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Hanan Tariq
构建了锂离子和Na-ion电池，并使用各种电池测试技术（例如循环测试和负载测试）进行了测试，以表明合适的纳米复合材料可改善电池的性能。比较了锂离子电池中固体和液体电解质的性能。检查带有各种纳米复合材料组合物的锂离子和Na-ion电池，以确定更长寿命的最有效组成。使用热循环方法测量锂离子电池中的不同固体电解质，以改善电池的性能。使用Z-plot和计算的阻抗回顾了六个不同的电极，以改善环状寿命。组成的变化导致电池寿命的提高70％。使用阻抗测量值检查了各种固体电解质（不锈钢和锂为电极），以确定电池特性的因素，包括电容，电感和电阻。
功率 SiC MOSFET 在重复性
摘要 本文研究了商用平面和沟槽 1.2 kV 4H-SiC MOFSET 在重复非钳位电感开关 (UIS) 和短路 (SC) 应力下的可靠性。观察到器件特性的退化，包括传输特性、漏极漏电流 Idss 和输出特性。对 400 和 600 V 总线电压进行重复 SC 应力。应力期间总线电压的增加对测试器件的电气性能有更大的影响。在老化实验期间可能会发生热载流子注入和进入沟道区域栅极氧化物的捕获，这被认为是导致电气参数变化的原因。 关键词：可靠性、退化、SiC MOSFET、TrenchMOSFET、重复 UIS、重复短路 介绍 近年来，碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 制造技术已经相当成熟，因此，现在可以从不同的制造商处大量购买 [1]。由于其优异的性能，SiC 器件可用于更高温度、更高开关频率和更高功率密度的应用 [2-3]。尽管如此，在它们完全取代硅 (Si) 器件之前，稳健性和可靠性仍然是这些器件在过流、过温、短路和非箝位电感开关 (UIS) [5] 等多种极端工作条件下的主要问题 [3-4]。随着为降低成本而缩小芯片尺寸的趋势，雪崩稳健性和短路承受能力变得更加关键，因为它们对芯片尺寸设计非常敏感，因为芯片的最大能量密度是固定的。在 UIS 测试中，MOSFET 通常连接到没有反向并联续流二极管的电感，以在关闭器件时换向环路电流。因此，器件必须在工作阶段吸收先前存储在电感中的所有能量。因此，只要存储的能量足够高，MOSFET 就会进入雪崩模式，导致器件结温逐渐升高 [6]。在大电流雪崩操作期间，会产生高浓度的热载流子，这可能会导致界面和绝缘 (氧化物) 层的退化。
开关电源短路保护电路的设计
整流桥由二极管D2、D3、D4、D5组成。经滤波电容C4、直流电压TS、初级开关管Q1、储能电容C4，反激式功率变换器将能量经变压器T1、二极管D5、电感L1和电容C2整流滤波后输出直流电压。变换器工作时，通过改变PWM的占空比，来调节输出电压[2][3]。电源正常工作时，C4中流过交流纹波电流，从而形成交流纹波电压。当发生过流或短路时，电容电压处的电压纹波会急剧增大。根据开关功率变换器的特性，可确定电源的工作状态，并根据交流分量增量的大小来设置不同交流分量保护点的高低，完成短路保护电路的设计[4][5][6]。
GAA：使用光子带隙结构
MMIC的微波包装的主要目标之一是保存所需的RF属性。在放大器MMIC的情况下，相对于包装的最关键属性是向前增益，输入匹配，反向隔离，增益平坦和稳定性。基于LTCC的方法是包装MMIC的有趣选择。陶瓷载体形成了用于电线粘合和翻转芯片的粘合基板，可用于整合高质量的被动剂。集成的阻止电容器可以降低组装成本，并以低额外的成本来实施诸如RF过滤和防止静电放电之类的其他功能[4]。对于模具附着，Flip-Chip由于flip-Chip跃迁的良好发电性和低寄生电感而引起了人们的注意。但是，在实践中可以看出，Flip-Chip还需要处理特定的寄生效应，这些寄生效应将芯片倒挂在金属表面上时，例如在大多数丝网键入方法中完成的金属表面[3] [5]。
内容
本文讨论了一种高度集成的多芯片模块 (MCM) 可布线（薄）微型引线框架 ® (rtMLF ® ) 封装，适用于多功能高性能应用。这种封装包括内部布线引线，用于在封装内连接芯片到芯片。这些布线引线让封装增强了小尺寸特性，作为参考，可以将其与具有两个单个四方扁平无引线 (QFN) 封装的结构进行比较，其中芯片通过电路板走线连接。使用传统的 QFN 工艺确认了 MCM rtMLF 封装的可行性，并且它通过了汽车电子委员会 Q006 (AEC-Q006) 可靠性测试。通过布线引线的芯片到芯片互连在电阻、电感和电容寄生以及插入损耗方面表现出比两个单个 QFN 封装的板载互连更好的电气性能。最后，通过热模拟测得的 MCM rtMLF 封装的热阻低于 MCM 双层芯片级封装 (CSP)。
TB389：QFN 封装的 PCB 焊盘图案设计和表面贴装指南
瑞萨电子的四方扁平无引线 (QFN) 封装系列产品是一种相对较新的封装概念，目前正在快速发展。该封装系列包括通用版本 QFN，以及 TQFN、UTQFN 和 XQFN 等较薄版本。该系列的引线间距为 0.4 毫米及以上。四方扁平无引线的一个子集是双面类型（4 个侧面中只有 2 个有引线），其中包括 DFN、TDFN、UTDFN 和 XDFN 等版本。在本文档中，术语 QFN 代表所有系列选项。该系列具有多种优势，包括降低引线电感、小尺寸近芯片级封装、薄型和轻重量。它还使用周边 I/O 焊盘来简化 PCB 走线布线，而裸露的铜芯片焊盘技术可提供良好的热性能和电气性能。这些特性使 QFN 成为许多新应用的理想选择，这些应用对尺寸、重量以及热性能和电气性能都很重要。
博士Francesco Iannuzzo 博士
Y. Duan、F. Iannuzzo 和 F. Blaabjerg，“一种用于功率半导体器件的新型集中电荷建模方法”，IEEE 电力电子学报，2020 年 4 月 ♦ Y. Chang、H. Luo 和 F. Iannuzzo、A. Garcia-Bediaga、W. Li、X. He、F. Blaabjerg，“具有低杂散电感和平衡热应力的紧凑型夹层压装 SiC 功率模块”，IEEE 电力电子学报，2020 年 3 月 ♦ PD Reigosa、H. Luo 和 F. Iannuzzo，“通过功率循环老化对 1.2 kV SiC MOSFET 短路稳定性的影响”，IEEE 电力电子学报，2019 年 11 月 ♦ L. Ceccarelli、RM Kotecha、AS Bahman、F. Iannuzzo 和 HA Mantooth， “使用多步条件映射仿真策略基于任务概况的 SiC MOSFET 功率模块寿命预测”，IEEE 电力电子学报，2019 年 10 月。
混合 cQED 系统中的微尺度光子源
我们的装置由1/4波长超导谐振器和栅极定义DQD组成，如图1（a）所示。谐振器由超导量子干涉仪（SQUID）阵列[29]组成，其谐振频率fr可调。每个SQUID包含两个约瑟夫森结，其电感与通量有关。在本文中，我们设定谐振器频率fr = 6.758 GHz，总衰减线宽、内部损耗率和外部损耗率为（κ，κi，κe）/2π=（58.9，36.9，22.0）MHz。由于 SQUID 阵列的电感很高，谐振器阻抗 Zr≈1kΩ，远远超过典型共面波导的 50Ω。DQD 由 GaAs/AlGaAs 异质结构中的顶部金属栅极定义，标记为 L、P、U、R 和 D。电子被捕获在 DQD 中，其中两个点的电化学电位可以通过栅极 L、P 和 R 进行调制。然后
RF 开关的 ESD 行为以及系统高效 ESD 设计的重要性
在某些应用中，由于严格的谐波失真要求和可能高达 30 V 的 RF 电压，RF 前端无法受到瞬态电压抑制器 (TVS) 的保护。这需要对 RF 路径组件进行精确的 ESD 建模，以评估系统的稳健性。天线后 RF 路径中的第一个有源组件通常是 RF 开关，例如匹配调谐器、孔径调谐器或 RX/TX 开关。孔径调谐器使用开关在与 RF 路径并联或串联的几个电感和电容值之间进行选择，以改善收发器在不同情况下的匹配性能，例如，补偿手和头靠近天线的影响 [2, 3, 4, 5] 。最终，该开关将 RF 信号传递到下一级，可能是低噪声放大器、Saw 滤波器、双工器或三工器。一般认为，天线后的第一个组件是 RF 链中最危险的 IC。这促使这些开关的制造商考虑使用 SOI（绝缘体上硅）CMOS 为这些开关提供非常强大的内部保护
量子电路空中桥梁的制造
为量子电路制造空中桥梁 学期项目 一般信息 实验室：混合量子电路实验室 (HQC) 主管：Simone Frasca 博士 地点：EPFL PH、EPFL CMi 开始日期：尽快 联系方式：simone.frasca@epfl.ch 动机 量子技术正在开辟计算和传感领域的新前沿，共振结构在其中许多突破中发挥着至关重要的作用。但是，随着我们突破量子系统的可能性极限，我们面临着新的挑战，例如紧密排列的谐振器之间的干扰。这些不必要的共振被称为槽模式，它们会干扰读出电子设备，从而严重破坏量子性能。值得庆幸的是，研究人员找到了一个解决方案：空中桥梁。通过将传输线的两侧接地，空中桥梁可减少杂散电感，并将槽模式的共振频率推到量子应用感兴趣的频谱之外。利用这种技术，我们可以扩展量子元素的数量，而不需要多条低温管线，为量子计算和传感开辟新的可能性。