ACEI,血管紧张素转化酶抑制剂; ACR,白蛋白与造丁的比率; ARB,血管紧张素受体阻滞剂; ASCVD,动脉粥样硬化心血管疾病; CGM,连续的葡萄糖监测; CKD,慢性肾脏疾病;简历,心血管; CVD,心血管疾病; DKA,糖尿病性酮症酸中毒; DKD,糖尿病性肾脏疾病; DPP-4I,二肽基肽酶4抑制剂; EGFR,估计的肾小球过滤率; GLP-1 RA,胰高血糖素样肽1受体激动剂; HF,心力衰竭; HFPEF,心力衰竭,保留射血分数; HFREF,心力衰竭,射血分数减少; HHF,心力衰竭住院;狼牙棒,主要不良心血管事件; Mi,心肌梗塞; SDOH,健康的社会决定因素; SGLT2I,钠 - 葡萄糖共转移蛋白2抑制剂; SQ,皮下; T2D,2型糖尿病; tzd,噻唑烷二酮。
Denominator Criteria (Eligible Cases) 1: Patients aged ≥ 18 years on date of encounter AND Diagnosis for heart failure (ICD-10-CM): I11.0, I13.0, I13.2, I50.1, I50.20, I50.21, I50.22, I50.23, I50.30, I50.31, I50.32, I50.33, I50.40, I50.41, I50.42, I50.43, I50.814, I50.82, I50.83, I50.84, I50.89, I50.9 AND Patient encounter during performance period – to be used for numerator evaluation (CPT): 99202, 99203, 99204, 99205, 99212, 99213, 99214, 99215,99242*,99243*,99244*,99245*,99304,99305,99306,99307,99307,99308,99309,99310,99310,99315,99316 99349,99350,99424,99426以及在表现期(CPT):99202,99203,99204,99212,99212,99213,99213,99214 99305、99306、99307、99308、99309、99310、99315、99316、99341、99342、99344、99344、99345、99347、99347、99348、99349、99349、99349、99350、99424、99424、99424、99426(liftric)或中度或严重抑郁的左心室收缩功能的文献:G8923而不是分母排除:具有心脏移植史或具有左心室辅助装置(LVAD)的患者:M1152
由于其优异的光学、电子和物理特性以及更好的可控物理尺寸调整,它填补了这一空白。此外,二维/二维范德华异质结构的层状结构性质最近引起了广泛关注。它们具有可调电子带隙、光吸收、高效的电荷分离和传输、耦合效应和低量子约束等有趣特性。12,14 – 17 Janus TMDs 材料与传统 2D 材料不同,引起了人们的浓厚兴趣。Janus TMDs 材料具有不对称晶体结构、固有平面外极化和压电性等独特特性。 18 – 23 2D/2D 范德华异质结构耦合非常重要,它会产生各种有趣的效果 24,25 这是一种结合不同 2D 材料各种特性的有用方法 26 以促进光伏技术创新。 27 通过将两个单层堆叠在一起,可以根据此优势和可调特性构建 MXO/MoX 2 异质结构。 28
1 西班牙巴塞罗那 IDIBAPS 医院心脏病学部; 2 巴塞罗那大学,西班牙巴塞罗那; 3 西班牙马德里国家心血管研究中心 (CNIC); 4 西班牙马德里心血管疾病生物医学研究中心 (CIBERCV); 5 西班牙巴塞罗那 IDIBAPS 医院肺科; 6 西班牙马德里呼吸系统疾病生物医学研究中心 (CIBERES); 7 西班牙马德里莫拉莱哈大学医院心脏病学系; 8 西班牙马德里 HM 医院-心血管疾病综合中心 HM-CIEC; 9 西班牙巴塞罗那自治大学圣克鲁伊-圣保罗医院 IIb-Sant Pau 心脏病学系; 1 0 西班牙马德里康普斯顿大学 Octubre 1 2 号大学医院心脏病学系,i+1 2 健康研究所; 11 西班牙马德里自治大学 (UAM) Puerta de Hierro-IDIPHISA 大学医院心脏病学系; 1 2 西班牙巴塞罗那巴塞罗那医院-IDIBAPS 心血管外科部; 1 3 飞利浦医疗伊比利亚,西班牙马德里; 1 4 美国纽约州纽约市西奈山伊坎医学院 Zena 和 Michael A. Wiener 心血管研究所; 1 5 IIS-Jimenez Diaz 大学医院基金会,马德里,西班牙
1.1 .................... 提议对 HF No. 7 的 ....... 修正案(H0007A3)进行如下修改:
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由于其独特的属性和应用程序而产生的利息。此外,它们已在广泛的应用中应用,包括催化,储能和生物医学工程。3,4许多先前的研究报道了Ag 2 O /TiO 2,5 WO 3 /ZnO NC,6个SNO 2 /MGO NCS,在抗菌中使用2 O 3 /ZnO NCS 8中的7中,以及由于其出色的特性而进行的抗癌应用。此外,通过添加另一种材料(石墨烯(GO),氧化石墨烯(RGO)(RGO)和聚合物),可以通过改进的合成过程来增强这些NC的物理化学特性。不同的方法,用于制备和生物医学的应用,以减少氧化石墨烯(RGO)的不同金属氧化物NP,以提高其物理化学特性。9,10,例如水果提取物(凤凰
2025年2月10日明尼苏达州立法机关主题:HF 9,第2节 - 碳捕获和隔离国家政策亲爱的众议院能源与财务委员会成员:美国石油研究所(API)赞赏这一机会,以分享我们对HF 9,第2节的支持,这将在Minnesota中建立支持和开发碳捕获和发育的国家政策。API代表了美国天然气和石油行业的所有细分市场,该领域支持了将近1,100万的美国工作岗位,并得到了数百万美国人的基层运动的支持。我们的大约600名成员生产,处理和分发大多数国家能源,并参与API Enerval Excellence,这正在通过促进新技术和透明的报告来加速环境和安全进度。API的许多成员都是碳捕获,利用和存储(CCUS)项目和技术的投资者,运营商和开发人员。API支持通过鼓励创新的合理政策来推动经济发展和温室气体(GHG)排放的努力,以及CCUS等可行排放技术的发展和部署。我们的行业致力于促进较低的碳未来,同时提供负担得起的可靠的能源以满足全球增长的需求,而低碳解决方案对于实现这一目标至关重要。气候专家全球认识到开发和部署CCU的必要性。国际能源机构表示,CCUS技术将在减少批量排放的全球动力中发挥关键作用。1在国际气候变化小组考虑的潜在脱碳途径中,有665千兆二氧化碳二氧化碳的中位数需要累积捕获和储存,并在2100年,2或近9千次捕获或捕获或删除,并平均每年捕获或删除并储存。3此外,CCUS是脱碳,钢,化学,炼油和发电等难以浸入的行业的关键工具。CCUS项目还可以在明尼苏达州创造经济机会并支持创造就业机会。建立强大的CCUS行业可能会通过建设,运营和维护
摘要HF 0。5 ZR 0。 5 O 2(Hzo)基于基于铁的铁电场晶体管(FEFET)Synapse是符合处尺度深神经网络(DNN)应用的承诺候选者,因为其高对称性,准确的准确性,良好的准确性和快速运行速度。 然而,随着时间的流逝,由去极化场引起的remanent极化(P R)的降解尚未有效地解决,从而极大地影响了受过训练的DNN的准确性。 在这项研究中,我们证明了使用FE模式进行高速重量训练的铁电(Fe)抗性切换(RS)可切换突触,并进行稳定的重量存储的RS模式,以克服准确性降解。 FE-RS杂交特性是通过具有非对称电极的基于HZO的金属 - 有线金属(MFM)电容器来实现的,最佳的Fe耐力以及最可靠的RS行为可以通过测试多种电极材料来证明。 在FE和RS模式下都可以实现高内存窗口。 通过这种设计,通过网络仿真验证,随着时间的流逝,保持出色的精度。5 ZR 0。5 O 2(Hzo)基于基于铁的铁电场晶体管(FEFET)Synapse是符合处尺度深神经网络(DNN)应用的承诺候选者,因为其高对称性,准确的准确性,良好的准确性和快速运行速度。然而,随着时间的流逝,由去极化场引起的remanent极化(P R)的降解尚未有效地解决,从而极大地影响了受过训练的DNN的准确性。在这项研究中,我们证明了使用FE模式进行高速重量训练的铁电(Fe)抗性切换(RS)可切换突触,并进行稳定的重量存储的RS模式,以克服准确性降解。FE-RS杂交特性是通过具有非对称电极的基于HZO的金属 - 有线金属(MFM)电容器来实现的,最佳的Fe耐力以及最可靠的RS行为可以通过测试多种电极材料来证明。在FE和RS模式下都可以实现高内存窗口。通过这种设计,通过网络仿真验证,随着时间的流逝,保持出色的精度。
afnia(HFO 2)基于硅河道铁电场效应晶体管(HFO 2 Si-fefet)已对非挥发性记忆进行了广泛的研究[1-7],这要归功于掺杂的hfo 2 [8]中发现铁电性的。HFO 2 Si-fefet的存储窗口(MW)大约是文献报告中的1-2 V [9-12],该窗口不满足其对在多位数存储单元中应用的要求。最近,通过优化铁电层和栅极侧层间层[13],在SI-FEFET中报告了最高10.5 V的大型MW [13]。但是,它没有给出层中层的材料。及其物理机制仍未报告和澄清。为了改善MW,通常有两种方法。当前方法之一主要集中于减少掺杂的HFO HFO 2铁电和Si通道之间的底部SIO X互层中的电场,从而抑制了在掺杂的HFO 2 /SIO X界面处的电荷捕获[14-17]。另一种方法侧重于改进SIO X数量。但是,仍然缺乏改善Si FeFet MW的有效方法。