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在大多数考虑的应用中，收集源信号的振动能量发生在特定的频带上，因此 MEMS 的频率响应需要足够宽的带宽。所研究的收集器的频率响应如图 5.a 所示，该图显示了在 MEMS 模型的负载下对一组偏置电压 V b 测得的电路输出功率。图 5a 清楚地表明了“软化”效应，其中谐振频率的降低随着 V b 的增加而减小，这与 MEMS 的实际行为一致 [3]。该模型还表明，我们可以在高偏置电压下达到较大的工作带宽，但代价是较低的 P peak 。该模型预测随着 V b 的增加，带宽会显著增加，P Peak 会呈非线性变化。它表明，MEMS 的最佳工作条件是偏置电压足够高（>30V），其中带宽足够大，V out 与其最大值（~10V）不会有显著差异。根据以上结果和观察，我们可以根据以前的研究 [6] 定义一个可靠的 FoM：
嵌入式 MEMS 能量收集器的电气模型和性能
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