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无茎INSB纳米线网络和纳米片在INP
在耐断层拓扑回路实现实验中的摘要是将纳米线与最小疾病相互连接。合并形成的平面外依赖二胺（INSB）纳米线网络是潜在的候选者。然而，它们的生长需要一个外来物质茎通常由INP – INA制成。该茎施加了局限性，其中包括限制纳米线网络的大小，通过晶界和杂质掺入引起障碍。在这里，我们省略了INP底物上无茎INSB纳米线网络的生长。为了使生长无茎，我们表明在INSB生长之前，需要使用Arsine（Ash 3）进行预处理。通过用纳米腔的选择性区域掩膜对底物进行构图，可以实现无茎纳米线生长的高收益，其中包含纳米线产生的受限金液滴。有趣的是，这些纳米线是弯曲的，由于合并故障而构成了互连纳米线网络的挑战。我们将这种弯曲归因于INSB纳米线中的砷杂质和插入式晶格不匹配的非均匀掺入。通过调整生长参数，我们可以减轻弯曲，从而产生大型和单晶的INSB纳米线网络和纳米片。这些纳米结构的大小和晶体质量的提高扩大了该技术制造先进量子设备的潜力。
主持人雇主：INPTE PTE LTD实习职位：期权协调员行业银行/金融/保险部：管理期限： div>之间
关键职责和职责1。数据提取和分析与IT团队合作，设计和实施用于提取与黄金和白银选项相关的实时和历史数据的系统。专注于获得Delta，Gamma，Theta，Vega和Rho等选项的准确和可行的值。2。系统开发在构建IT基础架构方面进行了协作，以有效地处理和存储提取的选项数据。识别并推荐适用于黄金和白银选项分析的工具，API和平台。3。定量分析支持有助于定义为期权交易开发定量算法所需的参数和数据结构。在与期权相关的情况下，提供了有关市场趋势和波动性的见解。4。跨团队合作与定量分析师，交易者和IT开发人员紧密合作，以使数据提取工作与更广泛的交易目标保持一致。确保数据管道与交易平台的无缝集成。
在电信 C 波段附近的金属有机气相外延中通过改进的液滴外延在 InGaAsP/InP(100) 上自组装 InAs 量子点，用于量子光子应用
这些材料在激光中被广泛应用，包括作为激光器中的活性介质[3-5]、作为量子信息技术的纯单光子和纠缠光子对源[6]、以及作为新型纳米存储器件的构建块。[7-9] 特别是 InAs/InP 量子点，由于其与 1.55 μ m 的低损耗电信 C 波段兼容，目前作为单光子发射器非常有吸引力。[10,11] 金属有机气相外延 (MOVPE) 中的液滴外延 (DE) 是一种新近且非常有前途的 QD 制造方法，因为它结合了大规模外延技术和多功能外延方法。[12-15] 这是一种相对较新的工艺，其生长动力学尚未完全了解，特别是对于与电信波长兼容的 III-V 材料系统，例如 InAs/InP。因此，它在制造用于广泛应用的电信 QD 方面具有巨大的发展潜力。此外，使用 InP 作为基质材料可以实现 InAs 量子发射体的生长，而无需任何额外的变质缓冲剂（例如 AlInAs/GaAs）。[16 – 18]
光子集成电路（图片）：从INP到Gan- ...
关键字：从第一个实用的（商业）系统实现（SOC）实现到当前状态的基于INP的光子积分电路（PICS）的光子集成电路，光发射器，光子接收器，光子传感器，量子计算抽象进步的抽象进步。使用基于GAN的半导体扩展到光子IC到可见的和近脉冲光谱，有望在光学通信，传感和量子溶液中大量应用。ntroduction Modern Electronics始于晶体管的发明和少数载体注入的发现[1]。综合电路（IC）的发明以及半导体技术的可扩展性[2，3]急剧改变了我们的现代世界，因为晶体管和半导体技术的能力不断提高固态循环的功能，性能和可靠性，同时降低其大小，电力，电力，成本和成本。此缩放率是指数级的，如今导致了每芯片超过500亿晶体管的综合电路，每晶体管成本<0.1微米。集成电路的关键值是通过消除需要通过半导体批处理和晶圆刻度处理来提供设备和电路连接来实现这些改进的能力。半导体激光[4]，半导体合金激光[5]以及化合物半导体合金[5]的相关可行性引发了将电子集成电路概念扩展到光子学的可能性。这是Miller [6]在《贝尔系统技术杂志》中首次提出的：本文概述了针对激光束电路微型形式的提案……光刻技术可能允许同时构建复杂的电路模式……如果实现……经济应产生。在该提案以来的过去50多年中，有许多有关图片的研究演示。但是，从综合组成部分中得出的经济价值通常不会超过整合本身的成本，这限制了图片的商业成功和发展。迄今为止，图片的介绍和缩放主要是由它们用于光学通信的使用
CuInP 2 S 6 薄膜的压电、热电和电热性质的应变诱导转变
低维铁电体、亚铁电体和反铁电体由于其不同寻常的极性、压电、电热和热电特性而受到迫切的科学关注。层状二维范德华材料（如 CuInP 2 (S,Se) 6 单层、薄膜和纳米薄片）的铁电特性的应变工程和应变控制具有根本性的意义，尤其有望在纳米级非易失性存储器、能量转换和存储、纳米冷却器和传感器等高级应用中得到应用。在这里，我们研究了半导体电极覆盖的亚电介质 CuInP 2 S 6 薄应变膜的极性、压电、电热和热电特性，并揭示了失配应变对这些特性的异常强烈影响。特别是，失配应变的符号及其大小决定了压电、电热和热电响应的复杂行为。与许多其他铁电薄膜相比，应变对这些特性的影响是相反的，即“异常的”，对于这些铁电薄膜，平面外剩余极化、压电、电热和热电响应对于拉伸应变强烈增加，对于压缩应变则减小或消失。
分层2D铁电Cuinp2s6
摘要：纳米级铁电2D材料提供了研究曲率和应变对材料功能的影响的机会。在其中，由于室温铁电位的组合，对少数层厚度的可伸缩性以及由于2个极高的共存性，Cuinp 2 S 6（CIPS）近年来引起了近年来的巨大研究兴趣。在这里，我们通过压电响应力显微镜和光谱探索了CIPS极化的局部曲率和应变影响。为了解释观察到的行为并使2D CIPS中的曲率和应变效应脱离，我们介绍了有限的元素landau- ginzburg-德文郡模型，揭示了经受拉伸菌株和压缩应变的地区的滞后特性的强烈变化。压电力显微镜（PFM）的结果表明，弯曲会诱导CIPS中的铁晶域，并且极化 - 电压磁滞回路在弯曲和非弯曲区域不同。这些研究提供了有关曲率工程纳米电子设备的制造的见解。关键字：Cuinp 2 S 6，铁电，挠性，应变，曲率，2D材料，压电响应力显微镜W
INP DHBT分析建模：朝向THZ晶体管
摘要 - INP双极双极晶体管（INP DHBTS）是考虑到Tera-Hertz（THZ）应用的关键技术之一。提高其频率性能是具有挑战性的，并且很大程度上取决于各种参数（制造过程，几何和外延结构）。在本文中，开发了一种新颖的方法来考虑这些参数并预测技术的频率性能。这种方法包括重建小信号模型的S参数矩阵。小型信号模型的元素被识别，并详细描述了它们的评估。 一旦用当前的最新设备功能进行校准，该模型与测量值显示了很好的一致性。 基于此结果，对发射极和基础技术特征进行分析以及垂直结构的优化。 最后，详细介绍了开发THZ晶体管的必要优化。 这项工作为技术改进提供了指南，并为设计以高于THZ的频率运行的晶体管开辟了道路。小型信号模型的元素被识别，并详细描述了它们的评估。一旦用当前的最新设备功能进行校准，该模型与测量值显示了很好的一致性。基于此结果，对发射极和基础技术特征进行分析以及垂直结构的优化。最后，详细介绍了开发THZ晶体管的必要优化。这项工作为技术改进提供了指南，并为设计以高于THZ的频率运行的晶体管开辟了道路。
sub-mw低温INP HEMT LNA用于量子读数
摘要 - 低温磷化物（INP）高电子动力晶体管（HEMT）低噪声放大器（LNA）用于在4 K处的Qubits读数放大，其中冷却能力有限地暗示活性电路的DC功率是一个必不可少的设计约束。在本文中，在4 K处的超功率（ULP）操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。 将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。 制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的，并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。 在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益，平均噪声温度为200 µW DC功率。在本文中，在4 K处的超功率（ULP）操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的，并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益，平均噪声温度为200 µW DC功率。
通过INP和INP/ZNS量子点对胶体纳米晶体的实验介绍
摘要：量子点是胶体半导体纳米晶体，显示尺寸依赖性电子和光学特性。这些材料是量子力学效应的视觉演示。在这里，我们为本科/学士学生提供了一项实验室练习，以介绍胶体纳米晶体和量子点。学生合成了三种尺寸的磷化磷化物（INP）纳米晶体，并执行用硫化锌（INP/ZNS）壳壳壳的磷化磷化物核心的一个核/壳合成。获得的量子点的特征是定量UV- VIS，光致发光和1 H NMR光谱。学生熟悉了几个概念：纳米晶体合成，胶体，啤酒 - 兰伯特法，量子限制，光致发光和表面化学。对于每个概念，都提供背景信息，为该报告提供了针对学生和教师的全面介绍。磷化物是在本科实验室中处理的一种更安全的材料，与硒化镉（CDSE），氯康省溴化物（CSPBBR 3）或硫化铅（PBS）纳米晶体相比。关键字：动手学习/操纵，实验室教学，无机化学，纳米技术，上级本科生，材料科学■简介