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双Si平面掺杂提高InP基HEMT的辐射抗力
提出一种采用双Si掺杂平面优化的InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)抗辐照结构,在沟道层下方增加Si掺杂平面,使InP基HEMT的沟道电流、跨导、电流增益截止频率和最大振荡频率均有较大提升。此外,详细比较了单Si掺杂和双Si掺杂结构在75keV质子辐照(剂量分别为5×10 11 cm − 2、1×10 12 cm − 2和5×10 12 cm − 2)后的直流(DC)和射频(RF)特性及其降低率。两种结构的DC和RF特性均随着辐照剂量的增加而逐渐下降,尤其在5×10 12 cm − 2剂量下下降最为显著。此外，双硅掺杂结构的特性退化程度明显低于单硅掺杂结构，尤其是在较大的质子辐照剂量下。通过插入另一个硅掺杂平面来提高质子辐射耐受性可能是由于本征载流子大幅增加，这必然会大大削弱辐照诱导缺陷对载流子去除的影响。
InP和GaAs双栅极MOSFET的设计与分析
摘要 本文分析了一种由III族材料（铟、镓）和V族材料（磷化物、砷化物）统一构成的新型双栅极MOSFET（DG MOSFET）。由于其对短沟道效应的免疫、漏电流的减少和更高的扩展潜力，DG MOSFET成为低功耗应用最舒适的器件之一。在本文中，我们研究了基于磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）的DG MOSFET通过取代基于硅的传统DG MOSFET对最佳性能和漏极电流特性的影响。晶体管的沟道长度设定为20纳米。这两种器件都使用NanoHub模拟器建模，并使用Matlab检查了特性。通过相应的绘图结构对特性进行了描述性分析——能带结构、ID vs V GS特性、ID vs V GS特性、跨导。从提供的结果来看，基于 InP 的 DG MOSFET 器件提供的导通电流为 10 -3 A，优于基于硅和砷化镓 (GaAs) 的 DG MOSFET 器件。关键词：DG MOSFET、GaAs、InP、导通电流、关断电流
数据表 InPro 6860i – 30 029 629 - 梅特勒托利多
InPro 6860 i 配备智能传感器管理 (ISM) 技术，可简化传感器处理并减少维护。使用即插即测功能，无需配置，可消除处理错误的风险。传感器诊断可提供所有必要信息，以决定传感器是否适合下一批产品。传感器漂移可自动校正，以实现最高的长期稳定性和测量精度。由于传感器内部采用 ISM 技术，即使 InPro 6860 i 直接与模拟信号集成，而不是使用变送器，也可以进行这种补偿。
辅助电池优化器ABS + LVD = ABO ...- inpower
传统上，辅助电池通过两端辅助电池开关连接到车辆的底盘电池，从而使车辆充电辅助电池，同时防止辅助设备排放机箱电池。由于辅助负载直接连接到辅助电池，因此辅助电池可能会因负载过度排放，从而降低了电池寿命。
改进了基于Algainp的红色（670–690 nm）表面 -
Algainp材料技术在过去几年中一直在稳步发展，从而导致高性能的边缘发射激光〜EEL！1和红色的垂直腔表面发射激光器〜VCSEL！。2,3相对于Algainp系统，藻类受益于改进的指数对比度，降低的电阻和热电阻率，更成熟的加工技术，以及将碳用作p-型掺杂剂的能力，以实现出色的掺杂剂控制和稳定性。4然而，将基于ALGAINP的活性区与基于C的基于藻类的DBR集成是通过较差的载流子转运到AlgaInp活性区域的困难，并且无法将C用于Algainp合金中的P进行P。先前关于Algainp/ Algaas异质结构激光二极管的报道已在连接处的P侧使用Zn或Mg掺杂，以改善孔注射，5,6消除了使用藻类使用的潜在关键优势，并进一步使穿着物质扩散特征复杂化。7,8此类困难导致实施相对较厚〜8 L！红色VCSELS中的光腔6