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~q-~~.-. - 关岛立法机构
1.替代法案 2.委员会报告 3.证词：Paul Souder，关岛港务局主席 Greg Krogel，Esso Eastern, Inc.分行经理替代法案草案 GIAA 董事会决议，日期为 1996 年 9 月 26 日 PAG 董事会决议，日期为 1996 年 9 月 19 日 David O'Brien，壳牌关岛公司总裁 Calvin Holloway, Sr.，司法部长 Jay Sprague，关岛国际机场管理局执行经理 4.司法部长致参议员 Aguon 的信，日期为 1996 年 12 月 16 日 5.Steven Zamsky 致参议员 Aguon 的信，日期为 1996 年 12 月 16 日 6.致参议员 San Agustin 的信，日期为AG 于 1996 年 12 月 13 日发出的评估报告 7.埃索租赁摘要 8.GIAA 地图 9.GAA 与埃索东部公司之间的土地租赁协议 10.GIAT 工业园：RJ & Associates 于 1991 年 2 月 15 日作出的最新评估 11.PAG 地图 12.GEDA 于 1991 年 1 月 17 日致埃索东部公司的关于修订租赁费率的信函 13.PAG 评估部门于 1990 年 7 月 10 日作出的评估报告 14.GEDA 于 11 月 29 日向 PAG 发出的租赁修改和转让1988 15.BBMR 财政说明 16.签到表 17.广告 18.致会员的备忘录，日期为 1996 年 12 月 4 日 19.致旅游和交通法案 768 委员会的推荐信 Paul Souder（PAG 主席）致州长的信，日期为 1996 年 10 月 10 日 PAG 董事会决议，日期为 1996 年 9 月 19 日 Esso Eastern Inc. 和 Shell Guam Inc. 之间的租赁土地资产地点转让，日期为 1996 年 10 月 7 日 PAG 同意书，日期为 1996 年 10 月 4 日 关岛政府同意书，由州长和 Lt. 执行。GEDA 和 Esso Standard Eastern, Inc. 之间的州长转租协议1969 年 10 月 1 日 GEDA 与 Esso Standard Eastern, Inc. 在第 2 地块上签订的转租协议，1971 年 1 月 18 日 GEDA 与 Esso Standard Eastern, Inc. 在第 3A 地块上签订的管道和泵房建设与维护地役权转租协议，1986 年 7 月 11 日 GEDA 与 Esso Standard Eastern, Inc. 签订的转租协议。
（12）美国专利
US 11,016,119 B1 1 2 MONOLITHIC ATOMIC FORCE In view of the above problems , we proposed a novel class MICROSCOPY ACTIVE OPTICAL PROBE of probes for atomic force microscopy ( AFM active optical probe - AAOP ) by integrating a laser source and a photo CROSS REFERENCE TO RELATED detector monolithically into the AFM probe [ Actoprobe APPLICATIONS 5 2015 ] .AAOPS被设计为在召开AFM中使用，以通过包括本申请的索赔优先级和优先级来增强其功能，以上提到的仪器（NSOM，TERS，TERS，混合访问应用程序编号62 / 415,097于2016年10月31日提交，AFM）。 这些独特的光学探针的设计是根据整个披露，通过形式的传统AFM探针和参考。 10添加，同时提供有关纳米级样品的Opti cal特性的信息。 本发明概念的AAOP领域是基于单次结合二极管激光器和AFM探针的基础。 AAOP被设计为本发明与AFM显微镜和空腔探针有关的，即，AFM探针尖端是激光接近 - 场光学显微镜探针的一部分，尤其是15个腔。 AAOP由基于GAA的悬臂组成，其单片AFM活动光学探针能够执行安装在常规SI芯片上的AFM探针。 传统的AFM测量和光学成像，尽管在技术上可行，但纳米级的GAAS / SI杂交和光谱法。 硅，im和GAAS。 （DBR）镜子。62 / 415,097于2016年10月31日提交，AFM）。这些独特的光学探针的设计是根据整个披露，通过形式的传统AFM探针和参考。10添加，同时提供有关纳米级样品的Opti cal特性的信息。本发明概念的AAOP领域是基于单次结合二极管激光器和AFM探针的基础。AAOP被设计为本发明与AFM显微镜和空腔探针有关的，即，AFM探针尖端是激光接近 - 场光学显微镜探针的一部分，尤其是15个腔。AAOP由基于GAA的悬臂组成，其单片AFM活动光学探针能够执行安装在常规SI芯片上的AFM探针。传统的AFM测量和光学成像，尽管在技术上可行，但纳米级的GAAS / SI杂交和光谱法。硅，im和GAAS。（DBR）镜子。提出了严重的问题，可能会影响由于具有不同热膨胀常数的材料的粘结背景而产生的应变，即纳米级的光学表征当前需要NSOM（发明光学显微镜的接近 - 现场扫描摘要），TERS（TIP-增强的Raman Spectros副本）或Hybrid AFM（其中包括专门的FAR -FAR -FAR -FAR -FIEL -FIELD -FIELD 25本发明的对象都提供新型的光学显微镜）。class of probes for atomic force microscopy ( monolithic Attempts at integrating atomic force microscopy and AFM active optical probeML AAOP ) by integrating a optical techniques have already been made and several laser source and a photodetector monolithically into the products based on these schemes have found their way into AFM probe , based entirely on GaAs or similar lasing the market .可商购的，具有Inte-30材料的AFM尖端，从而避免使用有害的GAAS / SI杂化片状波导（空心尖端）。带有外部激光源[Celebrano 2009]。本发明构成了一种制造成本方法的方法，其固有的局限性就整体，集成的光学AFM探针而言。可以传递的最广泛的光学分辨率和光功率。用于原子力显微镜的使用的探针被制造得可实现高侧分辨率使用硅技术的接近磁场35的大小。此方法有限作为光学设备制造的基础。相比之下，ML AAOPS是孔需要减少的，因此导致完全由GAAS制造的指数，半导体材料的光电输出减少。具有最终分辨率和检测器功能的近距离显微镜的激光应用可以通过大约50 nm的外延生长来实现，但不适用于光学结构。边缘 - 发射激光二极管，轻度指南和EFFI光谱，由于功率输出较小。40个满足的光电探测器是通过对旨在更好地整合光区域（Epi-层）的活跃的其他方法来制造的，而AFM尖端是用源和AFM尖端制造的，通常涉及将特殊成长的GAAS外部外在过度层层附加到一个预先制动的光源（Edge Expriced semitter，vcse）的顶部（vcse vcse sepge a veriide a cert a py a veriide a cert a c。 AFM Cantilever探针（混合方法）[Bargiel Epi-激光结构的层。GAAS的选择是2006年，Kingsley 2008]或光源45的制造，直接在AFM尖端上直接在AFM尖端上建立的制造技术的基础[Heisig 2000a，Heisig，Heisig 2000b，nology，nology，允许时间和成本 - 有效的制造 - 有效的制造Hoshino Hoshino Hoshino 2008，Hoshino 2009，Hoshino 2009]。在这些情况下，探针的光学。本发明的实践很容易被探测到探针中。成本 - 有效地使它们负担得起，以实现本发明的说明性体现，即Tific社区。是在AFM尖端制造的激光波长[AN 2008]。杂种扩展到替代III -V半导体，例如INP，方法仅显示在研究实验室和GAP，GAP，GAS和GAN中起作用，以扩大可用的波长，很难想象如何将光学探针从UV到可见的和Mid -Midrared制造50个覆盖率。此外，在激光腔中常用的VCSEL由两种分布式bragg反射器定义，这种方法的光输出功率受到限制。第一个激光镜是标准的第一阶 - 另外，单个集成的光电视也具有dbr光栅（周期 / 2ng，其中h。< / div>光电探测器-55和NEF是仅GAAS波的有效折射率[AN 2008]不能解决指导的困难），该指标可确保将光源对齐在AFM尖端上的激光单个纵向模式，并进行要求。第二激光镜是降低检测器尺寸的第二个订单DBR，以实现位于悬臂末端的空间光栅（周期为n / neft）。IT分辨率直接与将用作用作折叠镜的要求矛盾，该镜子将光线（以获得高60 AVITY激光模式获得的最大可能的检测区域）垂直地进入Nansoscale上光学上的灵敏度水平的AFM尖端中。具有集成的LED光源和Pho-Ridge波导的AFM尖端顶部的特殊生长的GAA外延层层。尖端探头，光源（GAAS LED）被简单地粘在65本身上，是扮演悬臂芯片作用的总内反射棱镜。因此，激光产生的光已证明是todeTector [Sasaki 2000]，但是虽然将耦合到GAAS探针的表面模式（锥形光电探测器（锥形光电探测器）中）并转移到尖端顶点。这不足以满足需求 - 输出镜，第三镜，在激光腔中。高功率，单波长操作的精神。GAAS微型 - 棱镜将激光光引导到尖端顶点和
马萨诸塞州技术研究所关于...
在准备财务报表时，需要管理来评估是否存在总体上考虑的条件或事件，这使该研究所在发出财务报表之日之后的一年中继续担心该研究所的能力是一个持续关注的能力。审计师对合并财务报表审计的责任我们的目标是获得合理的保证，即合理的合并财务报表是否没有物质错误陈述，无论是由于欺诈还是错误，并发布了包括我们意见在内的审计师的报告。合理的保证是高度的保证，但不是绝对的保证，因此不能保证根据美国GAAS和政府审计标准进行的审计，在存在时始终会发现物质错误陈述。不检测欺诈引起的物质错误陈述的风险高于错误，因为欺诈可能涉及串通，伪造，故意遗漏，虚假陈述或内部控制的替代。错误陈述被认为是重要的。在根据美国GAA和政府审计标准进行审核时，我们：●在整个审计中行使专业判断并保持专业怀疑论。●确定并评估合并财务报表的重大错误陈述的风险，无论是由于欺诈还是错误，并设计和执行对这些风险有效的审计程序。此类程序包括在测试基础上检查有关合并财务报表中的金额和披露的证据。●获得对与审计相关的内部控制的理解，以设计在这种情况下适合的审计程序，但不是为了对研究所内部控制的有效性发表意见。因此，没有表达这种意见。●评估所使用的会计政策的适当性以及管理层做出的重大会计估计的合理性，并评估合并财务报表的整体呈现。●得出结论，在我们的判断中，是否有一些条件或事件在总体上考虑，这对研究所继续作为合理时期的持续关注的能力引起了重大怀疑。，我们必须与那些有关统治的人进行沟通，除其他事项外，审计的计划范围和时间，重要的审核调查结果以及我们在审计期间确定的某些与内部控制有关的事项。补充信息我们的审核是为了对整个合并财务报表形成意见。截至2023年6月30日截至年度的联邦奖励支出的随附时间表以及截至2023年6月30日截至年度的财务责任补充时间表
“FA 患者 iPSC 衍生的视网膜、感觉和皮质
方法” 首席研究员：Vania Broccoli 博士 - CNR-米兰神经科学研究所 - IRCCS Ospedale San Raffaele，米兰 弗里德赖希共济失调 (FA) 是一种遗传性神经退行性疾病，导致步态和肢体进行性共济失调、构音障碍、腱反射丧失、锥体征和脊柱侧弯，并伴有心肌病和糖尿病。在某些情况下，患者会出现听力障碍和因视神经萎缩导致的视力严重丧失。关于这种疾病病理机制的大部分研究都集中在小脑和背神经节感觉神经元的退化。人们对视觉功能障碍和视网膜神经元退化的根本原因知之甚少。 我们的小组从 2 名患有中度或重度 AF 神经症状的患者体内生成了重编程干细胞 (iPSC)，这 2 名患者分别因 Frataxin 基因中 GAA 性状的短暂或较大扩增而引起。在这个项目中，iPSC 细胞将分化为视网膜、感觉背神经节和大脑皮层的神经元，以研究细胞和线粒体的病理变化。通过比较分析，我们可以了解不同神经元类别中病理过程的进展和动态，这些神经元类别对 Frataxin 基因的失活更敏感（背神经节感觉神经元和视网膜神经元）或更抗性（大脑皮层神经元）。该项目的第二部分旨在利用 Cas9 蛋白生成“基因编辑”系统，目的是通过表观遗传机制重新激活沉默的 Frataxin 基因。通过这种方式，可以去除沉默基因的染色质修饰，诱导其启动子的重新激活和基因的重新表达。这种策略的优势在于，它能够以自身水平的表达激活内源基因，从而避免传统基因治疗方法中可能出现的基因过度表达引起的副作用。该系统的有效性将通过在患者成纤维细胞和疾病小鼠模型中重新激活 Frataxin 基因的能力来评估。还将研究 Frataxin 重新激活是否能够恢复以及在多大程度上恢复患者 iPSC 中存在的细胞和线粒体缺陷。该项目旨在通过使用患者干细胞生成受疾病不同影响的各类神经元，获得有关 FA 病理机制的新知识。此外，还将开发新的分子工具，可用于重新激活疾病中沉默的 Frataxin 基因，从而成为 AF 的新精准医疗治疗选择。 Tipo Ricerca：工作室预临床 Costo globale del Progetto 320.000 €，持续时间 2 anni（2022 年 4 月 – 2024 年 4 月）
在金属沉积过程中，MIM顶部金属剥离与过渡流相关的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，
对金属沉积过程中的MIM顶部金属剥离的研究Chang'e Weng，Tertius Rivers，Moreen Minkoff，Ron Herring，Richard Ducusin，Richard Ducusin，Jinhong Yang Yang和Joseph Chinn Qorvo，2300 Ne Brookwook Wookwwood，Ne Brookwood Parkway，Hillsboro，Hillsboro等503-615-9820关键字：MIM，过渡流，脱皮，溅射，金属，Knudsen编号，电容器泄漏相关测试失败的电容器摘要研究揭示了金属绝缘仪金属金属（MIM）顶部金属剥离和金属沉积工具之间的相关性。简介金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容是基于GAA的RF技术的重要组成部分1,2,3,4。MIM电容器由底部金属板，介电层和顶部金属板组成。MIM电容器的制造涉及多个过程步骤。互连金属零层通常用作MIM底板。在该金属下方或顶部的缺陷可能导致MIM电容器缺陷4。氮化硅或氧化物被广泛用作电容器介电层，并使用PECVD过程沉积。介电层厚度和粗糙度的变化直接影响电容器性能。蒸发或溅射的Ti/pt/au金属堆栈通常用作MIM顶部金属。由于MIM顶部金属通过层间介电VIA连接到下一个上部金属层，因此在MIM金属沉积过程中形成的缺陷也可能导致电容器和通过与通过相关的参数故障。由于MIM过程的复杂性，在过程中无法在串联检测到的缺陷可以在各种过程步骤中形成。过程取决于缺陷的性质和位置，过程控制监视器（PCM）和Diesort测试可以筛选出一些有缺陷的模具，但是除非使用更具破坏性的测试，否则可能无法检测到某些缺陷。MIM电容器的缺陷通过PCM和Diesort测试是一个可靠性的问题。手机制造商和RF设备制造公司的研究都表明，MIM电容器故障是许多早期现场故障的主要原因1,3,4。在Qorvo中，开发了一种电压斜坡方法来检测MIM电容器缺陷4。评估每个单个模具，并在低压区域4中筛选出缺陷的模具。通常需要改进过程来解决相关的测试失败。在本文中，我们讨论了迪索（Diesort）在迪索（Diesort）检测到的电容器泄漏故障的研究，该泄漏失败与MIM顶部金属剥离有关。
在体外评估癌细胞诱导的...
表面声波是局限于材料表面的机械波。这些波浪自然发生在地震期间，并且还经过设计用于微型设备，在传感和处理超高频率电信号中起着至关重要的作用。人造表面声波通常以数百MHz或更高的频率运行，波长在千分尺尺度上，并且表面位移的表面位移数百个皮仪 - 可与原子的大小相当。可以通过在压电材料上的互换能器的机电转换来进行这些波的激发。表面声波的损失可能很低，结合能够通过压电材料中的应变或电场将多个量子系统搭配到许多量子系统，最近已实现了量子声学领域的探索。在经典级别上，这种耦合都是可能的，其中大量相干的声子与量子系统相互作用，以及在量子级别，量子系统理想地耦合到单个声子。这不仅对量子物理学研究非常有意义，而且对于从量子传感到量子转导的应用，其中量子信号从一种类型的载体转换（例如光子）到另一个（例如声子）。在本文中，我们与GAAS上的表面声波一起工作，GAA既是压电材料，又是半导体。以这种方式，可以在托有Ingaas量子点的同一介质中生成表面声波，这些介质是光学活跃的量子系统。可以通过将声子限制在声腔中并将量子点放在光学微腔中以增强光学读数来增强表面声波和量子点之间的耦合。为此，我们在这里描述了一个包括声学腔和开放式光学微腔的平台，在不久的将来，该平台将用于使用Gigahertz表面声波和Ingaas Semicicductor量子点进行量子声学实验。由于多种损失机制，高铁表面声波腔的制造并不是微不足道的。由于系统的复杂性，有限的元素模拟是耗时的，并且不容易执行。因此，高铁表面声波腔的制造通常涉及基于迭代样品制造和表征的优化过程。在我们的情况下，我们通过电子束光刻和Al上的Al上的AL纳米表面声波杆纳米表面的声波杆。这些空腔在1 GHz下运行，并包含用于表面声波激发的插入式传感器。在第2章中，着重于表面声波腔的表征，我们建立了基于纤维的扫描光学干涉仪，用于测量GHz表面声波的位移的幅度和相位，以及在声学空腔中成像它们的空间分布。表面表面声波腔的表征通常是通过使用相同的用于波激发的相同二聚体换能器的全电测量进行的。我们通过成像表面声波腔中的横向模式我们发现此方法不完整，并且可能导致误导信息，尤其是关于腔体内声场的分布。
INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
GAAS1-XPX/SI1-YGEY/GE ...
卵子研究杂志。20，编号1，1月至2024年2月，第1页。 75-84 GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE三重连接太阳能电池的模拟和优化A. < /div>B. Azzououm B，A。Aissat A，B，C *，J。P. Vilcot C A艾哈迈德·德拉亚（Ahmed Draya），阿德拉尔（Adrar），阿尔及利亚B技术学院，Blida.1。Poincare Avenue，60069，59652 ASCQ的Villeneuve，法国本文着重研究和模拟GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE Y /GE三连接太阳能电池结构。首先，已经研究了与SIGE层相关的应变和带隙能。最佳锗浓度为0.88，应变约0.45％。然后，对上层GAAS 1-X P X /Si 0.12 GE 0.88的应变和带隙能的磷光浓度效应进行了优化。在室温下，最佳输出参数达到J SC = 34.41ma/cm 2，V OC = 1.27V，FF = 88.42％，η= 38.45％，吸收厚度为4.5µm，x = 0.47，菌株的菌株不超过1.5％。这项研究使我们能够设计高效，低成本的3J太阳能电池。（2023年10月23日收到； 2024年1月13日接受）关键字：半导体，效率，三连接，太阳能电池，光伏1.引言提高太阳能电池的效率会导致瓦特峰成本的降低[1]。在提供提高效率的技术中，我们发现了多期太阳能电池。但是，这些配置的制造成本仍然昂贵。后者基于一组具有不同带隙能的半导体材料的堆叠，该布置旨在吸收太阳光谱的最大值[2]。实际上，基于III-V化合物材料的多期太阳能电池提高了效率，并且似乎是光伏应用的未来。越来越多，它们已成为最前瞻性的太阳能技术[3,4]。降低成本所采用的技术之一是使用硅底物。因此，单层生长的GAASP/SI细胞可能是为空间应用提供低成本和高效率太阳能的合适候选者。，尽管在实验中众所周知，由于晶格不匹配高和热膨胀系数的巨大差异，很难用硅生长III-V材料[5-8] [5-8]。一种有希望的方法来克服这些限制并提高IIII-V 3J 3J太阳能细胞的效率，而不是使用Dermanium元素，而不是使用底层硅元素。锗的特征是直接带隙能在300K时为0.66 eV，因此吸收边缘比Si陡峭，SI陡峭，太阳辐照度光谱和低成本材料的光谱重叠更大。此外，锗元素可以与晶格匹配与III-V材料一起生长。这种优势使其成为吸收低能光子的有前途的材料[9,10]。由于这些最后的原因，在目前的工作中，锗被用作底部细胞。Fadaly等。此外，如[12]中报道，详细阐述了实验结构GAA 0.79 p 0.21 /si 0.18 ge 0.82双连接太阳能电池。将SIGE作为IIII-V顶部太阳能电池和底部电池之间的缓冲层的整合可以减少III-V核的位错界面，并提供高质量的底部太阳能电池。[11]证明了Si 1-ge Y合金的计算寿命接近III – V组半导体的寿命，因为从理论上讲，它们可以结合直接的带隙，波长态度和强烈的光学转变[11-13]。为了增强其表演的目标，三连接是 *通讯作者：sakre23@yahoo.fr https://doi.org/10.15251/jor.2024.201.75
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