XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemIndium
INAS - AL混合设备中的干涉测量学单拍测量
非阿布莱安人的融合是仅测量拓扑量子计算中的基本操作1。在一维拓扑超导体（1DTSS）2–4中，融合量相当于确定Majorana零模式（MZMS）的共享费米亚奇偶校验。在这里，我们介绍了与Fusion规则未来测试兼容的设备体系结构5。我们在砷氧化胺 - 铝 - 铝异源结构中实施了单次干涉测量，并具有栅极定义的超导纳米线12-14。干涉仪是通过将邻近的纳米线与量子点耦合形成的。纳米线导致这些量子点的量子电容的状态依赖性转移高达1 ff。我们的量子电气测量值显示了通量H /2 e - 周期性双峰性，其信噪比（SNR）在最佳通量值下为1.6μm。从量子电气压测量的时间迹线开始，我们在两个相关状态中提取了一个相关状态的停留时间，在大约2 t的平面磁场时长度超过1 ms。我们讨论了根据拓扑上的微不足道和非本质起源的测量的解释。较大的电容偏移和较长的中毒时间可实现奇偶校验测量，分配误差概率为1％。
五苯甲烷的形态，结构和电性能
研究了五苯薄膜在氧化锡（ITO）涂层玻璃上的物理和结构特性。使用20、30和60分钟的沉积时间的热蒸发方法沉积了五苯薄膜。现场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示，膜厚度随沉积时间的增加而增加，在60分钟时出现了散装相位层。通过五射线衍射（XRD）模式证明了与15.5Å晶格间距相对应的薄膜相位的存在，其沉积时间为20和30分钟。同时，在沉积时间为60分钟，晶格间距为14.5Å，在五苯甲酸膜中验证了散装相的存在。原子力显微镜（AFM）的五苯甲烷膜结晶度的图像显示，沉积在Ito涂层玻璃上的五苯甲烯膜表现出具有模块化晶粒的相似岛屿的形成，从而产生了细晶体结构。从电流 - 电压（I-V）和电流密度 - 电压（J-V）特性中，五苯甲烯薄膜是欧姆的，并且随着五苯苯乙烯的厚度的降低而增加。五苯甲烯膜在透明底物上的宽带和窄带光电设备的发展中显示出潜力。
纸编号：材料的电子，磁性和光学特性
半导体这些材料位于良好导体和良好绝缘体的极端之间。它们是纯净的结晶材料，是纯净的，但在添加杂质和/或响应光，热，电压等时会进行。示例：诸如硅（Si），锗（GE），硒（SE）之类的元素；诸如砷耐加仑（GAAS）和抗抗氧化酰胺（INSB）的化合物结构分离的原子中的电子占据了离散的能级。当原子彼此接近时，这些电子可以使用其邻居的能量水平。当原子定期排列在所谓的固体晶格中时，能量水平会在频带中分组在一起。这是允许能量的连续范围，而不是单个级别。在所谓的带隙中也将有一组能量。类似于单个原子的能级，电子将首先填充较低的波段。费米级别对哪些水平电子通常会填充有一个粗略的了解，但是总会有一些具有单个能量的电子。在导体中，最高的占用带（称为传导带）并不完全满。这使电子可以从相邻原子进出，因此很容易进行。
通过在空穴注入接触点上原子层沉积 Al2O3 来减少钙钛矿 LED 中的非辐射损耗
摘要：卤化物钙钛矿发光二极管 (PeLED) 在下一代显示技术中具有巨大应用潜力。然而，由于高效率需要非常薄的传输层，而这些传输层在溶液处理过程中通常会因不当的润湿和干燥而出现空间不均匀性，因此扩大规模将具有挑战性。在这里，我们展示了如何使用通过原子层沉积生长的薄 Al 2 O 3 层优先覆盖不完美空穴传输层沉积的区域并与有机传输层形成混合复合材料，从而使空穴传导和注入能够通过有机空穴传输层持续进行。这具有减少异质结处非辐射复合和提高载流子选择性的双重效果，我们推断这是由于抑制了氧化铟锡和钙钛矿层之间的直接接触。我们观察到我们的 pin LED 中的电致发光外部量子效率立即从平均 9.8% 提高到 13.5%，冠军效率为 15.0%。该技术使用工业上可用的设备，可以很容易地扩展到更大的区域并纳入薄膜光伏电池等其他应用中。关键词：钙钛矿、发光二极管、原子层沉积、区域选择性、效率
弹道式nanoflag josephson连接
高质量的III – V狭窄带隙半导体材料具有强旋转 - 轨道耦合和大地E G-FACTOR为高速电子，旋转型和量子计算的领域的下一代应用提供了一个有希望的平台。抗抗氧化抗抗酮（INSB）提供狭窄的带隙，高载体迁移率和较小的有效质量，因此在这种情况下非常吸引人。实际上，近年来，这种伴侣引起了极大的关注。然而，高质量的杂质二维（2D）INSB层非常困难地意识到，由于所有常见的半导体底物的较大晶格不匹配。另一种途径是独立式单晶2D INSB纳米结构，即所谓的纳米层的生长。在这里，我们证明了基于INSB纳米型ags的弹道约瑟夫森结构设备的制造，其ti/nb接触显示，显示出栅极可触发的接近性诱导的超恒电流，最高50 na，在250 mk和可观的多余电流。这些设备显示了次谐波间隙结构的明确特征，表明连接处的相位交通运输和接口的高透明度。这将INSB纳米型植物视为高级量子技术的多功能且方便的2D平台。
使用
今天，技术的进步有能力改变每个人的生活。尽管这项创新是有益的，但它对人类健康和环境健康产生了严重影响。造成这种情况的主要原因之一是电子产品中的“电子垃圾”。全世界的电子产品的使用增加了“电子废物”或电子废物的数量，这已成为一个严重的问题。不当处理电子废物已成为环境和公共卫生问题，因为它现在是世界城市中最大的水垃圾。因此，正确分类和管理电子废物需要恢复有关废物的重要信息。这些生长的废物本质上是困难的，并且富含金属，例如北极菌，inim，钯，坦塔尔，铂，金，银，铅和铜，这些金属可以从废物中回收并在世界各地运回。生产周期和日常使用。在这个项目中，使用图像处理来识别电子废物和一般废物的深度学习模型。设计模型以良好的精度选择废物，并且花费更少的时间。废物被分为两组。通过有效地使用此模型，我们可以解决电子废物管理问题，改善回收利用并为环境可持续性做出贡献。
无茎INSB纳米线网络和纳米片在INP
在耐断层拓扑回路实现实验中的摘要是将纳米线与最小疾病相互连接。合并形成的平面外依赖二胺（INSB）纳米线网络是潜在的候选者。然而，它们的生长需要一个外来物质茎通常由INP – INA制成。该茎施加了局限性，其中包括限制纳米线网络的大小，通过晶界和杂质掺入引起障碍。在这里，我们省略了INP底物上无茎INSB纳米线网络的生长。为了使生长无茎，我们表明在INSB生长之前，需要使用Arsine（Ash 3）进行预处理。通过用纳米腔的选择性区域掩膜对底物进行构图，可以实现无茎纳米线生长的高收益，其中包含纳米线产生的受限金液滴。有趣的是，这些纳米线是弯曲的，由于合并故障而构成了互连纳米线网络的挑战。我们将这种弯曲归因于INSB纳米线中的砷杂质和插入式晶格不匹配的非均匀掺入。通过调整生长参数，我们可以减轻弯曲，从而产生大型和单晶的INSB纳米线网络和纳米片。这些纳米结构的大小和晶体质量的提高扩大了该技术制造先进量子设备的潜力。
从乙腈中可扩展电沉积液态金属...
高度集成的可拉伸电子产品的发展需要开发可扩展的（亚）微米导体图案。共晶镓铟 (EGaIn) 是一种适用于可拉伸电子产品的导体，因为其液态金属特性使其在变形时具有高电导率。然而，它的高表面能使其以亚微米分辨率进行图案化具有挑战性。在此，我们通过首次报道 EGaIn 的电沉积克服了这一限制。我们使用一种非水基乙腈电解质，该电解质具有高电化学稳定性和化学正交性。电沉积材料可产生低电阻线，在（重复）拉伸至 100% 应变时仍保持稳定。由于电沉积受益于用于图案化基底金属的成熟纳米制造方法的分辨率，因此提出的“自下而上”方法通过在纳米压印预图案化的金种子层上进行电镀，在弹性体基板上实现了 300 nm 半间距的 EGaIn 规则线的创纪录高密度集成。此外，通过填充高纵横比通孔，实现了垂直集成。该功能通过制造全向可拉伸的 3D 电子电路概念化，并展示了用于制造微芯片互连的稳定镶嵌工艺的软电子模拟。总体而言，这项工作提出了一种简单的方法来解决高度集成 (3D) 可拉伸电子产品中的金属化挑战。
2023年根据针对供应链中强迫劳动和童工法案的战斗报告
该法案要求Teck报告我们有关加拿大内外的生产，销售，商品分配以及将货物进口到加拿大的活动。此信息如下所示。有关Teck业务活动的详细说明，请参阅我们的年度报告。Teck是铜，锌，铅和钢煤的重要生产商。我们还生产特种金属（例如锗，凹和镉），黄金和白银，以及从我们的锌或铅冶炼和精炼操作中回收的其他一系列工业产品和肥料产品。我们的生产运营和地点如下：•在加拿大，我们的Elkview行动，Fording River Operations，Greenhills运营和Line Creek Operations和Line Creek Operations是位于不列颠哥伦比亚省麋鹿谷的四个钢制煤炭作战。高地谷铜作业是位于不列颠哥伦比亚省中南部的铜和钼操作。Trail Operations是位于不列颠哥伦比亚省南部的完全集成的锌和铅冶炼和精炼综合体。•在美国，红狗作战是世界上最大的锌矿之一，位于阿拉斯加西北部。•在秘鲁，Antamina矿山是少数合资经营，是位于安第斯山脉山脉的大型铜和锌矿。
一种用于中子检测的高级材料-NSF -PAR
本文介绍了合成，晶体生长，检测器制造，辐射硬化研究，MCNP建模以及二依依氏锂或Inse 2的表征。这个新开发的室温热中子检测器具有半导体和闪烁的特性，适用于中子检测应用。liinse 2是从元素li开始合成的，由于Li的高反应性，分为两个步骤。使用垂直Bridgman方法生长了一个含Iinse 2的单晶。使用光吸收测量值发现室温带隙为2.8 eV。散装电阻率。光电导率测量2晶片的光电识别在445 nm左右的光电流中。核辐射探测器是用单晶晶片制成的，并测量了各种偏见的α颗粒的响应。估计了千篇一律的产物。γ辐照研究的吸收剂量范围为0.2126至21,262 Gy。在每次辐照后都进行了两个晶圆的表征。γ辐射产生的光产率降低，这转化为alpha检测光谱质心的较低通道数。它也显示出第一次辐照后的衰减时间大大减少。这些是对这种材料进行伽马辐射硬化的第一批研究。