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临床前研究的一般考虑
目录1。Introduction ............................................................................................................................. 6 2.Scope ....................................................................................................................................... 6 3.Definitions ............................................................................................................................... 8 4.Part A: Preclinical data requirements .................................................................................... 11 4.1.New drug applications ....................................................................................................... 11 4.2.New generic drug application ............................................................................................ 12 4.3.Impurities ........................................................................................................................... 13 4.3.1.Qualification of Organic Impurities ............................................................................... 13 4.3.1.1.Mutagenicity Assessment of Impurities ..................................................................... 14 4.3.2.Qualification of Residual Solvents and Elemental Impurities ....................................... 14 5.Part B: Writing Guide for Non-clinical Study Reports ......................................................... 15 5.1.Documents Format ............................................................................................................. 15 5.3.非临床书面和列表摘要...........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................非临床研究报告.......................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................Appendices ............................................................................................................................ 22
FR-997-陶瓷数据表 032823
物理特性 颜色 目测 象牙色 密度 g/cm3 ASTM C373-88, ASTM C20 3.91 晶粒尺寸 微米 ASTM E112-10 25 结晶相 % Alpha XRD 100 吸水率 % ASTM C373-88 0% 抗弯强度 PSI 3 点 PSI ASTM C1161, F417 39,870 弹性模量 GPA per ASTM C1198 ASTM C1198 347 泊松比 ASTM C848 0.22 抗压强度 (PSI) ASTM C773 323,000 硬度 (GPA) ASTM C1327 维氏 1342 断裂韧性 MPa√m 单边缺口 4.19 添加剂 (YtO3) Wt% ICPMS N/A 杂质 (SiO2 ) PPM GDMS <500 杂质 (Na2O) PPM GDMS <400 杂质 (CaO) PPM GDMS <400 杂质 (K2O) PPM GDMS <100 杂质 (Fe2O3) PPM GDMS <400 杂质 (TiO2) PPM GDMS <100 杂质 (C) PPM GDMS <50 杂质 (S) PPM GDMS <50
有关利托那韦的新兴科学技术信息
亚硝胺药物相关杂质 (NDSRI) 是一类 N -亚硝胺 (亚硝胺) 杂质，其结构与药品中的活性药物成分 (API) 相似。（请参阅 FDA 关于人用药物中亚硝胺杂质的行业控制指南（2024 年 9 月）、亚硝胺药物相关杂质 (NDSRI) 的推荐可接受摄入量限值（2023 年 8 月）、CDER 亚硝胺杂质可接受摄入量限值（2024 年 10 月））。FDA 正在告知含利托那韦产品的制造商和申请人，包括那些正在等待 FDA 审批的申请的制造商和申请人，FDA 对此类药品中可能存在的亚硝胺杂质的担忧。亚硝胺杂质含有亚硝基，因此它们被归类为 M7(R2) DNA 反应性杂质指南中所述的高致癌性“关注群体”。（请参阅 FDA 行业指南 M7(R2)《评估和控制药品中的 DNA 反应性（致突变性）杂质以限制潜在致癌风险》（2023 年 7 月））。
ethiqa xr
I.简介（1）2药物的合成涉及使用反应性化学物质，试剂，溶剂，催化剂和其他加工辅助物。由于化学合成或随后的降解，杂质存在于所有药物和相关的药物中。尽管国际统一委员会（ICH）新药物质中的工业Q3A杂质指南（修订2）（ICH Q3A）（2008年6月）和新药产品中的Q3B（R2）杂质（ICH Q3b（r2））（2006年8月）（参考（参考）（参考）1，2）为大多数杂质提供了指导和控制的指导，为DNA反应性的那些杂质提供了3个有限的指导。本指南的目的是提供一个适用于这些诱变杂质的识别，分类，资格和控制以限制潜在的致癌风险的实用框架。本指南旨在补充ICH Q3A，ICH Q3B（R2）（注释1）和ICH行业M3（R2）非临床安全研究指南，用于进行人体临床试验和制药的营销授权（2010年1月）（参考文献。3）。本指南强调考虑安全和质量风险管理的考虑，以建立诱变杂质的水平，这些杂质有望带来可忽略的致癌风险。概述了对居住或合理期望居住在最终药物或产品中的诱变杂质评估和控制的建议，考虑到人类使用的预期条件。一般而言，FDA的指导文件并未确定合法可执行的责任。相反，指南描述了该机构对某个主题的当前思考，除非引用特定的监管或法定要求，否则应仅将其视为建议。
人工智能辅助化学反应杂质预测和...
除了预期的主要产品外，大多数化学反应还会产生大量副产品和副产物。虽然化学家可以预测许多主要的工艺杂质，但列举可能的次要杂质仍然是一个挑战，而系统地预测和追踪来自原材料或从一个合成步骤传播到下一个合成步骤的杂质则更具挑战性。在本研究中，我们开发了一种人工智能辅助方法，使用主要反应物以及这些材料中的试剂、溶剂和杂质作为输入，来预测和追踪多步反应中的杂质。我们展示了该工具在从苯酚合成对乙酰氨基酚的简单案例中的实用性，并提供了涵盖大多数化学反应的通用框架。我们的解决方案可用于 (1) 更快地阐明杂质、(2) 自动解释高通量反应筛选产生的数据，以及 (3) 更彻底的原材料风险评估，其中每一项都代表了小分子药物商业工艺开发中的关键工作流程。
白皮书 高纯氧化铝（HPA）在锂离子电池隔膜上的应用
为提高隔膜性能、降低热失控概率，在 PE/PP 膜上采用陶瓷颗粒（主要是氧化铝（Al 2 O 3 ）颗粒）涂覆一层陶瓷层。涂覆的氧化铝层可防止隔膜在高温下发生故障，并阻止枝晶对隔膜的损坏。要求氧化铝必须足够纯净（通常纯度为 99.99%），因此金属阳离子杂质和金属杂质低于几 ppm。杂质可能会渗入电解液，并在电池运行过程中形成枝晶，或者形成加速枝晶形成的晶核。陶瓷层中的金属是短路的根源，无论是由原材料和制造过程引入的，还是在运行过程中形成的。陶瓷层中的杂质更有害，因为它靠近聚合物膜。
遗传与分子毒理学
N-亚硝胺药物杂质是FDA关注的重点，尤其是由药物本身形成的亚硝胺杂质，称为N-亚硝胺药物相关杂质或NDSRI。杂质可以在药物生命周期的任何时间形成，例如作为合成副产物、在储存过程中以及在接受治疗的患者体内产生的NDSRI。使用突变试验可以识别可能增加癌症风险的N-亚硝胺杂质；具有致突变性的N-亚硝胺被认为是致癌物质，在药物中的含量被控制在非常低的水平。因此，FDA开发能够识别致突变N-亚硝胺的测试模型非常重要。DGMT科学家与药物评估和研究中心（CDER）亚硝胺药物杂质工作组合作，使用体外细菌和人类细胞突变试验评估一系列小分子N-亚硝胺和NDSRI的致突变性和遗传毒性。此外，还使用二维 (2D) 和三维 (3D) 人类肝细胞 (HepaRG) 模型测试了八种不同的 N-亚硝胺的遗传毒性。最后，对不同的 N-亚硝胺在转基因啮齿动物中的致癌性进行了评估。这些研究的目的是开发筛选和后续检测方法，以高置信度确定 N-亚硝胺药物杂质的癌症风险。以下出版物描述了这些研究的结果：Regul Toxicol Pharm 和 Arch Toxicol。
![arxiv：2402.06972v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年2月17日](/simg/0\04127dd52c304790cd1a796f479cf4c3761cb32e.webp)
arxiv：2402.06972v2 [cond-mat.mes-hall] 2024年2月17日
Casimir效应[1，2]是由于量子真空波动引起的中性物体的相互作用。对高级材料之间Casimir相互作用的研究是一个新的和有希望的研究领域[3]。一方面，这些材料的异常电子特性会对Casimir力产生有趣的影响。另一方面，Casimir实验的提高质量使它们成为探索材料本身的有用工具。dirac材料（在足够低的能量下遵守二级式dirac-type方程）为我们提供了一个量子场理论与凝结物质之间相互作用的示例。石墨烯是该家族的重要代表[4，5]。处理狄拉克材料是很自然的，可以通过清理的极化张量来描述与电磁场的相互作用，并使用此张量来计算Casimir相互作用。在石墨烯的情况下，在[6]和[7]中使用了这种方法，分别在零和非零温度下使用。值得注意的是，石墨烯的Casimir相互作用的极化张量方法是实验中唯一证实的方法[8-11]。所有真实材料都包含杂质。特定形式的杂质可能会有所不同。杂质是指破坏原始材料清洁度的一般形式。在评论[12-15]中可以找到石墨烯样材料中杂质和缺陷的分类。石墨烯的二维性质减少了可能的缺陷和杂质类型的数量。因此，我们不会尝试关键是，它在居住在石墨烯表面外面的ADATOM或替代杂质在能量上有利。可能会被充电[16-18]，磁[15]，同位素[19，20]，拓扑结构（例如五角大州和七肠）[13，21]，或者是缺陷和生长诱发的缺陷等缺陷[22]和群集缺陷[12]。有意的杂质通常称为掺杂剂，而杂质本身可以是故意的，也是无意的（意外）。掺杂用于改变材料的物理或化学特性。石墨烯中的杂质[23，24]可能会将狄拉克附近的线性分散体转换为二次的杂质，这表示杂质引起的质量间隙的外观。描述杂质及其对材料物理特性的影响有不同的方法。常见是具有射击或远程电位[13]和散射方法[25，26]的紧密结合模型。使用石墨烯中的各种杂质类型，我们需要一个良好的模型，该模型可以捕获杂质的通用特性，同时非常简单地用于计算偏振张量。一种成功描述杂质的方法在于将准粒子的传播器添加到描述杂质散射率的参数γ。换句话说，γ是fermion自能的虚构部分。在[27 - 31]中的外部磁场存在大多数情况下，这种描述已应用于石墨烯。我们将自己限制在零温度和消失的化学潜力的情况下。[31]的计算与石墨烯中巨型法拉第旋转的测量[32]非常吻合。原则上γ可以取决于频率，尽管保持频率似乎是一个良好的近似值。在这项工作中，我们忽略了杂质的另一个作用，这是它们产生非零化学势µ的能力。在[10，11]中考虑了石墨烯表面上原子（主要是钠）的一种特殊形式的杂质（主要是钠）及其对Casimir力的影响。根据这些论文，这种杂质会导致石墨烯的质量间隙和非零化学潜力，而不是通过散射速率γ描述的杂质散射的出现。本文的主要目标是研究杂质散射速率γ对石墨烯与理想金属之间Casimir相互作用以及两个石墨烯片之间的影响。这是一个简化的设置。