XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemHSPICE
使用以下方法高效优化功耗和延迟
摘要 本文的目的是使用逻辑门和 CMOS 逻辑设计一个 16:1 多路复用器。在本研究中，我们研究了 16:1MUX 的延迟和功率调制。这表明 CMOS 技术处于领先地位，因为它使用的晶体管数量更少、电容更少、速度更快。在本研究中，我们进行了比较工作并得到了模拟结果，结果说明了 CMOS 逻辑设计的优越性，并且功耗和延迟非常低。使用 Synopsys 工具 HSPICE 在 32 nm BSIM 4 模型卡下对 PTM 模型的块状 CMOS 技术进行了模拟，并检查了不同电压下的结果。最小和最大延迟和功耗结果分别为 68.82ps、92.16ps 和 103.96µW、1471.4µW。我们在多路复用器中获得的总晶体管数量为 282，这是模拟的，我们使用名为 HSPICE 的高级工具获得了 MUX 的输出波形，它们在结果部分中表示出来。关键词：多路复用器、2×1 多路复用器、4×1 多路复用器、8×1 多路复用器、16×1 多路复用器、延迟、功耗
Elec 4420-课程教学大纲
将没有期末考试。相反，将有一个最后的课程项目，其中将要求学生使用HSPICE设计和模拟放大器，以满足一些给定的规格。鼓励学生以两三个组成的成绩工作。项目描述将在稍后详细提供。暂时，将在11月22日左右发布初步报告，并于12月6日左右到期。
Telkomnika电信计算电子和控制
许多系统，包括数字信号处理器，有限脉冲响应（FIR）过滤器，特定于应用程序的集成电路和微处理器，请使用乘数。在当前技术趋势中，对低功率乘数的需求每天逐渐上升。在这项研究中，我们基于携带选择加法器（CSA）的4×4华莱士乘数，该乘法器使用的功率较少，并且比现有乘数具有更好的功率延迟产品。HSPICE工具用于模拟结果。与传统的基于CSA的乘数相比，功耗为1.7 µW，功率延迟产品（PDP）为57.3 fj，结果表明，Wallace Multipleer设计采用了CSA，其CSA具有首先零查找逻辑（FZF）逻辑的CSA，其功率最低1.4 µW和PDP的功率最低。
基于纳米互连
摘要基于碳纳米 - 互连进行比较无线电频率（RF）和串扰分析，该互连是基于有效的π-类型等效的多壁碳纳米管（MWCNT）和堆叠的多层含量nanoribbons（MWCNTS）和堆叠的多层含量的nanoribbons（mwcnts）。使用HSPICE在14 nm节点处使用HSPICE进行全局级纳米互连提取。RF性能，而串扰性能是根据串扰诱导的延迟和平均功耗来分析的。与CU，纳米管和MWCNT相比，皮肤深度的结果表明，对于ASF 5掺杂的Zag ZAG MLGNR，在较高频率下，皮肤深度降解的显着明显影响。转移增益结果明确表明，ASF 5掺杂的MLGNR表现出极好的RF行为，分别显示出比MWCNT和铜（CU）的10倍和20倍的改善。此外，与Cu和MWCNT相比，ASF 5掺杂的MLGNR的3 dB带宽计算表明18.6-和9.7倍倍增强。在ASF 5掺杂的MLGNR的串扰诱导的相位延迟中获得了显着的重新构度，其延迟值比CU和MWCNT的延迟值低84.7％，比60.24％。此外，ASF 5-掺杂的MLGNR呈现最佳能量 - 延迟产品的结果，其值比其CU和MWCNT对应物的98.6％和99.6％的改善，全球长度为1000 µm。
基于GNRFET的静态随机访问存储器的设计...
摘要：在本文中，使用HSPICE模拟了使用能源有效GNRFET技术的物联网的静态噪声边距（SNM）和SRAM在不同电压供应和静态随机访问记忆的温度下的功耗。此外，已经提出了GNRFET SRAM的各种波形的模拟。SNM存在于SRAM细胞中，这会影响SRAM细胞的读取操作的稳定性。SRAM细胞稳定性分析是一个基于静态噪声边缘（SNM）的研究。在阅读操作过程中，SRAM细胞SNM分析了各种替代方案以提高细胞稳定性。GNRFET的作用提高了其功率效率和速度，在各种物联网应用中在航空工程中起着至关重要的作用。snm是6.7@1v，平均功率为2.24@1v，snm为2.43@45 o C，平均功率为1.25@45 o C.索引条款：GNR，GNRFET，功耗，电池消耗，细胞比率，CMOS，CMOS，PURPIP RATIO，SNM，SNM），Nano-Electronic。
2021 年大学课程授权材料一级
产品名称 产品编号 发布流 Conformal® GXL CFM300 COMFRML202 Conformal® 约束设计 L CFM401 COMFRML202 Conformal® 约束设计 XL CFM421 COMFRML202 CCD 多约束检查选项 CFM422 COMFRML202 Conformal® 低功耗 CFM500 COMFRML202 Conformal® 低功耗 GXL CFM550 COMFRML202 Conformal® ECO Designer GXL CFM650 COMFRML202 多物理通用 HPC 令牌 SYS316 EMX/INTEGRAND60 EMX® IC 求解器 SYS500 EMX/INTEGRAND60 Genus™ 低功耗选项 GEN30 GENUS201 Genus™ 物理选项 GEN40 GENUS201 Genus™ CPU 加速器选项 GEN80 GENUS201 Genus™ 合成解决方案 GEN100 GENUS191 Cadence® 框架集成运行时选项 117 IC618 Virtuoso® 仿真环境 206 IC618 Virtuoso® 原理图编辑器 HSPICE 接口 276 IC618 Dracula® 图形用户界面 365 IC618 Cadence® SKILL 开发环境 900 IC618 Virtuoso® EDIF 200 读取器 940 IC618 Virtuoso® EDIF 200 写入器 945 IC618 Cadence® 设计框架集成商工具包 12141 IC618 Virtuoso® 原理图 VHDL 接口 21060 IC618 Virtuoso® 原理图编辑器 Verilog 接口 21400 IC618 Virtuoso® 模拟绿洲运行时选项 32100 IC618 Cadence® OASIS for RFDE 32101 IC618 Virtuoso® 模拟 HSPICE 接口选项 32760 IC618 Virtuoso® AMS 设计环境 70000 IC618 Dracula® 物理验证和提取器套件 70520 IC618 Diva® 物理验证和提取器套件 71520 IC618 Virtuoso® 原理图编辑器 XL 95115 IC618 Virtuoso® ADE Explorer 95250 IC618 Virtuoso® 可视化和分析 XL 95255 IC618 Virtuoso® ADE 汇编器 95260 IC618 Virtuoso® 变体选项 95265 IC618 Virtuoso® ADE 验证器 95270 IC618 Virtuoso® DFM 选项 95311 IC618 Virtuoso® 布局套件 GXL 95323 IC618 Virtuoso® 实现感知设计选项 95510 IC618 Virtuoso® 系统设计平台 95541 IC618 Virtuoso® 布局套件 EAD 95600 IC618 Voltus™-Fi 定制电源完整性解决方案 XL VTS500 IC618 Voltus™-Fi 定制电源完整性解决方案 - AA 高级分析 VTS501 IC618
分析基于HFO2/Taox的3-D垂直电阻随机访问存储器阵列
摘要：提议三维垂直电阻随机访问记忆（VRRAM）作为增加电阻存储器存储密度的有前途的候选者，但是3-D VRRAM阵列的性能评估机制仍然不够成熟。先前评估3-D VRRAM性能的方法是基于写入和读取余量的。但是，3-D VRRAM阵列的泄漏电流（LC）也是一个问题。多余的泄漏电流不仅降低了记忆单元的读/写公差和责任，还可以增加整个数组的功耗。在本文中，使用3-D电路HSPICE模拟来分析3-D VRRAM体系结构中阵列大小和操作电压对泄漏电流的影响。模拟结果表明，迅速增加泄漏电流显着影响3-D层的尺寸。高读取电压是提高读取余量的预告仪。但是，泄漏电流也增加。减轻这一冲突需要在设置输入电压时进行权衡。通过分析多位操作对整体泄漏电流的影响，提出了提高阵列读/写入效率的方法。最后，本文探讨了减少3-D VRRAM阵列中泄漏电流的不同方法。本文提出的泄漏电流模型为3-D VRRAM阵列的初始设计提供了有效的性能预测解决方案。
低功率翻转电压追随者电流镜具有改进的输入输出阻抗
摘要。高性能子伏电流镜被广泛用于构建混合模式低功率VLSI系统。电流镜的性能取决于其关键参数，其中包括较大的操作范围，低输入合规性电压，宽秋千，大带宽以及非常低的输入和非常高的输出电阻。在本文中，显示了高性能低功率电流镜的设计。所提出的电流镜基于电压跟随器，使电流镜在低压下工作。为改善输入输出电阻，提出的电流镜由超级晶体管和超级cascode阶段使用。在微电瓦范围内的功率耗散时，直到1mA达到了最小误差的当前镜像。所达到的带宽为2.1 GHz，低输入和高输出电阻分别为0.407 ohm和50 giga ohm。在本文中还显示了过程角，温度分析和提议的电流镜的噪声分析。使用0.18 UM技术的HSPICE以0.5 V的双电源电压进行完整分析。
探索电源电压和温度
摘要。本文深入研究了在XOR-XNOR细胞中应用的常规和非常规设计方法。这些单元在各种算术逻辑电路中起着至关重要的作用，在低压和功率水平下运行的VLSI设计中具有很大的计算能力。本文研究了与常规和非规定设计策略相关的困难。此外，它对当前文献中有关电路设计参数的不同XOR/XNOR单元进行了相对评估。这项研究的结果表明，低技术节点中碳纳米管现场效应晶体管（CNTFET）技术的采用显着降低了电路延迟，而浮动栅极金属氧化物半导体（FGMOS）技术在电路电力效率方面显示出卓越的解释。讨论还涵盖了FinFET技术在创建XOR/XNOR细胞中的利用。本文评估了这些XOR/XNOR细胞的电压和温度弹性。使用22nm技术节点的HSPICE工具进行了分析。基于FGMO的XOR/XNOR细胞表明，对电压和温度波动的弹性最高。采用非常规技术遇到的主要挑战涉及缺乏适当的仿真模型和复杂的制造过程。这些挑战特别阻碍了这些开拓性方法的进步和采用。
田口方法和响应面分析用于设计全加器 S 中的高性能单壁碳纳米管束互连
本研究尝试设计全加器中的高性能单壁碳纳米管 (SWCNT) 束互连。为此，使用 HSPICE 软件中的仿真研究了电路性能，并考虑了 32 纳米技术。接下来，使用田口方法 (TA) 分析了几何参数（包括纳米管直径、束中纳米管之间的距离以及束的宽度和长度）对全加器中 SWCNT 束互连性能的影响。田口灵敏度分析 (TSA) 的结果表明，束长度是影响电路性能的最有效参数（约占功率耗散的 51% 和传播延迟的 47%）。此外，与其他参数相比，纳米管之间的距离对响应的影响很大。此外，响应面法 (RSM) 表明，增加互连长度 (L) 会提高功率耗散的输出。随着互连线宽度 (W) 和碳纳米管直径 (D) 的增加，功耗也增加。减小束中碳纳米管之间的距离 (d) 会导致功耗增加。如果考虑互连线长度和宽度 (L、W) 以及碳纳米管直径 (D) 的参数的最大值以及束中碳纳米管之间距离 (d) 的最小值，则功耗最高。结果还表明，互连线长度 (L) 的增加会增加传播延迟。最后，报告了最佳参数，并使用不同方法 (TA 和 RSM) 比较了优化系统的性能。结果表明，用不同方法预测的全加器中 SWCNT 束互连线最优设计的性能差异小于 6%，根据工程标准是可以接受的。