机构名称：
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引言半导体量子点（QD）是一种定制的合成，相当于原子，在广泛的现代半导体设备中发现了用途1。纳米构造已经提供了广泛的电子和光学特性。本文将通过专注于当今研究的三个独特的Keystone系统的电子结构来证明其巨大的潜力2和可调节性3-5：（i）SB-INAS /GAAS SubMonolayer QD，（II）在1-x Ga x中为y SB 1- y SB 1-y /y /y /y /gap qds和（III）QD基于QD的量子量子cascade cascade lasscade lasscade lassersersers。（i）在过去的20年1，6中，INAS/GAAS QD一直是综合研究的重点，导致量子点激光器7和单光子发射器2，8。为提高QD密度和改善载体动力学，在GAA上开发了QD形成9、10：INAS的沉积量少于GAAS的QD形成9、10：在GAAS上的单层（ML）的沉积，然后重复多个时间，以重复多个时间
建模III – V量子的电子和光学特性...
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