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a）应向其通信的作者：ll886@cornell.edu摘要用于毫米波电源应用，GAN高电子移动晶体管（HEMTS）通常在高纯度半胰岛的C轴c-轴4H-SIC 4H-SIC substrate上表现出现。对于这些各向异性六边形材料，微带和共浮标互连的设计和建模都需要详细了解普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||分别垂直于c轴。但是，常规的介电特性技术使得很难测量ε||单独或分开ε||来自ε⊥。结果，ε||几乎没有数据，特别是在毫米波频率下。这项工作演示了表征ε||的技术使用底物集成的波导（SIWS）或SIW谐振器的4H SIC。测得的ε||从110 GHz到170 GHz的七个SIW和11个谐振器中，在10.2的±1％以内。因为可以将SIW和谐振器与Hemts和其他设备一起在相同的SIC基板上制造，因此可以在磁力上方便地测量它们，以进行精确的材料磁盘相关性。这种介电常数技术可以扩展到其他频率，材料和方向。高纯度半胰岛六轴六边形4H SIC 1通常用作通过微带传输线（微一起）或接地的Coplanar saveguides（GCPWS）相互连接的毫米波GAN高电动型晶体管（HEMTS）的底物。1）。尽管“静态”ε⊥和ε||这需要精确了解SIC在毫米波频率下的电渗透率，以准确预测沿传输线的波浪的传播延迟和衰减。例如，在微带或GCPW上行进的准电磁（准TEM）波由普通介电常数ε⊥和非凡的介电常数ε||控制。分别垂直和平行于C轴（图
非凡的透明度 - 特征毫米波...
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