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评估长期太空探索医疗铸造厂的药物净化成本
当前国际空间站机组人员的医疗保健系统存在长期太空任务医疗脆弱性，这些风险源于太空飞行加速的药物降解和补给滞后时间。生物再生生命支持系统可能是一种通过利用原位资源利用 (ISRU) 进行药物合成和纯化来弥补这一风险差距的方法。最近的文献开始考虑使用微生物和植物作为药物生命支持技术基础的生物 ISRU。然而，目前还没有对生物生产的药物用于人类医疗所需的加工和质量系统进行严格的分析。在这项工作中，我们使用等效系统质量 (ESM) 指标来评估长期太空探索任务的药物纯化加工策略。单克隆抗体代表了一种能够治疗多种太空相关疾病状态的多样化治疗平台，被选为本次分析的目标产品。我们研究了基于亲和力的单克隆抗体纯化捕获步骤的 ESM 资源成本（质量、体积、功率、冷却和机组人员时间），作为载人火星任务架构中的测试案例。我们比较了六种技术（三种生物捕获方法和三种非生物捕获方法），优化了调度以最小化每种技术的 ESM，并进行了情景分析以考虑一系列输入流组成和药物需求。我们还将基本情况的 ESM 与替代任务配置、设备模型和技术可重用性的情景进行了比较。在整个分析过程中，我们确定了药物生命支持技术开发的关键领域以及用于评估生物再生生命支持技术的 ESM 框架的改进。
铁和钢铁铸造区域来源（EQP3589）
大小的铸造厂。如果您的铸造厂是现有的来源，请确定2008日历年的金属熔体生产。如果产量等于或小于20,000吨，则您的铸造厂被认为很小。如果生产超过20,000吨，则认为它很大。如果您的铸造厂是一个新来源，并且年度熔体容量等于或小于10,000吨，则您的铸造厂被认为很小。如果超过10,000吨，则您的铸造厂被认为很大。年度金属熔体产量是指在给定日历年内，在铸造厂的所有金属熔炉中充电的金属总量。年度金属熔体容量取决于炉子是否允许空气质量部门允许使用炉子。如果不是，则可以通过假设炉子以每年8,760小时的方式运行来确定容量。如果允许它们，则容量由每年计算的最大允许生产率确定。如果许可证限制了炉的工作时间，则使用允许的小时将最大允许的金属生产速率用于年度。
ALAN A. LUO，博士，FASM，FSAE 铸造教育...
Alan Luo 是俄亥俄州立大学哥伦布分校材料科学与工程和集成系统工程（制造业）教授。Luo 教授领导着俄亥俄州立大学轻量化材料与制造研究实验室（LMMRL）并且是俄亥俄州立大学仿真创新与建模中心（SIMCenter）的指导委员会成员。Luo 教授是美国国际金属学会（ASM）和国际汽车工程师学会（SAE）的当选院士。在 2013 年 7 月加入俄亥俄州立大学之前，Luo 博士是通用汽车全球研发中心（美国密歇根州沃伦）的通用汽车技术研究员，拥有 20 年的行业经验。Luo 教授是国际公认的轻量化材料和加工领域的领导者，并且是两个国家制造业创新网络 (NNMI) 研究所的技术领导者：LIFT（面向未来轻量化创新）两个工艺支柱（熔体加工和热机械加工）的联合负责人；以及 REMADE（减少能耗与减少排放）研究所制造材料优化副节点负责人。
先进微晶圆代工厂 (AMF) 硅光子学制造
关于 CMC CMC Microsystems 拥有超过 35 年的提供多项目晶圆服务的经验，涉及一系列技术，包括先进微电子、光子学和 MEMS。CMC 总部位于加拿大，通过提供设计工具、原型设计、增值封装和组装服务以及内部专业知识来降低技术采用的障碍，从而打造出一次成功原型。
英特尔定制代工厂宣布赞助 MOSIS MPW
南加州大学信息科学研究所运营 MOSIS（金属氧化物半导体实施服务），提供金属氧化物半导体 (MOS) 芯片设计工具和相关服务，使大学、政府机构、研究机构和企业能够高效且经济地制作芯片原型。 MOSIS 服务正在与英特尔公司合作，通过英特尔定制代工厂为微电子设计社区提供 22nm FinFET 低功耗 (22FFL) 工艺技术。为了鼓励参与英特尔多项目晶圆 (MPW) 制造运行的 MOSIS 服务产品，国防部研究与工程副部长办公室 (OUSD(R&E)) 可信和保证微电子 (T&AM) 计划旨在潜在地赞助政府财政年度 (GFY)-2020 和 GFY-2021 的 MPW 运行。如果这些设计和/或设计工作与 T&AM 增强美国微电子开发能力的目标相辅相成，那么符合 R&E 微电子路线图对最先进 (SOTA) 技术需求的项目将被考虑进行补贴制造。
铝合金压力压铸铸造技术
美国财政部在 1 月底宣布，将解除 2018 年 4 月针对 En+、Rusal 和 JSC EuroSibEnergo 实施的制裁，这些公司目前均由奥列格·德里帕斯卡控制。美国政府做出这一重大决定的原因包括，除了对德里帕斯卡控制这些公司的批评之外，这一决定给全球铝市场带来了数月的不确定性和失望，其中一个突出原因是：美国总统希望通过一举重振国内铝行业，由于大量结构性原因，该行业处境艰难。我们从不掩饰对这场贸易冲突技术方面的批评，它几乎损害了所有人，首先是美国轻金属行业的绝大多数公司：只有一些美国原料金属生产商从关税和制裁战中获得了一定的好处，其余所有行业都为政府的选择付出了沉重的代价。无论如何，正如预期的那样，在德里帕斯卡退让几步之后（En+ 和 Rusal 这两家公司接受了来自美国和欧盟的独立人士进入其董事会等），最终决定逐步取消该条款，但由于美国民主党议员反对取消制裁，这并非没有内部政治困难。从我们的角度来看，铝行业的状况是
国防部可信铸造厂需求的长期战略
1.定义国防部系统所需的各种信任级别 2.根据系统内微电子所需的信任级别确定对国防部系统进行分类的方法 3.确定可以确保微电子信任的方法 4.确定增加有保证的微电子供应商基础的方法，以确保多种供应途径 5.对国防部未来几年的微电子需求进行评估，包括对可信赖的、抗辐射的微电子的需求 6.对国防部以外实体可能无法满足的微电子需求进行评估 7.确定确保访问可信赖的微电子所需的资源，包括基础设施劳动力和对科学技术的投资 8.制定研究和开发战略以确保国防部能够在最大程度上利用最先进的商业微电子能力或同等能力，同时满足信任需求 9。制定有关当局、法规和实践变化的建议，包括采购政策、财务管理、公私伙伴关系政策或任何其他相关领域，以支持实现战略目标
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺