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APN244 24 – 28 GHz GaN 功率放大器
i. 施加负栅极电压 (-8 V) 以确保所有器件均已关闭 ii. 将漏极偏压升高至约 10 V iii. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流的 20% iv. 将漏极升高至工作偏压 v. 逐渐增加栅极偏压电压，同时监测漏极电流，直到达到工作电流 e. 要安全地对 GaN 器件进行去偏压，请先对输出放大器级进行去偏压（如果适用）：
6H-SiC/GaN金属半导体场效应晶体管
栅极电容和沟道中的电场将通过连接在栅极下方的未掺杂区域而减小。设计了器件结构并在ATLAS中进行仿真。两种器件均采用GaAsP/6H-SiC/GaN材料设计，并进行了漏极电流模拟和模拟仿真[12]。表1给出了结构模拟参数的有效使用。各种模型和方法都用于器件模拟。模型和方法在表2和表3中给出
多层PDTE/GAN异质结构，用于可见的深紫外线光电检测
摘要 - Deep-ultraviolet（DUV）光电检测对其在许多军事和民用领域的重要应用中获得了广泛的研究兴趣。在这项工作中，我们介绍了大区域二维（2D）PDTE 2多层的合成，可以将其直接转移到GAN基板上，以构建垂直异质质质，以进行可见的盲型DUV PhotoDeTection。在265 nm的光照射下，异质结构显示出独特的pho-tovoltaic行为，使其能够充当自动驱动光电探测器。重要的光响应参数，例如I光/I暗比，响应性，特定的DUV/可见度（265 nm/450 nm）的拒绝率分别高达10 6，168.5 mA/w，5.3×10 12 JONES和10 JONES和10 4。通过应用-1.0 V的小反向偏置，可以进一步增强254.6 mA/W。此外，光电探测器可以用作DUV光图像传感器，以可靠地记录具有不错的分辨率的“ H”模式。本研究铺平了一种将高性能成本效益的DUV光电探测器设计到实用的光电应用的方法。
使用纳米板INGAN/GAN/GAN
摘要：等离激元纳米剂是一种新型的超小型激光器，由于其光线和快速载体动力学特征的破坏衍射极限，因此获得了广泛的兴趣。通常，对于等离激子纳米剂需要解决的主要问题是光学和欧姆损失引起的高损失，这导致了低质量因子。在这项工作中，设计和制造了具有较大界面区域的Ingan/gan纳米板等离激元纳米剂，其中SPS和激子之间的重叠可以得到构成。激光阈值计算为〜6.36 kW/cm 2，其中最大最大宽度（FWHM）从27 nm下降到4 nm。和502 nm处的快速衰减时间（刺激激光的尖峰）估计为0.42 ns。增强的激光特性主要归因于低折射率材料中电磁波的强限制，这证明了SPS和激子之间的近场耦合。这种等离子激光器应在数据存储应用程序，生物应用，光通信中有用，特别是对于集成到芯片上系统中的光电设备。
APN311 27-31 GHz GaN 功率放大器 - 诺斯罗普·格鲁曼
初步信息：本文档中包含的数据描述了处于开发采样或预生产阶段的新产品，仅供参考。诺斯罗普·格鲁曼保留更改适用于本产品的特性数据和其他规格的权利，恕不另行通知。本数据表所代表的产品受美国出口法（EAR 法规中规定）的约束。
TTS-CGAN：用于生物信号数据增强的 Transformer 时间序列条件 GAN
摘要 — 以时间序列形式出现的信号测量是医学机器学习应用中最常见的数据类型之一。此类数据集通常规模较小，收集和注释成本高昂，并且可能涉及隐私问题，这阻碍了我们为生物医学应用训练大型、最先进的深度学习模型的能力。对于时间序列数据，我们可以用来扩展数据集大小的数据增强策略套件受到需要维护信号基本属性的限制。生成对抗网络 (GAN) 可以用作另一种数据增强工具。在本文中，我们提出了 TTS-CGAN，这是一种基于 Transformer 的条件 GAN 模型，可以在现有的多类数据集上进行训练并生成任意长度的特定于类的合成时间序列序列。我们详细阐述了模型架构和设计策略。我们的模型生成的合成序列与真实序列没有区别，可以用来补充或替换相同类型的真实信号，从而实现数据增强的目标。为了评估生成数据的质量，我们修改了小波相干性度量，以便能够比较两组信号之间的相似性，并进行了一个案例研究，其中使用合成数据和真实数据的混合来训练用于序列分类的深度学习模型。结合其他可视化技术和定性评估方法，我们证明 TTS-CGAN 生成的合成数据与真实数据相似，并且我们的模型比其他为时间序列数据生成构建的最先进的 GAN 模型表现更好。TTS-CGAN 源代码：github.com/imics-lab/tts-cgan
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。
高能物理中的双参数化量子电路 GAN 模型
摘要。生成模型，尤其是生成对抗网络 (GAN)，正在被研究作为蒙特卡罗模拟的可能替代方案。有人提出，在某些情况下，使用量子 GAN (qGAN) 可以加速使用 GAN 的模拟。我们提出了一种新的 qGAN 设计，即双参数化量子电路 (PQC) GAN，它由一个经典鉴别器和两个采用 PQC 形式的量子生成器组成。第一个 PQC 学习 N 像素图像的概率分布，而第二个 PQC 为每个 PQC 输入生成单个图像的归一化像素强度。为了实现 HEP 应用，我们在模拟量热仪输出并将其转换为像素化图像的任务上评估了双 PQC 架构。结果表明，该模型可以重现固定数量的图像，尺寸更小，并且能够重现它们的概率分布，我们预计它应该可以让我们扩展到真实的量热仪输出。
掺铒 GaN 块体晶体中偏振分辨的铒发射
掺铒 GaN (Er:GaN) 准块状晶体正成为一种有前途的新型增益介质，用于在 1.5 μ m 的视网膜安全波长窗口发射高能激光器。我们报告了偏振分辨光致发光 (PL) 发射光谱研究，结果表明，激发偏振平行于 GaN c 轴 (EQ jj c Q) 的泵浦效率明显高于激发偏振垂直于 GaN c 轴 (EQ ? c Q) 的泵浦效率。这一现象是固有极性纤锌矿 GaN 晶格的直接结果，沿 GaN 的 c 轴在每个 Er 离子周围产生一个净局部场。 PL 发射光谱的温度依赖性行为可以用 GaN 中 Er 3+ 的 4 I 15/2 基态和 4 I 13/2 第一激发态子能级之间的玻尔兹曼分布来解释，从而更好地理解 1.5 μ m 附近观察到的主要发射线的起源。结果表明，可以利用 GaN 中的极化场，通过操纵激发光源的极化来增强有效 Er 激发截面。
一个单级分类器，用于检测GAN操纵多光谱卫星图像
摘要：当前的图像生成模型已经实现了非常现实的图像质量，提供了许多学术和工业应用。但是，为了确保这些模型用于良性目的，必须开发最终检测图像是否已合成生成的工具。因此，已经开发了几个在计算机视觉应用中表现出色的检测器。但是，这些检测器不能直接应用，因为它们是多光谱卫星图像，因此需要对新模型进行训练。虽然两类分类器通常达到高检测精度，但它们努力将图像域和与训练过程中遇到的形象不同的生成体系结构推广。在本文中，我们提出了一个基于量化量化的变异自动编码器2（VQ-VAE 2）功能的单级分类器，以克服两类分类器的局限性。我们首先要突出二进制分类器所面临的概括问题。通过在多个多光谱数据集中训练和测试有效网络架构来证明这一点。然后，我们说明，基于VQ-VAE 2的分类器，该分类器仅在原始图像上进行了培训，可以检测来自不同领域的图像，并由训练过程中未遇到的体系结构生成。最后，我们在同一生成的数据集上的两个分类器之间进行了面对面的比较，强调了基于VQ-VAE 2的检测器的出色概括能力，在使用vQ-ve-vae 2的探测器时，我们在使用蓝色和红色通道的0.05误报率为1时以1.05的误报率进行了检测。