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GAAS太阳能电池的损伤效应和机制...
摘要单连接和三个结构GAAS太阳能电池的二维热电模型分别利用Sentaurus-TCAD建立，以研究由HPMS引起的损害效应。模拟结果表明，GAAS太阳能电池有两种倦怠机制：高电场下的焦油热量造成的损害，以及由于雪崩造成的温度飙升而导致的失败。此外，拟合的经验公式还表明，在阴极前表面的反射点焦海积累引起的倦怠发生时，当注射频率高于3 GHz时，损伤能量随频率的增加而降低。相反，当频率低于3 GHz时，可以触发后表面场附近的反向偏置空间电荷区域的雪崩乘法效应，并且随着频率的上升而损坏能量上升。此外，由于散热耗散的增强和雪崩电离速率的下降，多开关的GAAS太阳能电池变得比在同一HPM干扰下的单连接太阳能电池更加困难。此外，重建了等效的模型（基于注射HPMS信号未达到倦怠阈值时的载流子迁移率分布），以研究由HPMS注入所致的GAAS太阳能电池性能的软损伤对GAAS太阳能电池的性能的影响。关键字：GAAS太阳能电池，多结，HPM，注射频率，软损伤分类：电子设备，电路和模块（硅，com-compound com-pound，有机和新型材料）
不同GaAs衬底上生长的磺化聚苯胺薄膜的电学性能
本文描述了n型GaAs衬底的晶体取向对在不同n型GaAs衬底取向（即（100）、（311）A和（311）B GaAs面）上生长的厚度为120nm的磺化聚苯胺 (SPAN) 薄膜电学性能的影响。利用室温和不同温度（60−360 K）下的电流密度-电压 (J−V) 进行电学表征。从正向J−V特性中提取了理想因子 (n)、肖特基势垒高度 (Φb) 和活化能 (Ea)。从J−V结果可知，SPAN/(311)B GaAs混合器件在0.5 V时的整流值高于在（100）和（311）A GaAs面上生长的SPAN的整流值。此外，随着这三个异质结器件的温度升高，Φ b 的值增加，n 下降，E a 上升。E a 测量表明，SPAN/(311)B n 型 GaAs 异质结构的 E a 低于在 (100) 和 (311)A n 型 GaAs 平面上生长的 SPAN 样品。这可能与 SPAN/(311)B 中的缺陷数量低于其他两个样品有关。这些结果使得在高指数 GaAs 平面上生长的厚度为 120 nm 的 SPAN 成为未来器件应用的有趣混合器件。
araştırmamakalesi/使用高分辨率X射线diffractio
使用X射线衍射（XRD）方法对纳米结构进行表征提供了有关结构的组成，晶格应变和异次层状层的信息。这些信息对于光电设备的制造过程很有用。在本文中，我们对常用材料Gaalas提供了基本描述。此外，X射线衍射方法对材料表征的重要性为材料的生长和开发过程提供了至关重要的信息。使用X射线衍射（XRD）方法分析外延生长GAAS/GAALA异质结构的结构表征。rigaku全球拟合模拟程序进行比较，以比较实验结果，模拟和实验结果彼此一致。
迈向经典错误校正量子内存
基于数值优化的实现实际设备门和参数，我们研究了相位频率（重复）代码的性能，该代码在载有单粒细胞量子量子的线性芯片（GAAS）量子点的线性阵列上。我们首先使用电路级别和现象学噪声的简单误差模型来检查代码的预期性能，例如，报告的电路级去极化噪声阈值约为3％。然后，我们使用最大样本和最小匹配的解码器进行密度 - 矩阵模拟，以研究实现真实设备的消除，读出误差以及准危机以及快速门噪声的效果。考虑到量子读数误差与dephasing时间（t 2）之间的权衡，我们确定了位于实验范围内的相位闪光代码的子阈值区域。
GaAs MMIC 超低噪声.pdf
摘要 采用 70 nm GaAs mHEMT OMMIC 工艺 (D007IH) 设计了四级 K 波段 MMIC 低噪声放大器 (LNA)。基于 Momentum EM 模拟结果，四级 LNA 实现了 29.5 dB ±1 dB 的增益、低至 1 dB 的噪声系数 (NF) 和整个波段优于 -10 dB 的输入回波损耗。LNA 芯片尺寸为 2500 µm x1750 µm。由于选择源阻抗以最小化实现输入匹配网络所需的元件数量，因此设计工作流程可以改善 LNA 的 NF 和输入回波损耗。所提出的电路的输入匹配网络由与有源器件的栅极串联的单个锥形八角形电感器组成，从而对第一级实现的 NF 影响很小，并显著改善 LNA 的输入回波损耗。
高通量线性分子束外延系统可降低 GaAs 光伏电池的制造成本：GaAs 是否足够便宜
完整作者列表：Lee, Byungjun；密歇根大学，EECS Fan, Dejiu；密歇根大学，EECS Forrest, Stephen；密歇根大学，EECS
InP和GaAs双栅极MOSFET的设计与分析
摘要 本文分析了一种由III族材料（铟、镓）和V族材料（磷化物、砷化物）统一构成的新型双栅极MOSFET（DG MOSFET）。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力，DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中，我们研究了基于磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模，并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看，基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A，优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词：DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
JFET 和 GaAs 器件及电路
结型场效应晶体管（JFET）可能是最简单的晶体管。它具有一些重要特性，尤其是非常高的输入电阻。然而不幸的是（对于 JFET 而言），MOSFET 的输入电阻甚至更高。这一点，加上 MOS 晶体管的许多其他优点，使得 JFET 几乎过时了。目前，它的应用仅限于分立电路设计，其中它既用作放大器，又用作开关。它的集成电路应用仅限于某些运算放大器的差分输入级的设计，其中利用了它的高输入电阻（与 BJT 相比）。在本节中，我们简要介绍 JFET 的工作原理和特性。将 JFET 纳入电子学研究的另一个重要原因是，它有助于理解砷化镓器件的工作原理，这是下一节的主题。