机构名称：
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摘要：首次系统地研究了通过高真空化学气相沉积从硼氮烷中生长六方氮化硼 (hBN) 在外延 Ge(001)/Si 衬底上的过程。分别评估了 10 − 7 –10 − 3 mba r 和 900–980 ◦ C 范围内的工艺压力和生长温度对 hBN 薄膜的形貌、生长速率和晶体质量的影响。在 900 ◦ C 下，获得了横向晶粒尺寸约为 2–3 nm 的纳米晶 hBN 薄膜，并通过高分辨率透射电子显微镜图像进行了确认。X 射线光电子能谱证实了原子 N：B 比为 1 ± 0.1。通过原子力显微镜观察到三维生长模式。增加反应器中的工艺压力主要影响生长速率，对晶体质量的影响很小，对主要生长模式没有影响。在 980 ◦ C 下生长 hBN 会增加平均晶粒尺寸，并在 Ge 表面形成 3-10 个取向良好、垂直堆叠的 hBN 层。探索性从头算密度泛函理论模拟表明，hBN 边缘被氢饱和，并且有人提出，在装置的热部件上产生的 H 自由基部分去饱和是导致生长的原因。
Ge(001)表面上六方氮化硼的生长...
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