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中期策略2022–2025
在世界到达十字路口并面临全球重大挑战的时代，教育教育信息技术学院（IETE）的这一战略文件是在制定的。COVID-19的大流行导致了世界的主要背靠背，尤其是低收入国家，以及历史上最大的教育中断。今天，技术进步，人工智能（AI）和其他数字技术的核心，促进了以前从未证明的速度的广泛变化，但提出了新的挑战，例如，与AI所需的定义道德相关的挑战，并确定在教育数字转化过程中确保质量和平等的方式。全球社区已同意17个可持续发展目标（SDG）。联合国教科文组织负责协调其成员国的活动，重点是实现可持续发展目标4，该活动旨在“确保包容性和公平的质量教育并促进所有人的终身学习机会”。IETE将以现有的合作伙伴关系和活动为基础，动员新的合作伙伴和更多资源，以应对公平和包容性教育的挑战，以实现SDG 4目标。联合国教科文组织和联合国教科文组织官家族作为专业联合国特权局，通过教育，科学，文化，社会科学和人文科学，沟通和信息为建立和平，消除贫困，可持续发展和跨文化对话做出了贡献。联合国教科文组织和联合国教科文组织官家族作为专业联合国特权局，通过教育，科学，文化，社会科学和人文科学，沟通和信息为建立和平，消除贫困，可持续发展和跨文化对话做出了贡献。联合国教科文组织有两个全球优先事项 - 非洲和性别平等，将其纳入其计划中，并有适当考虑的重新关注非洲的重点，以确认需要对危机和紧急情况最脆弱和最受影响的最脆弱和最受影响。联合国教科文组织拥有七个类别1的机构，这些机构是联合国教科文组织教育部门的一部分，可以帮助会员国应对他们的教育挑战。类别2类是联合国教科文组织的计划交付部门的重要扩展，也是在其成员国提高联合国教科文组织概况的一种手段。此外，联合国教科文组织通过多个重要网络以及与关键的教育合作伙伴一起工作，以优化其行为和与所有有关方面的影响。联合国教科文组织负责通过教育2030年议程领导和协调与可持续发展目标4相关的活动，并促进许多其他可持续发展目标。
Perumalla教授Naveen Kumar设计
Naveen Kumar Perumalla博士已获得103年历史的Osmania University的电子和传播工程博士学位。他为2006年的本科工程专业的学生撰写了两本书。他在国家和国际期刊，会议，专题讨论会等中都有95多个研究出版物，包括在顶级科学引文指数（SCI）期刊上。他已在JNTU KAKINADA获得“ CHSN-2020：年轻研究员奖”，由AP董事长高等教育委员会，VC Rayalaseema University和VC JNTUK授予。Naveenkumar博士也收到了。在2019年国家科学日举行的“ CV Raman纪念奖2019年”，并获得了多个最佳纸质奖。他已经成功完成了一些国家重要性的研究项目，例如来自太空应用中心，ISRO，科学技术部，印度政府，世界银行技术教育质量改进计划（TEQIP）等。目前正在执行ISRO的一个主要研究项目。Naveenkumar博士在2017年与艾哈迈达巴德ISRO的太空应用中心合作建立了一个新的“高级GNSS研究实验室”，并于2017年在Osmania University，并在RS1CROORE附近拥有沃思的艺术设备/价值。他还是IEEE工业电子产品，太空研究进展，IET Radar Sonar和Naviative International Journal，ACM Computing调查，IEEE天线和传播杂志，IETE技术评论以及许多IEE EEE/其他IEEE/其他IEEE/其他国际/国际/国际会议/国际介绍/天文学和天文学，天文学和天文学，天文学和空间杂志> <他在2019年在IIM Raipur成功完成了他的专业发展计划（PDP）。他还访问了与知识转移有关的几个国家，并与来自日本东京的东京大都会大学（TMU）等各种知名国际机构的许多研究人员进行了互动；德国奥斯大学；纽约州立大学，乔治华盛顿大学和美国锡拉丘兹大学；与知识转移和穆斯特有关的大学，马来西亚，马来西亚，马来西亚，意大利，梵蒂冈市，泰国和马斯喀特的大学与知识转移和摩尔族有关。在奥斯曼尼亚大学（Osmania University），他担任过多个行政职务，例如其他考试控制者，协调官（MOU（OU-ISRO）），部门研究委员会成员，部门委员会成员，博士录取委员会成员，其他董事（中央计算中心）和特别官员。 他是州和国家各级各种著名委员会的成员 他为在工业，研发机构和学术机构工作的科学家和工程师组织了几门课程，研讨会，研讨会等。 他还在计算机的硬件和软件方面组织了社区服务开发计划。 他已经发表了许多邀请的会谈，各种国防组织和学术机构的客座讲师。 在他的指导下，有11个博士学位学者正在进行他们的研究工作，其中2个正在进行论文提交。 他还是大学一级的多个委员会的副总理提名人。在奥斯曼尼亚大学（Osmania University），他担任过多个行政职务，例如其他考试控制者，协调官（MOU（OU-ISRO）），部门研究委员会成员，部门委员会成员，博士录取委员会成员，其他董事（中央计算中心）和特别官员。他是州和国家各级各种著名委员会的成员他为在工业，研发机构和学术机构工作的科学家和工程师组织了几门课程，研讨会，研讨会等。他还在计算机的硬件和软件方面组织了社区服务开发计划。他已经发表了许多邀请的会谈，各种国防组织和学术机构的客座讲师。在他的指导下，有11个博士学位学者正在进行他们的研究工作，其中2个正在进行论文提交。他还是大学一级的多个委员会的副总理提名人。他拥有超过22年的教学和研究经验。目前，他是大学级别的总监（基础设施），并且是电子和通信工程部的教授。他是IETE的会员，也是IEEE（美国），ISTE，IOE，ISOI，BES，OGA，OGA，ISC和IACSIT（新加坡）等多个专业机构的终身会员。他还是IETE的执行委员会成员兼主席（R＆D和IC），以及海得拉巴部分的INCA。他感兴趣的研究领域包括全球和区域导航卫星系统，基于卫星的增强系统以及基于地面的增强系统。
高斯leonardo多项式和...
这项研究首先介绍了高斯莱昂纳多多项式序列。我们获得此序列的基本属性，例如生成函数，Binet的公式，矩阵形式。此外，我们使用Leonardo编号研究了编码端解码方法。最后，我们检查了向接收器发送不正确的错误检测和校正。参考文献[1] Bacaer，N。，《数学种群动力学的简短历史》，Springer-Verlag，伦敦，2011年。[2] Horadam，A。F.，《美国数学月刊》，70（3），289，1963。[3] Shannon，C。E.，《贝尔系统技术杂志》，27（3），379，1948。[4] Moharir，P。S.，IETE研究杂志，16（2），140，1970。[5] Basu，M.，Prasad，B.，Chaos，Solitons分形，41（5），2517，2009。[6] Catarino，P。M.，Borges，A.[7] Soykan，Y。，《数学进步研究杂志》，18（4），58，2021。[8]çelemoğlu，ç。[9] Gauss，C.F。，理论残留物biquadraticorum：评论Secunda，典型Dieterichtianis，1832年。[10] Halici，S.，Sinan，O。Z.
Manodipan Sahoo博士的出版物清单，IIT（ISM）电子工程系副教授，Dhanbad
网页：https：//sites.google.com/view/nanolab-iitdhanbad书籍和书籍章节：1。在兰伯特学术出版商（2019）中出版了一本关于“ CNT和GNR互连的建模和模拟”的书。2。在IET书籍中发表了一章，上面有关“对未来VLSI电路应用的建模互连”，标题为“ VLSI和CMOS Electronics：设备，电路和互连”（2019年），DOI：10.1049/PBCS073G。3。在题为“下一代集成电路设计的纳米互连材料和模型”的书中发表了一章，上面写着“混合铜碳作为互连材料及其互连模型”（CRC Press，2023年）。国际期刊：J26。S. Bardhan，M。Sahoo，J。Samanta和H. Rahaman，“短通道单层单层石墨烯场效果晶体管的准核糖模型”，包括散射效果”，IETE Research Journal，Taylor和Francis Publishers，2024年，DOI：10.1080/03770/037772063.202244.244.2444。J25。 N. K. Singh和M. Sahoo，“对TMD Tunnel FET中不同掺杂技术的比较研究，用于子Deca纳米技术节点”，《电子材料杂志》，5月，2023年，doi：10.1007/s11664-023-1023-10505-8，链接：J25。N. K. Singh和M. Sahoo，“对TMD Tunnel FET中不同掺杂技术的比较研究，用于子Deca纳米技术节点”，《电子材料杂志》，5月，2023年，doi：10.1007/s11664-023-1023-10505-8，链接：
博士A. MOHANBABU ME，博士，助理教授（高级），SRM 科学技术学院，Bharathi Salai，Ramapuram，钦奈，泰米尔纳德邦
Dr. A. MOHANNBABU ME，博士，助理教授（高级），SRM 科学技术学院，Bharathi Salai，Ramapuram，钦奈，泰米尔纳德邦 600089。A. Mohanbabu 博士分别于 2011 年和 2013 年获得印度钦奈安娜大学电子与通信工程学士 (BE) 学位和印度钦奈安娜大学 VLSI 设计硕士学位 (ME)。他于 2018 年 3 月获得博士学位，论文题目为“具有增强模式 (E-Mode) 操作的高级 III-V 异质结构量子阱器件，用于高功率开关、模拟/射频应用”，印度钦奈安娜大学信息与通信工程系，研究领域为复合半导体器件建模与仿真。此外，他还获得了 CSIR HRD 的高级研究奖学金 (SRF) [奖学金编号：(09/468/0497/2016 EMR-I)]，以进行为期两年的全日制博士研究。目前，A. Mohanbabu 博士在印度钦奈拉马普拉姆 SRM 科学技术学院电子与通信工程系担任助理教授。他在同一领域的国际知名期刊上发表了近 22 篇科学索引 (SCI) 期刊和 4 篇 Scopus 期刊。他是各种期刊的审稿人，例如 IEEE Transaction on Device Materials and Reliability、IEEE Access、IETE Technical Review 等。他目前的兴趣是纳米电子器件建模、高功率 GaN 器件的模拟和特性。