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GaN 功率晶体管的栅极驱动配置
在半桥应用中对交叉传导的灵敏度增加 这两种影响都可以通过使用负栅极驱动电压来减轻。但这种方法也有缺点，因为负栅极驱动会导致反向（第三象限）操作中的电压降增加，从而导致死区期间的传导损耗更高。因此，最佳栅极驱动始终取决于基本应用条件（硬/软开关、功率等级、开关电压、频率等）。本白皮书简要概述了 GIT 和 SGT 产品系列的推荐栅极驱动概念。多功能标准驱动器（RC 接口）可以轻松适应这两种技术。本文档还提供了基本的栅极驱动器尺寸指南和一些典型的应用示例。
具有里德堡原子的高保真控制相位量子门
• 任意单量子比特旋转门和相位门，加上某些双量子比特门（如CZ或CNOT）门，组成通用门集。• 单量子比特门需要精确控制原子与电磁波的相互作用；双量子比特门需要精确控制原子与原子之间的相互作用
![arxiv：2307.16130v2 [Quant-ph] 2023年10月10日](/simg/g:\will\search\icon\source\e\e00fe707fff037bedd0542b51a45bbf5e921f9e4.webp)
arxiv：2307.16130v2 [Quant-ph] 2023年10月10日
抽象的金门克隆已成为最受欢迎的DNA组装技术之一。其模块化和分层结构允许构建复杂的DNA片段。随着时间的流逝，金门克隆允许创建可重复使用的部分的存储库，从而降低了频繁的序列验证的成本。但是，随着反应和碎片的数量增加，消耗品的成本和人为错误的可能性也会增加。通常，黄金反应以10至25 µL的体积进行。最近的技术进步导致了使用声音将NL液体从源板转移到目标板中的液体处理机器人的发展。这些声学分配器在合成生物学领域变得特别流行。该技术的使用允许以无尖的方式微型化和平行分子反应，从而通过减少塑料废物和试剂使用来使其可持续。在这里，我们提供了一种逐步协议，用于在1 µL总体积中执行和并行化的金门克隆反应。关键词：金门克隆，DNA组装，声学液体处理，体外，合成生物学，NL反应，可持续性
通过 2024 号门招聘初级管理人员
注意：a) 空缺职位数量是暂定的，可能会根据 AAI 的唯一酌情决定权增加或减少。b) 申请 SC/ST 类别保留职位的候选人应在申请验证时提交主管当局于 2024 年 5 月 1 日或之前颁发的种姓证明。c) 属于 OBC 类别但属于“CREAMY LAYER”的候选人没有资格享受 OBC 保留和年龄放宽。他们应该在 UNRESERVED 类别下申请。d) 属于 OBC (NCL) 类别的候选人必须出示有效的 OBC (NCL) 证书，以证明他们属于 OBC 中央名单中的 OBC 社区，格式为印度政府职位任命格式，由主管当局在 2024-25 财政年度颁发，并在申请验证时包含非奶油层条款。用于教育目的的 OBC（非奶油层证书）将不予考虑。 e) 属于 EWS 类别的候选人必须在申请验证时提交主管当局按照印度政府 PPG&P 部 DoPT 于 2019 年 1 月 31 日发布的 OM No.36039/1/2019-Estt (Res) 规定的格式颁发的 2024-25 财年有效收入和资产证明。f) 申请 PwBD 类别保留职位的候选人应注意，他们必须在申请验证时提交主管当局按照政府指导方针于 2024 年 5 月 1 日或之前颁发的有效残疾证书。g) 退伍军人候选人必须在申请验证时出示退伍证书。
CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压指南...
通过在各种开关条件下进行长期测试，研究了英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 的这种现象的特点。数据显示，开关应力会导致 V GS(th) 随时间缓慢增加。然而，无论选择何种参数，都从未观察到由开关引起的负 V GS(th) 漂移。在相同工作条件下承受应力的不同器件的 V GS(th) 漂移值相似。阈值电压 V GS(th) 的增加会降低 MOS 沟道过驱动 (V GS(on) – V GS(th) )，因此可以观察到沟道电阻 (R ch ) 的增加。这种现象在公式 [1] 中描述，其中 L 是沟道长度，W 是沟道宽度，μ n 是自由电子迁移率，C ox 是栅极氧化物电容，V GS(on) 是正导通状态栅极电压，V GS(th) 是器件的阈值电压 [2]。
马约拉纳量子比特和奇偶校验之间的交换门......
高保真量子信息处理需要快速门和长寿命量子存储器的结合。在这项工作中，我们提出了一种混合架构，其中奇偶校验保护的超导量子比特直接耦合到马约拉纳量子比特，后者充当量子存储器的角色。超导量子比特基于 π 周期性约瑟夫森结，该结由栅极可调的半导体导线实现，其中单个库珀对的隧穿受到抑制。其中一根导线还包含四个定义量子比特的马约拉纳零模式。我们证明这可以实现 SWAP 门，从而允许在拓扑和常规量子比特之间传递量子信息。该架构将可以用超导量子比特实现的快速门与拓扑保护的马约拉纳存储器相结合。
Clifford 层次结构中成本最优的单量子比特门合成
对于通用量子计算，实际实施需要克服的一个主要挑战是容错量子信息处理所需的大量资源。一个重要方面是实现由量子纠错码中的逻辑门构建的任意幺正算子。通过组装从一小组通用门中选择的逻辑门序列，可以使用合成算法将任何幺正门近似到任意精度，这些通用门在量子纠错码中编码时可容错执行。然而，目前的程序还不支持单独分配基本门成本，许多程序不支持扩展的通用基本门集。我们使用基于 Dijkstra 寻路算法的穷举搜索分析了标准 Clifferd+T 基本门集的成本最优序列，并将其与另外包括 Clifferd 层次结构更高阶的 Z 旋转时的结果进行了比较。使用了两种分配基本门成本的方法。首先，通过递归应用 Z 旋转催化电路将成本降低到 T 计数。其次，将成本指定为直接提炼和实现容错门所需的原始（即物理级）魔法状态的平均数量。我们发现，使用 Z 旋转催化电路方法时，平均序列成本最多可降低 54 ± 3%，使用魔法状态提炼方法时，平均序列成本最多可降低 33 ± 2%。此外，我们通过开发一个分析模型来估计在近似随机目标门的序列中发现的来自 Clifford 层次结构高阶的 Z 旋转门组的比例，从而研究了某些基本门成本分配的观察局限性。
具有复合源极-...的单向 p-GaN 栅极 HEMT
硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其低成本、大面积应用等优势在功率器件应用领域引起了广泛关注 [1]。近年来，双向开关在轧机、电梯、风力发电等许多工业双向功率转换应用中备受青睐。此外，常闭单向 HEMT 是实现高性能双向开关的重要器件 [2,3]。常闭单向 HEMT 通常通过在 HEMT 的漏极中嵌入肖特基势垒二极管 (SBD) 来实现。目前已经采用了氟注入或金属氧化物半导体技术。然而，在常闭单向 HEMT 中尚未见具有良好阈值电压 (V th ) 可控性和稳定性的 p-GaN 栅极技术 [4] 的报道。此外，凹陷式肖特基漏极[5]和场板技术[6]可以为实现具有小开启电压（V on ）、高击穿电压（BV）和良好动态性能的单向HEMT提供相关参考。本研究通过实验证明了一种具有凹陷肖特基漏极和复合源漏场板的单向p-GaN HEMT（RS-FP-HEMT）。研究并揭示了漏极电压应力对动态性能的影响。实验。图1（a）和（b）分别显示了传统的带欧姆漏极的p-GaN HEMT（C-HEMT）和提出的RS-FP-HEMT的示意横截面结构。这两个器件都是在GaN-on-Si晶片上制造的。外延结构由 3.4 µ m 缓冲层、320 nm i-GaN 沟道层、0.7 nm AlN 中间层、15 nm Al 0.2 Ga 0.8 N 阻挡层和 75 nm p-GaN 层（Mg 掺杂浓度为 1 × 10 19 cm −3）组成。器件制造首先通过反应离子刻蚀 (RIE) 形成 p-GaN 栅极岛。然后，蒸发 Ti/Al/Ni/-Au 金属堆栈并在 N 2 环境中以 850 ◦C 退火 30 秒。形成凹陷的肖特基漏极
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S.No Programme Name UR SC ST OBC EWS UR-PWD OBC-PWD EWS-PWD SC-PWD ST-PWD 1 Engineering Geology 551 299 - 317 346 - - - - - 2 Geoexploration 628 564 290 522 551 - - - - - 3 Earthquake Science & Engineering 598 371 377 526 551 545 - - - - 4 Chemical Engineering 568 422 328 532 479 333 - - - - 5 Pharmaceutical Science and Engineering 555 325 350 428 428 - - - - - 6 Civil Engineering 716 531 540 664 652 435 - 335 - - 7 Computer Science and Engineering 753 584 468 669 710 437 356 377 - - 8 Electrical Engineering 744 571 404 668 671 688 260 - - - 9 Electronics and Communication Engineering 688 450 374 628 650 688 350 - - - 10 Environmental Science & Engineering 665 452 488 618 607 435 - - - - 11 Fuel Minerals and Metallurgical Engineering 471 327 247 369 394 - - - - - 12 Industrial Engineering & Management 758 564 419 694 743 662 335 - - - 13 Data Analytics 730 557 491 677 696 339 335 - - - 14 Mechanical Engineering 731 484 366 686 676 662 655 348 - - 15 Geomatics 646 447 407 583 583 339 335 - - - 16 Mining Engineering 559 382 290 457 392 ----- 17隧道和地下空间技术646 423 343 584 583 321 ---- 18挖掘机械工程669 480 392 624 614 614 344---- 19 Petorum Engineering 722 238 238 238 238 238 238 238 238 565 6112-- <
量子门模式识别和电路优化
摘要。没有独特的方法将量子算法编码为Quanmu tum电路。具有有限的量子计数，连接性和连贯性时间，电路优化对于在未来十年中充分利用量子设备是必不可少的。我们介绍了两个单独的电路优化想法，并将它们组合在称为AQCEL的多层量子电路优化协议中。第一个成分是一种识别量子门重复模式的技术，开辟了未来硬件优化的可能性。第二个成分是通过识别零或低振幅计算基础状态和冗余门来降低电路复杂性的方法。作为演示，AQCEL被部署在迭代且有效的量子算法上，旨在模拟高能物理中的最终状态辐射。对于此算法，我们的优化方案带来了与原始电路相比，栅极计数的显着降低而不会失去任何精度。另外，我们已经研究了是否可以使用多项式资源在量子计算机上证明这一点。我们的技术是通用的，可以用于多种量子算法。