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使用1550 nm泵送非线性光电导率GAAS元面的连续波Terahertz检测
摘要：Terahertz（THZ）连续波（CW）光谱系统可以通过拍摄高性能电信（1530-1565 nm）激光器来提供极高的光谱分辨率。然而，这些系统中的典型THZ CW检测器使用狭窄的带隙光电导体，这些光接合器需要精心生长并产生相对较大的检测器噪声。在这里，我们证明了纳米结构的低温种植GAA（LT-GAAS）的跨表情中的两步光子吸收，该元面可在大约一个picsecond中切换光导率。我们表明，尽管带隙是电信激光光子能量的两倍，但LT-GAA可以用作CW THZ检测器中的超快光电自动导体。元图设计利用了LT GAAS谐振器中的MIE模式，而THZ检测器的金属电极可以设计以支持附加的光子模式，从而进一步增加了所需波长下的光电导率。
具有增强键合强度的白色粘合剂
这项工作介绍了优化的模型和数值模拟的结果以及基于CNT的GAAS/INAS多个量子井（从5到70 QWS）GAAS太阳能电池的分析。这些QW被发现将吸收边缘延伸到GAA带隙的范围之外。此外，随着模型中引入宽带插入式凹陷后面场（BSF）层，由于从设备底部反射了未吸附的光子，因此提高了效率，从而提高了效率。所提出的模型使用异质的CNT层作为顶部半透明电极。可以观察到，这种具有较低板电阻和更好光线的CNT顶层可以显着提高整体效率。我们的优化单元格具有35 number 25nm量子井结构，具有100 nm CNT顶层，板电阻为128Ω/□可将效率提高到32.46％（没有CNT顶层）。EQE接近90％。为了显示我们发现的准确性，显示了数值建模的关键阶段，并使用标准实验数据检查了基本仿真数据。在创建商业上可行的QWSCS迈出的重要一步是建议基于CNT的QWSC模型在现代TCAD工具环境（Silvaco Atlas）中的有效应用。keyowrds：碳纳诺管（CNT），INAS/GAAS，SILVACO TCAD，量子井太阳能电池（QWSC）
具有高速检测的灵活Ingaas光电探测器...
摘要 - 由于它们在光学通信，传感和可穿戴系统中的潜在应用，因此具有广泛的研究兴趣。但是，它们的操作频率仅限于10 MHz，该MHz远低于某些应用程序的要求。在这里，我们提出了一种基于在灵活的塑料铝箔上制造的Ingaas纳米桥的高性能光电探测器，在该塑料箔上制造，在该塑料箔上，在其中通过简单的湿蚀刻步骤将外延层与粘合剂粘合，然后从父层INP底物提起。不涉及机械抛光，从而降低了制造程序的复杂性。富灵光电探测器表现出令人印象深刻的特征，包括801 PA的低黑暗电流，0.51 A/W的响应性，高检测性为5.65×10 10 Jones，在1550 Nm的6 V为6 V的施加电压下，在70 dB的线性动态范围和70 dB的线性动态范围。此外，我们通过优化了相互插入的检测电极的设计，优先考虑了光生载体的有效和高速收集。动态测量表明，光电探测器超过2.03 GHz的3 dB带宽，使其能够支持4 GB/s的数据通信速率。此外，这种灵活的光电探测器显示了较大的操作波长范围，几乎覆盖了整个
GAAS模板在硅光子学中的激光器上有选择性生长
摘要：实现SI上有效的片上光源是基于SI的光子集成电路（PICS）的关键。通过MOCVD（001）硅启用硅在硅启用的III-V材料（SOI）的III-V材料的选择性外观陷阱（LART）是一种有希望的技术，用于在硅和基于SI的PIC的硅的单层整合。在本报告中，通过LART Technique在行业标准（001）面向以行业标准（001）为导向的Soi Wafers上的GAAS膜的选择性生长获得了整体上的显微镜GAAS/SI平台。GAAS膜横向从{111}的面向氧化物沟渠内的{111}式的Si表面生长，其尺寸由光刻定义。GAAS微台面激光器（MDLS）在GAAS膜上通过光泵来在室温（001）SOI Lase上侧面生长的GAAS膜。rt脉冲激光以880μj/ cm 2的阈值实现。这项工作为完全集成的SI光子学提供了关键的步骤。■简介
GAAS1-XPX/SI1-YGEY/GE ...
卵子研究杂志。20，编号1，1月至2024年2月，第1页。 75-84 GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE三重连接太阳能电池的模拟和优化A. < /div>B. Azzououm B，A。Aissat A，B，C *，J。P. Vilcot C A艾哈迈德·德拉亚（Ahmed Draya），阿德拉尔（Adrar），阿尔及利亚B技术学院，Blida.1。Poincare Avenue，60069，59652 ASCQ的Villeneuve，法国本文着重研究和模拟GAAS 1-X P X /SI 1-Y GE Y /GE Y /GE三连接太阳能电池结构。首先，已经研究了与SIGE层相关的应变和带隙能。最佳锗浓度为0.88，应变约0.45％。然后，对上层GAAS 1-X P X /Si 0.12 GE 0.88的应变和带隙能的磷光浓度效应进行了优化。在室温下，最佳输出参数达到J SC = 34.41ma/cm 2，V OC = 1.27V，FF = 88.42％，η= 38.45％，吸收厚度为4.5µm，x = 0.47，菌株的菌株不超过1.5％。这项研究使我们能够设计高效，低成本的3J太阳能电池。（2023年10月23日收到； 2024年1月13日接受）关键字：半导体，效率，三连接，太阳能电池，光伏1.引言提高太阳能电池的效率会导致瓦特峰成本的降低[1]。在提供提高效率的技术中，我们发现了多期太阳能电池。但是，这些配置的制造成本仍然昂贵。后者基于一组具有不同带隙能的半导体材料的堆叠，该布置旨在吸收太阳光谱的最大值[2]。实际上，基于III-V化合物材料的多期太阳能电池提高了效率，并且似乎是光伏应用的未来。越来越多，它们已成为最前瞻性的太阳能技术[3,4]。降低成本所采用的技术之一是使用硅底物。因此，单层生长的GAASP/SI细胞可能是为空间应用提供低成本和高效率太阳能的合适候选者。，尽管在实验中众所周知，由于晶格不匹配高和热膨胀系数的巨大差异，很难用硅生长III-V材料[5-8] [5-8]。一种有希望的方法来克服这些限制并提高IIII-V 3J 3J太阳能细胞的效率，而不是使用Dermanium元素，而不是使用底层硅元素。锗的特征是直接带隙能在300K时为0.66 eV，因此吸收边缘比Si陡峭，SI陡峭，太阳辐照度光谱和低成本材料的光谱重叠更大。此外，锗元素可以与晶格匹配与III-V材料一起生长。这种优势使其成为吸收低能光子的有前途的材料[9,10]。由于这些最后的原因，在目前的工作中，锗被用作底部细胞。Fadaly等。此外，如[12]中报道，详细阐述了实验结构GAA 0.79 p 0.21 /si 0.18 ge 0.82双连接太阳能电池。将SIGE作为IIII-V顶部太阳能电池和底部电池之间的缓冲层的整合可以减少III-V核的位错界面，并提供高质量的底部太阳能电池。[11]证明了Si 1-ge Y合金的计算寿命接近III – V组半导体的寿命，因为从理论上讲，它们可以结合直接的带隙，波长态度和强烈的光学转变[11-13]。为了增强其表演的目标，三连接是 *通讯作者：sakre23@yahoo.fr https://doi.org/10.15251/jor.2024.201.75
大面积和低噪声Ingaas雪崩光电二极管
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设计、测试和验证 COTS 尾纤模拟输出 InGaAs APD 接收器
检测低功率和高功率光的短脉冲 能够在恶劣环境和很宽的温度范围内工作 大动态范围 在感应到明亮目标后，快速过载恢复以检测后续信号 承受高光功率密度，提高探测器的损伤阈值 除了这些标准之外，许多 LRF 和 LiDAR 系统设计都会受益于在传输和接收过程中使用光纤，以改善系统热管理并降低整体系统噪音 (1) 。许多国防应用都需要商用现货 (COTS) 组件，因为 COTS 更容易获得且更具成本效益。CMC 推出了一系列新的 COTS 尾纤 SMT 封装铟镓砷 (InGaAs) 雪崩光电二极管 (APD) LIDAR/LRF 接收器，276-339832-VAR，根据 MIL-STD 规格进行设计、测试和验证。这款 COTS APD 接收器提供的性能可以更准确地检测更长距离的小目标。坚固的光纤尾纤封装有利于节省空间和简化系统集成，同时满足 MIL-STD 环境操作条件。
AlGaAs-GaAsP-β-Ga2O3 npn 的初步演示...
2) Tsao JY、Chowdhury S、Hollis MA、Jena D、Johnson NM、Jones RJ、Kaplar S、Rajan、Van de Walle CG、Bellotti E、Chua R、Coltrin R、Cooper ME、Evans KR、Graham S、Grotjohn ER、Heller M、Higashiwaki M、Islam MS、Juodawlkis PW、Khan Khan、AD Koehler、JH Leach、UK Mishra、Nemanich RJ、Pilawa-Podgurski RCN、Shealy JB、Sitar Z、Tadjer MJ、Witulski AF、Wraback M 和 Simmons JA，Advanced Electronic Materials 4 [1]，1600501 (2018)。 3）M. Higashiwaki、K. Sasaki、H. Murakami、Y. Kumagai、A. Koukitu、A. Kuramata、T. Masui 和 S. Yamakoshi，《半导体科学与技术》31 [3]，034001（2016 年）。 4) Y. Yao, R. Gangireddy, J. Kim, KK Das, RF Davis 和 LM Porter,《真空科学与技术杂志》B 35 [3], 03D113 (2017)。 5) Q. He, W. Mu, H. Dong, S. Long, Z. Jia, H. Lv, Q. Liu, M. Tang, X. Tao 和 M. Liu, Applied Physics Letters 110 [9], 093503 (2017)。 6）Ahn S.、Ren F.、Yuan L.、Pearton SJ 和 Kuramata A.，ECS 固体科学与技术杂志 6 [1]，P68（2017）。 7）M. Higashiwaki、K. Sasaki、A. Kuramata、T. Masui 和 S. Yamakoshi，Applied Physics Letters 100 [1]，013504 (2012)。 8) M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. Hoi Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui 和 S. Yamakoshi, 应用物理快报 103 [12], 123511 (2013)。 9）WS Hwang, A. Verma, H. Peelaers, V. Protasenko, S. Rouvimov, H. (Grace) Xing, A. Seabaugh, W. Haensch, CV de Walle, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Fornari 和 D. Jena, 应用物理快报 104[20], 203111 (2014). https://doi.org/10.1016/S0022-5376(02)00011-0 , Google 学术 Crossref , CAS 10. T. Oshima, T. Okuno, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira 和 S. Fujita, Applied Physics Express 1 [1], 011202 (2008)。 11）W.-Y. Kong，G.-A.吴，K.-Y.王，T.-F.张 Y.-F.邹博士王和 L.-B. Luo，Advanced Materials 28[48]，10725 (2016)。 12) X. Chen、K. Liu、Z. Zhang、C. Wang、B. Li、H. Zhao、D. Zhao 和 D. Shen，ACS Appl.媽媽。接口 8[6], 4185 (2016)。应用物理快报 112[3], 032108 (2018) A. Kyrtsos, M. Matsubara 和 E. Bellotti。 14）Pearton SJ、Yang J、Cary IV、Ren F、Kim J、Tadjer MJ 和 Mastro MA，《应用物理评论》5[1]，011301（2018）。 15) Y. Su, D. Guo, J. Ye, H. Zhao, Z. Wang, S. Wang, P. Li 和 W. Tang，《合金与化合物杂志》782, 299 (2019)。 16) Z. Cheng、F. Mu、T. You、W. Xu、J. Shi、ME Liao、Y. Wang、K. Huynh、T. Suga、MS Goorsky、X. Ou 和 S. Graham，ACS Appl.媽媽。接口 12[40], 44943 (2020)。 17)C.-H. Lin, N. Hatta, K. Konishi, S. Watanabe, A. Kuramata, K. Yagi 和 M. Higashiwaki, Applied Physics Letters 114 [3], 032103 (2019)。 https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.116.141602 , Google Scholar Crossref 18. T. Matsumae、Y. Kurashima、H. Umezawa、K. Tanaka、T. Ito、H. Watanabe 和 H. Takagi。 19) P. Sittimart、S. Ohmagari、T. Matsumae、H. Umezawa 和 T. Yoshitake，AIP Advances 11 [10]，105114 (2021)。 20) Y. Xu, F. Mu, Y. Wang, D. Chen, X. Ou 和 T. Suga, Ceramics International 45[5], 6552 (2019)。 21）W. Hao，Q. He，X. Zhou, X. Zhao, G. Xu 和 S. Long, 2022 IEEE 第 34 届国际功率半导体器件和集成电路研讨会 (ISPSD) (2022) 第 105 页。22) J. Zhang, P. Dong, K. Dang, Y. Zhang, Q. Yan, H. Xiang, J. Su, Z. Liu, M. Si, J. Gao, M. Kong, H. Zhou 和 Y. Hao, Nature Communications 13 [1], 3900 (2022)。
由纳米层INGAAS/GAAS异质结构作为量子信息技术的光学材料
摘要：基于应变的带结构工程是一种强大的工具，可以调整半导体纳米结构的光学和电子特性。我们表明，我们可以调整INGAAS半导体量子井的带结构，并通过将其整合到卷起的异质结构中并改变其几何形成，从而改变发光的光线。来自光致发光和光致发光激发光谱的实验结果表明，由于重孔在卷起的Ingaas量子井中的轻孔状态与轻孔的反转，价带状态的强型能量转移与结构相比具有强大的能量转移。带状态的反转和混合会导致滚动量子井的光学选择规则发生强烈的变化，这些量子井也显示出传导带中消失的自旋极化，即使在近乎谐振的激发条件下也是如此。的频带结构计算以了解电子过渡的变化，并预测给定几何构造的发射和吸收光谱。实验与理论之间的比较表明了一个极好的一致性。这些观察到的基本属性的深刻变化可以作为开发量子信息技术新颖的光学设备的战略途径。关键字：频带结构反演，半导体量子井，光学选择规则，滚动微管，拉伸和压缩混合状态，弯曲的半导体膜■简介