机构名称：
¥ 2.0
Yongchen Liu 1 , Wilder Acuna 1 , Huairuo Zhang 2,3 , Dai Q. Ho 1 , Ruiqi Hu 1 , Zhengtianye Wang 1 , Anderson Janotti 1 , Garnett Bryant 4 , Albert V. Davydov 2 , Joshua M. O. Zide 1 , and Stephanie Law 1*
在 (001) GaAs 衬底上生长 Bi2Se3 用于太赫兹...
主要关键词
相关文件推荐
