基和锌基 FB 的 FB 品质因数 (fb FOM) 与市场应用的要求进行比较。然后，我们分析最理想的高灵活性电池配置，然后系统地讨论高能量密度 FB 的特性和材料选择。第三，我们讨论实现
基于标准单元的 CMFB，适用于完全可合成的 OTA
摘要：本文提出了一种完全基于标准单元的共模反馈 (CMFB) 环路，该环路具有显式电压参考，可提高伪差分标准单元放大器的 CMRR 并稳定直流输出电压。后一个特性允许对基于此类级联的运算跨导放大器 (OTA) 进行稳健偏置。报告了对 CMFB 的详细分析，以深入了解电路行为并得出有用的设计指南。然后利用所提出的 CMFB 构建适用于自动布局和布线的完全标准单元 OTA。参考商用 130 nm CMOS 工艺的标准单元库的模拟结果表明，当驱动 1.5 pF 负载电容时，差分增益为 28.3 dB，增益带宽积为 15.4 MHz。OTA 在 PVT 和失配变化下表现出良好的稳健性，并且由于面积有限，实现了最先进的 FOM。
使用高Q FANO共振的光学切换 -
摘要：在光学纳米结构的连续体（BIC）中发现结合状态已引起了重大的研究兴趣，并发现了光学领域的广泛应用，从而导致了实现High-Q（质量）FANO共振的有吸引力的方法。在此，通过有限元方法（FEM）设计和分析了由MGF 2底物上的四个磷化物（GAP）圆柱组成的全dielectric跨表面。通过打破平面的对称性，特别是通过将两个圆柱体移动到一侧，可以实现从对称性保护的BIC到Quasi-BIC的过渡。此转变使尖锐的双波段FANO共振在1,045.4 nm和1,139.6 nm的波长下激发，最大Q因子分别达到1.47×10 4和1.28×10 4。多极分解和近场分布表明，这两个QBIC由电动四极杆（EQ）和磁四极杆（MQ）主导。此外，可以通过更改入射光的极化方向来实现双向光学切换。结果，优点（FOM）的最大灵敏度和数字为488.9 nm/riU和2.51×10 5
多孔结构增强了无铅 - 无铅（BA0.85CA0.15）（ZR0.1TI0.9）的纵向压电系数和机电耦合系数O3
将孔隙度引入铁电陶瓷可以降低有效的介电常数，从而增强直接压电效应产生的开路电压和电能。然而，纵向压电系数的减小（D 33）随着孔隙率的增加，目前限制了可以使用的孔隙率范围。通过将排列的层状孔引入（Ba 0.85 Ca 0.15）（Zr 0.1 Ti 0.9）O 3中，本文在D 33中表现出与其密集的对应物相比，D 33中的22–41％增强。这种独特的高D 33和低介电常数的独特组合导致了明显改善的电压系数（G 33），功能收获（FOM 33）和机电耦合系数（k 2 33）。证明改进特性的基本机制被证明是多孔层状结构内的低缺陷浓度和高内极化场之间的协同作用。这项工作为与传感器，能量收割机和执行器相关的应用的多孔铁电剂设计提供了见解。
整骨操纵医学
目标：每个学生都将：•了解体细胞功能障碍与每个患者的问题的关系及其在每个临床环境中的重要性。•对患者护理的综合骨质疗法方法产生欣赏，包括对触诊诊断的利用和骨质疗法治疗。•在各种临床情况下，识别，治疗和管理患有躯体功能障碍的患者。•适当地了解每种情况下的预防措施，适应症和禁忌症。•标准格式的文档发现和程序（如整骨医学“ FOM”教科书中的基础中详细介绍）。如果诊所或医院政策不允许学生在永久性记录中记录记录，则预计学生将与图表分开写便笺，然后要求主持人批评它。•将OPP整合在常规患者护理中。•完成旋转的每个教学模块及其指定的测验。•列出的完整临床阅读和文献审查作业。•在“ NMM/OMM案例研究”下概述的基于案例的功率点表示。•维护执行OMT过程的日志。
嵌入式 MEMS 能量收集器的电气模型和性能
在大多数考虑的应用中，收集源信号的振动能量发生在特定的频带上，因此 MEMS 的频率响应需要足够宽的带宽。所研究的收集器的频率响应如图 5.a 所示，该图显示了在 MEMS 模型的负载下对一组偏置电压 V b 测得的电路输出功率。图 5a 清楚地表明了“软化”效应，其中谐振频率的降低随着 V b 的增加而减小，这与 MEMS 的实际行为一致 [3]。该模型还表明，我们可以在高偏置电压下达到较大的工作带宽，但代价是较低的 P peak 。该模型预测随着 V b 的增加，带宽会显著增加，P Peak 会呈非线性变化。它表明，MEMS 的最佳工作条件是偏置电压足够高（>30V），其中带宽足够大，V out 与其最大值（~10V）不会有显著差异。根据以上结果和观察，我们可以根据以前的研究 [6] 定义一个可靠的 FoM：
电荷平衡的垂直力量MOSFET具有记录的High Balliga功绩数字：设计与调查
摘要：在这项工作中，我们设计和模拟了具有电荷平衡漂移层的高性能垂直功率MOSFET，这调节了从超级二次到线性的RON-BV关系。所提出的设备是使用超级接线漂移层设计的，该层调节了从超级二次到线性的RON -BV关系。所提出的设备具有从超级接线漂移层隔离的源和通道区域。与Balliga的功绩相比，与其他常规设备相比，该设备的性能显着改善。一项2D TCAD仿真研究表明，外延层厚度为50μm的拟议装置显示，电阻为3.84MΩ.cm2，分解电压为833V，这是以前文献中在此故障电压下在先前文献中报告的电阻最低的电压。此外，还完成了电荷不平衡和电容分析的研究，包括计算门电荷。Balliga为所提出的结构的所有漂移厚度计算的Balliga值（FOM）的值显着超过了迄今为止报道的常规超级连接结构。
采用 ... 的 100 MHz BW 72.6 dB-SNDR CT 调制器
摘要 — 本文介绍了一种 28 nm CMOS 工艺的四阶 100 MHz 带宽连续时间 (CT) delta-sigma 调制器。介绍了一种初步采样和量化 (PSQ) 技术，该技术几乎可以充分利用量化时钟周期，从而在 0.65 过量环路延迟 (ELD) 系数下延长后端量化器 (QTZ) 的可用转换时间。使用 PSQ，后端 QTZ 的采样和量化分为粗采样和细采样两个步骤，类似于子范围架构以节省功耗。QTZ 以 2 GHz 运行，仅需 1.4 mW 功率即可实现 7 位 (1 b 纠错)。通过在前馈 (CIFF) 拓扑中的积分器级联中添加前馈 ELD 补偿路径，此设计中只需要一个数模转换器 (DAC)。该调制器的信号带宽为 100 MHz，信噪比 (SNDR) 为 72.6 dB，功耗仅为 16.3 mW（1.1 和 1.5 V 电源供电）。原型的动态范围为 76.3 dB，Schreier FoM 为 174.2 dB，有效面积为 0.019 mm 2 。
快速稳定锁相环 - Enlighten Publications
摘要 — 快速稳定锁相环 (PLL) 在许多需要快速获得稳定频率和相位的应用中起着关键作用。在现代通信标准中，这些 PLL 被广泛用于确保精确符合动态资源分配要求。在处理器中，这些 PLL 管理动态电压频率缩放。此外，快速稳定 PLL 加快了复杂电子雷达装置中频谱的扫描速度，这对成像和扫描雷达应用特别有利。这些 PLL 所表现出的快速响应也被用于量子技术，满足了对精确频率调整以有效操纵量子比特状态的迫切需求。本文将实现快速稳定 PLL 的策略主要分为五大类技术：增强型相位频率检测、混合多子系统、VCO 启动、变速和查找表或有限状态机。本文探讨了这些技术的基本操作原理，并介绍了文献中报道的每种方法的最佳稳定时间。最后，将根据这些技术的品质因数 (FoM)、稳定时间和调谐范围对采用这些技术的架构进行评估。
基于 28nm FDSOI CMOS 中新型紧凑型可调谐传输线 (CTTL) 谐振器的 3.1-51GHz、低于 8mW、单核 LC VCO
摘要 — 5G 标准的采用要求新的无线设备不仅支持传统的 RF 频段，还支持高达 40GHz 及以上的 mmW 频率。这种 mmW 硬件通常需要窄带 LC 谐振电路才能实现高效、低噪声运行。对于宽调谐的软件定义系统，由于缺乏实用的固态可调电感元件，无法实现多倍频程 LC 调谐，从而限制了软件定义无线电的 mmW 性能。在本文中，我们首次在未经修改的 28nm FDSOI CMOS 中提出了一种新型、紧凑、集中/分布式 LC 等效谐振器，该谐振器能够在超过四个倍频程的频率上进行连续调谐，同时保持实用的品质因数。该谐振器用于实现可从 3.1 GHz 调谐至 51GHz 以上的交叉耦合 LC VCO，所需面积小于 0.208mm 2，功率小于 8mW，并实现多倍频程可调 mmW VCO 的 -198.2dBc/Hz 的峰值 FOM T 最先进的水平。关键词 — 可调电路、数控振荡器、压控振荡器、毫米波、宽带、可调滤波器、5G、FMCW 雷达