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应变石墨烯和其他紧张的单层和多层的机械，电子，光学，压电和铁素化特性：更新
摘要这是先前评论的更新（Naumis et al 2017rep。prog。物理。80 096501）。考虑了线石墨烯和其他金属，绝缘，铁电，铁弹性，铁磁和多效2D材料的实验和理论进步。We surveyed (i) methods to induce valley and sublattice polarisation ( P ) in graphene, (ii) time-dependent strain and its impact on graphene's electronic properties, (iii) the role of local and global strain on superconductivity and other highly correlated and/or topological phases of graphene, (iv) inducing polarisation P on hexagonal boron nitride monolayers via strain, (v)通过应变，（VI）铁核2D材料（带有固有弹性（σ），电气（P）和磁性（M）极化，修饰过渡金属二色元化元素单层单层单层的光电特性，以及初期的2D多效中部和（VII）MoiréBirayflator flato seperer，以及其他分期型均型均匀的型号，并表现表现出可以通过旋转和剪切应变调整的铁从订单的系统。该更新具有可调二维量子旋转霍尔在德国，元素2D铁电抗性和2D多效性NII 2的实验实现。该文件是为了讨论单层中发生的效果的讨论，然后进行了有关BiLayers和
Bee - 包厢和个人舱
毫不夸张地说，这重塑了个人舱的未来。个人舱的有机六边形形状瞬间让办公空间更加引人注目，更重要的是，它摆脱了传统的“盒式”舱体，创造了更舒适、更“自然”的美感和个性的个人工作场所。反过来，个人舱为专注的表现提供了更好的工作环境。豪华的装饰和对细节的细致关注使 Bee 与众不同，有助于释放在高密度工作空间内工作时经常产生的压力。个性化、实用且有目的性。
Ramesh Karuppannan博士担任：-IISC Physics
葡萄干剂玻璃的散装和薄膜都是有趣的。已经开始探索用于宽带光生成的芯片非线性工艺的葡萄干剂玻璃。此外，也开始使用缺陷工程来制作多层硫化硫化剂薄膜，以用于低功率相变的记忆应用。（ii）使用快速淬灭技术制备硫元化的玻璃，使他的组能够在玻璃形成区域的扩展区域制备玻璃，从而揭开了许多有趣的特性。（iii）观察硫化剂玻璃杯中玻璃转变的负压系数在理解玻璃过渡的性质方面具有重要意义。（iv）GE-SE-TE玻璃具有高达25微米的红外传输玻璃，也已为空间和防御应用准备。红外传输％也约为75％。（v）GE 2 SB 2 TE 5（GST）直接过渡到与SE掺杂时的稳定六角形相是一个重要的观察结果。这项工作表明，向亚稳态的立方相的过渡不是快速有效的相变非挥发性内存应用的重要方面。直接过渡到稳定的六角形相也可能导致快速变化。（vi）通过用较小的原子SE替换较大的原子TE来研究原子大小对相变特性的影响。（vii）探索用于热电应用的葡萄干剂玻璃和玻璃陶瓷。（viii）他们的组还制备了氮化碳（C 3 N 4），该碳被预测为具有
非凡的透明度 - 特征毫米波...
a）应向其通信的作者：ll886@cornell.edu摘要用于毫米波电源应用，GAN高电子移动晶体管（HEMTS）通常在高纯度半胰岛的C轴c-轴4H-SIC 4H-SIC substrate上表现出现。对于这些各向异性六边形材料，微带和共浮标互连的设计和建模都需要详细了解普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||分别垂直于c轴。但是，常规的介电特性技术使得很难测量ε||单独或分开ε||来自ε⊥。结果，ε||几乎没有数据，特别是在毫米波频率下。这项工作演示了表征ε||的技术使用底物集成的波导（SIWS）或SIW谐振器的4H SIC。测得的ε||从110 GHz到170 GHz的七个SIW和11个谐振器中，在10.2的±1％以内。因为可以将SIW和谐振器与Hemts和其他设备一起在相同的SIC基板上制造，因此可以在磁力上方便地测量它们，以进行精确的材料磁盘相关性。这种介电常数技术可以扩展到其他频率，材料和方向。高纯度半胰岛六轴六边形4H SIC 1通常用作通过微带传输线（微一起）或接地的Coplanar saveguides（GCPWS）相互连接的毫米波GAN高电动型晶体管（HEMTS）的底物。1）。尽管“静态”ε⊥和ε||这需要精确了解SIC在毫米波频率下的电渗透率，以准确预测沿传输线的波浪的传播延迟和衰减。例如，在微带或GCPW上行进的准电磁（准TEM）波由普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||控制。分别垂直和平行于C轴（图
电子束引起的介质有序的出现...
在小小的不良方向引起的2D材料中有序的中尺度结构允许探索各种各样的电子，铁电和量子现象。到目前为止，唯一诱导这种周期性排序的机制是通过层之间的机械旋转，而所得的Moire模式的周期性与扭角直接相关。在这里，我们报告了通过电子束引起的多层含硫的金属磷酸元素的MNPS 3的介观周期模式出现的根本不同的机制。在周期性的六角形图案的光束下形成，这些图案具有多个特征长度尺度，成核和相之间的跃迁以及局部动力学。
二维原子晶体，用于突出电气装置的Young-Jun Yu电子和电信研究所（ETRI），218 GAJ
下一代电子产品不仅需要较小，而且还需要更灵活。为了满足此类需求，已经深入研究了使用二维原子晶体的电子设备。尤其是在多功能研究领域具有前所未有的性能实现的石墨烯会导致2D原子晶体游行。在本演讲中，我将介绍石墨烯对突出的电晶体管实现的电气表征和应用。即使是上升的2D原子晶体，例如六角硼（H-BN），二硫化钼（MOS 2）和用于现场效应晶体管（FET）的有机薄膜，以符合胜任的增强。
富含硼的金属二吡啶的非平衡反应性...
图1：富含硼的六角形面孔的热力学的从头开始。（a）BOB 2表面的表面相图，其额外表面硼的覆盖范围与B大典型的全局优化采样的覆盖范围不同。虚线标记了与B富集相关的化学潜力。（b）在与B富集相关的化学势方面，采样表面相的大规范自由能。（c）三个表面相（B 0，B 1/9和B 1/3）结构的顶部和前视图，可以通过硼 - 富集来制备。额外的硼原子以黄色圆圈标记。原子的颜色代码：mo - 蓝色，b - 粉红色。
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化物 NbSe 2中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]
铁磁体堆栈和过渡金属二硫族化合物 NbSe2 中的太赫兹自旋到电荷电流转换
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料，其中 C 和 TM 分别表示硫属原子（例如 Se 或 S）和过渡金属原子（例如 Nb、W 或 Mo）。在过去十年中，TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷，从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能（谷电子学）。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC)，[14] 从而导致其他独特特性，例如自旋谷锁定、[15]