XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemIONS
高电荷氙离子与金纳米层相互作用中的能量沉积和纳米结构的形成
研究了慢速高电荷氙离子的动能和中和能沉积对金纳米层表面纳米结构形成过程的影响。通过在晶体硅 Si(100) 基底上电子束蒸发金来制备厚度为 100 nm 的纳米层。样品在 Jan Kochanowski 大学（波兰凯尔采）的凯尔采 EBIS 设施中在高真空条件下进行辐照。辐照条件为恒定动能 280 keV 和不同的离子电荷态（Xe q +，q = 25、30、35、36 和 40），以及恒定电荷态 Xe 35 + 和不同的动能：280 keV、360 keV、420 keV 和 480 keV。离子通量为 10 10 离子/cm 2 的水平。在辐射之前和之后，使用原子力显微镜研究了纳米层表面。结果观察到了纳米层表面以陨石坑形式出现的明显变化。对陨石坑尺寸（表面直径和深度）的系统分析使我们能够确定沉积动能和中和能对获得的纳米结构尺寸的影响。基于离子里德堡态布居的量子双态矢量模型，在微阶梯模型中对结果进行了理论解释。固体内部电荷相关的离子-原子相互作用势用于计算核阻止本领。根据该模型，纳米结构的形成受表面前方离子中和过程和固体内部动能损失的控制。这两种过程在表面结构形成过程中的相互作用用临界速度来描述。利用所提出的理论模型计算了中和能、沉积动能和临界速度，并与实验结果进行了定性比较。结果与先前对单电离氙和结晶金表面的实验数据和分子动力学模拟结果一致（归一化后）。
通过二元碰撞近似代码评估 keV 离子的轨迹相关电子能量损失
高能离子的非弹性能量沉积是许多工业规模应用（如溅射和离子注入）的决定性量，但其由动态多粒子过程控制的底层物理通常仅被定性地理解。最近，对单晶靶材进行的透射实验（Phys. Rev. Lett. 124, 096601 和 Phys. Rev. A 102, 062803）揭示了沿不同轨迹的低能离子（比质子重）的非弹性能量损失的复杂能量缩放。我们使用类似蒙特卡洛的二元碰撞近似代码，并配备与撞击参数相关的非弹性能量损失模型，以评估这些情况下局部贡献对电子激发的作用。我们将计算出的轨迹的角强度分布与实验结果进行了比较，其中 50 keV 4 He 和 100 keV 29 Si 离子在飞行时间装置中传输通过单晶硅 (001) 箔（标称厚度分别为 200 和 50 nm）。在这些计算中，我们采用了不同的电子能量损失模型，即轻弹丸和重弹丸的局部和非局部形式。我们发现，无论晶体相对于入射光束的排列如何，绝大多数弹丸最终都会沿着它们的轨迹被引导。然而，只有当考虑局部电子能量损失时，模拟的二维图和能量分布才会与实验结果高度一致，其中引导会显著减少停止，特别是对于较重的弹丸。我们通过评估离子范围与随机表面层厚度的非线性和非单调缩放来证明这些影响与离子注入的相关性。
729 nm Ti:Sa 激光器的频率稳定性，用于捕获钙离子中的量子比特操控
捕获 40 Ca + 离子的量子信息科学实验需要波长为 729 nm 的窄线宽激光器来驱动 4 2 S 1 / 2 和 3 2 D 5 / 2 之间的量子比特跃迁。本文介绍了一种钛宝石激光器，该激光器使用 Pound-Drever-Hall 技术将频率稳定到波长为 729 nm 的参考腔。激光线宽是通过与其他频率稳定激光器的拍频测量和对单个捕获 40 Ca + 离子的 Ramsey 实验来测量的。最窄的测量线宽 (FWHM) 是通过拍频测量获得的，在测量时间为 1 s 时为 4.2(17) Hz，代表了钛宝石激光器线宽的上限。在参考腔下方安装隔振板后实现了这个最窄的线宽。对已安装的光纤噪声消除和激光强度稳定装置的分析表明，光纤和激光强度噪声不会限制最窄的测量线宽。还利用其他频率稳定激光器的拍频测量来获得稳定激光器频率漂移的值，测量结果为 -371(3) mHz/s。
对燃料中的ap f hyd pplicati ogen f ions的研究r ...
许多国家，包括印度，美国，澳大利亚和日本，已经制定了在各个经济领域采用绿色氢的战略和路线图。尼泊尔也通过设定目标和实施支持政策来表现出对这项创新技术的兴趣。值得注意的是，污染研究中心与密歇根州韦斯特工业合作开发了2007年尼泊尔国家氢能路线图。此外，第二个全国确定的2020年拟议目标的贡献在2030年和2045年。政府还通过在2022/23财政年度在化肥工厂中包括绿色氢和绿色氨技术采取了行动。各种研究机构，例如加德满都大学的绿色氢实验室，正在积极研究氢技术，同时协作努力，例如尼泊尔电力局与加德满都大学之间的理解备忘录，旨在使氢生产氢生产氢。此外，尼泊尔石油公司还对包括氢在内的替代燃料进行了研究。
分布式能源的自充电电力系统
我们报告了基于2-氰基甲基三甲氧基硅烷（CNETM）对介电和储能储存性能对脉冲功率应用的介电性和能量储存性能的残留离子在介电溶胶胶片中的影响。使用了从1.5到6.5的广泛pH催化cnetms sol-gel膜。在近中性pH下处理的溶胶 - 凝胶膜具有改进的介电和能量储能特性，包括11个微型模量，泄漏电流的降低阶，可提取的能量密度为32 j/cm 3，能量提取效率为80％，在685 v/µm时，与在ph/µm相比，ph/µm的能量提取效率为80％。这些改进归因于Sol-Gel膜中离子量减少，这被认为可以抑制可能触发现场驱动的散射和影响电离的移动电荷载体的有害影响，以及随后在高电压下造成灾难性电气故障。目前的工作表明，基于三功能的烷氧基硅烷对脉冲功率应用，工程剩余的荷兰膜中工程剩余载体的重要性。
H和He离子在自支撑，单晶SIC箔
已经研究了h和he离子在SIC中的特定能量沉积。实验是在乌普萨拉大学（Uppsala University）350 KeV Danfysik植入器的飞行时间中型能量离子散射系统中在传输几何形状中进行的。目标是一个自支撑，单晶立方3C - SIC（100）箔，标称厚度为200 nm。将测得的停止跨第二次与文献和理论预测可用的数据进行了比较。随机几何形状的结果表明的值比SRIM对H弹丸预测的值略低，而对于HE弹丸，在所研究的整个能量范围内观察到了良好的一致性。对于所有测得的能量以及H和HE离子，与通道几何形状相比，沿随机轨迹观察到更高的特异性能量损失。对于H离子，差异很小，而对于He离子，通常发现它们更为明显。
通过椭圆偏振光谱法现场监测 Sb 离子注入单晶 Ge 过程中的无序和空腔演变
Tivadar Lohner 1 、Attila Németh 2 、Zsolt Zolnai 1 、Benjamin Kalas 1 、Alekszej Romanenko 1 、Nguyen Quoc Khánh 1 、Edit Szilágyi 2 、Endre Kótai 2 、Emil Agócs 1 、Zsolt Tóth 3 、Judit Budai 4,5 、Péter Petrik 1,* 、Miklós Fried 1,6 、István Bársony 1 和 † József Gyulai 1
对钒氧化物中的反应机制的原位和操作分析，用于LI-，Na-，Zn-和Mg ions电池
然而，V x o y阴极的商业应用仍然受到限制，主要是因为该材料是在其充电状态下合成的（即没有互插离子的来源：LI，Na，Zn和Mg）和毒性。为了解决以前的化学插入，已经研究了将离子源插入V x o宿主材料中，包括Li X-，Na X-，Zn X - 和Mg X -V Y O Z。[24–30]插量离子不仅充当层中的支柱，以防止结构变形，而且还增加了层中离子源的量。先前的评论论文全面报道了基于V X O Y的材料的特征，并总结了其作为在LIBS，NIBS，ZIB和MIBS中用作阴极的电化学性能。[12,13,25,26]然而，要详细了解储能机制是很有吸引力的，因为它们在充电和电荷过程中监测实时反应，因此详细了解储能机制是有吸引力的。在这里，“原位”是指“在现场或反应物内部”，而“ Operando”是指“在工作或操作条件下”，但是这些术语通常在文献中互换。更普遍地说，“原位/操作分析”用于描述实时电化学操作下的电化学分析。[31–34]
镁离子在氧化钼结构中的存储，被检查为可充电镁电池的有前途的阴极材料
领域中最重要的挑战是开发用于大型储能的有效技术（数百个TWH的水平），这将允许使用可再生能源（主要基于太阳能和风能）。这种技术应基于地壳中最丰富的元素，以变得具有成本效益。因此，今天非常重要的是，开发可靠且耐用的钠离子电池和磁电池非常重要。可充电镁离子电池（MIB）被称为锂离子击球仪（LIB）的潜在替代方法，并且非常适合大型储能应用，并引起了人们的注意作为有希望的多价金属电池技术。这些电池比LIB具有多个优势，包括由于镁的较高丰度和较高的特定能力（含量和体积）的可能性降低，形式
一种定量方法，用于确定在离子辐照的金属中空隙肿胀期间不受注入的间隙和表面影响影响的区域
Figure 1 Cross-sectional TEM micrographs of Fe irradiated at 475 C to (a-1) 50 peak dpa by 5 MeV Fe ions, (a-2) 50 peak dpa by 3.5 MeV ions, (a-3) 50 peak dpa by 2.5 MeV ions, (a-4) 50 peak dpa by 1 MeV ions, (b-1) 100 peak dpa by 5 MeV ions, (b-2) 100 peak DPA乘以3.5 MeV，（B-3）100峰值DPA乘以2.5 MeV，（B-4）100峰值DPA乘以1 MeV离子。箭头指示梁照射方向。红色实心曲线是SRIM计算的DPA曲线，黑色虚拟曲线是植入的Fe曲线。在每个显微照片的底部显示了表面空隙的裸露区域的宽度。