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完全芯片电感器的概述
摘要。本文着重于被动设备的完全集成，尤其是使用图案化接地屏蔽（PGS）和完全集成的电容器的完全集成电感器的多层堆叠（MLS）结构。不同结构的比较集中在集成电感器的主要电参数上（例如诱导𝐿，电感密度𝐿𝐿，质量因子𝑄，最大质量因子的频率最大频率最大，自动恢复频率FSR和串联电阻𝑅DC）和其他非电力参数（例如，所需的区域，制造过程，权限等）在结构比较过程中同样重要。根据制造过程提出了过去几年报告的最显着结果的电感结构。最终的几何和电气特性是在大型元素中，以综合被动装置的制造过程。这项工作概述了集成电感器的概述和最先进的作品，以及用于制造的制造过程。本文的第二个目的是将我们先前工作中提出的结构插入过去7年中报告的其他结果中。使用拟议的解决方案，可以在标准技术中报道的类似的解决方案中获得最高的电感密度= 23.59 nh/mm 2和第二高质量的FACTOR𝑄= 10.09，该解决方案也适合在高级技术节点中生产的集成感应器。
14硅纳米尼奇结构的边缘通道具有沉积的DNA寡核苷酸
研究DNA寡核苷酸性能和寻找新结构识别方法是现代科学最重要的任务。相信，当人类基因组测序的成本变得足够低以实施广泛实施时，将实施个性化的医学概念[1,2]。在这种情况下，大多数现代遗传数据分析方法基于基因组测序，进而取决于检测每个核苷酸寡核苷酸增加的技术方法[1,2]。但是，应该注意的是，测序是用于寡核苷酸鉴定和分析的多核苷酸技术，而寡核苷酸序列的性能可以整体鉴定[3,4]。为此，我们需要研究寡核苷酸分子的性能，其中可能包括DNA的介电和磁性。在此之前表明，基于实验电导率数据的比较[1]，核苷酸组合和寡核苷酸的长度在这些生物分子的介电性能形成中起着基本作用，因此，与1个寡核苷酸 - 1个相关的电势通道的电气序列相关的序列，从而研究了con- sns con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- con- - 生物分子。寡核苷酸应用于SNS表面，反过来促进了总电容和电感，从而可以依靠伏特 - 安培特征研究中识别和确定其介电常数。这项研究的重点是这个问题 - 它没有声称要进行完整的寡核苷酸测序，但可以提供有关但是，由于电特性与磁性特性相互作用，因此有趣的是，是否可以使用其磁性特性通过非接触式方法研究寡核苷酸。
TDG650E602TSP 空间 GaN E-mode 晶体管
• 一类/一级生产筛选 • 提供批次验收测试选项 • 650 V 增强型功率晶体管 • 顶部冷却、低电感 GaNPX ® 封装 • RDS(on) = 25 mΩ • IDS(max) = 60 A • 超低 FOM • 简单的栅极驱动要求（0 V 至 6 V） • 瞬态耐受栅极驱动（-20 V/+10 V） • 非常高的开关频率（> 10 MHz） • 快速且可控的下降和上升时间 • 反向传导能力 • 零反向恢复损耗 • 小型 9 x 7.6 mm 2 PCB 占用空间 • 双栅极焊盘可实现最佳电路板布局
单原子催化剂上的氨开裂-orca
摘要CCAT PRIME项目的Fred Young Simbillimimeter望远镜上的主要CAM接收器旨在通过敏感的宽带，极性计和光谱测量来解决重要的天体物理和宇宙学问题。开发中的主要频率频段包括对极化敏感的宽带通道的280、350和850 GHz，对于光谱仪来说包括210-420 GHz。微波动力学电感检测器（MKID）是探测器技术的自然选择，在这些高频下，大格式阵列所需的多种式读数的简单性。我们在这里提出了FeedHorn耦合280 GHz极化MKID阵列的初始实验室表征，并概述了后续MKID阵列的计划以及测试台的开发以表征它们。
基于PCB的电力电子产品的自动型号生成
作为转换器的其余部分。设计师必须依靠制造商的设备型号（如果有）。由于其热性能低和电流能力有限，因此长期以来，PCB一直限于低功率转换（通常为10或100瓦，用于消费者的功能）。最近的改进，例如PCB嵌入技术[5]，可以在PCB中插入电源设备，或者厚铜层的可用性使PCB对多千瓦范围的转换器的吸引力更具吸引力（3。在[6]中为3 kW，或[7]中的50 kW）。结果，一个完整的转换器（包括电源，控制等）可以仅使用PCB进行互连，并带有裸露的DIES功率半导体设备。此“合理化”组件的一个结果是，有关转换器的所有信息都可以在PCB设计软件[8]中可用：布局的完整说明，材料清单（组件列表）等。从理论上讲，可以使用此信息来生成模型（热，电气等）以自动化的方式。实际上，从PCB设计软件中生成模型并不是一件容易的事：除了上述复杂性问题外，模型准备还需要大量的用户交互。最近，霍夫曼等人。[9]提出了一种解决方案，该解决方案允许用户在PCB中选择导体并自动计算寄生电感，电阻和焦耳加热；该论文的目的是通过快速计算算法以及仅将域仅减少到几个导体，提供“立即的价值量化”。相比之下，我们此处提出的方法旨在为整个PCB生成模型（以更长的计算时间为代价）。一旦完成PCB设计，就计算了每个轨道的寄生元件（电容，电阻，电感及其耦合），并将计算在电路模型中，并插入PCB的所有组件，以构成电路的完整“虚拟原型”。
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图。S1。 MI实验和数据分析。 （a）在显微镜下使用的MI探针。 整个线圈组件都用环氧树脂铸造，并安装在镀金的铜安装座上。 将样品安装在上面的平台是一个盖章的金色镀铜弹簧，将热锚定在芯片载体上。 （b）补充文本中解释说，我们的MI探针的相互电感函数M（x）是无量纲横向空间波矢量的函数。 虚线是Jeanneret等人使用的开拓性线圈的M（X）。 插图在左侧显示驱动器（绿色）和接收（棕色）线圈的显微镜图像。S1。MI实验和数据分析。（a）在显微镜下使用的MI探针。整个线圈组件都用环氧树脂铸造，并安装在镀金的铜安装座上。将样品安装在上面的平台是一个盖章的金色镀铜弹簧，将热锚定在芯片载体上。（b）补充文本中解释说，我们的MI探针的相互电感函数M（x）是无量纲横向空间波矢量的函数。虚线是Jeanneret等人使用的开拓性线圈的M（X）。插图在左侧显示驱动器（绿色）和接收（棕色）线圈的显微镜图像。插图是实际相互感应探针的示意图。a：加工的尼龙底座，用于绕线； B：使用隔热的20 µm铜线较低接收线圈； C：使用相同的电线接收线圈； D：使用隔热的40-AWG铜线驱动线圈； E：由银环氧树脂连接到屏蔽的同轴电缆连接的扭曲接收线条。 F：由银环氧树脂连接到扭曲的一对的扭曲驱动线条。 G：带有银色油漆的样品； H：盖平面的镀金铜弹簧，用于热膨胀补偿； I：镀金的铜架，用于线圈组件； J：两个尼龙螺钉以固定线圈组件。（c）MI数据处理过程，其示例数据集在100 kHz的零字段中。BINNED原始数据显示为直接在SR830锁定放大器的任一个正交中测量。（d）去除相应的恒定背景后，将两个四二晶组设置为> 1。5 K.（e）相移后，基于re [v]（h = 0，t = 0）= 0。
Bourns释放新的增强门驱动器变压器
具有N加固的绝缘材料，可用于高可靠性和紧凑尺寸n，用于与Allegro Micro Model AHV85000＆AHV85040 GAN FET隔离的栅极驱动器芯片组N完全自动化的过度销售工艺N完全自动化的钢筋绝缘材料：高达1000 V和10 mm mm min。蠕变和间隙n崩溃测试电压> 5.7 kVDC，60 s和8.0 kV振兴脉冲脉冲免疫n 1.5 pf最大互动电容和1.5 µH的最大泄漏电感n ferrite n ferrite n ferrite n pwm信号传递以及提供的闸门驱动器偏见偏见和符合偏差*
oc o'c - ASSIST-快速搜索 - DLA
i J [电感 I 直流电阻 I 自谐振 IQ i I ~ 资格 I 频率 ~ / / / 检查百分比 百分比 1百分比 II ! II 第 II 组 IG 5 IG (3% +o.ool ~hm) ~ -8 -lo I i 第 IV 组 IG 5 I *(2% +o.ool ohm) I -lo / -lo 第 VIG 组 2 I --- -lo / II 1 '-- I / II 质量 II 一致性 / / ~ III 检查 II /“ II / I 第 CII 组子组 II / *5 ~ G (3% +o.ool ohm) \ .8 -lo / I 第 IV 子组 IG 5 [ G (3% +0,001 ohm) I -8 I -lo I
EN.520（电气与计算机工程）
EN.520.137。第一年 ECE 设计。4 个学分。这门入门课程概述了电气和计算机工程领域，旨在向学生介绍计算机、电话、电视、高速通信网络、视频游戏、CD、调制解调器、机器人、可再生能源和光子学等电子设备和系统技术中无处不在的硬件和软件背后的基本概念。本课程将介绍基本的电气概念，包括电荷、电压、电流、能量、功率、电阻、电容、电感和基尔霍夫定律。还将介绍实用的数字和模拟电子系统，以说明后续电气和计算机工程课程中更全面涵盖的高级主题。先决条件：AS.110.106 或 AS.110.108 分布领域：工程、定量和数学科学 AS 基础能力：科学和数据 (FA2)
使用无线电源传输技术增强起搏器电池寿命
WPT系统的耦合系数公式为：$$ k = \ frac {m} {\ sqrt {l_t \ times l_r}} $$ ..WPT的效率随耦合系数的提高。当一个线圈的所有磁通线切开第二个线圈的所有磁通线时，就会发生完美的耦合（k = 1），从而导致相互电感等于两个个体电感的几何平均值。这会导致满足关系$$ \ frac {v_1} {v_2} = \ frac {n_1} {n_2} $$的感应电压。图11提出了一种动画可视化，展示了磁通密度对发射器和接收器线圈之间气隙距离变化的响应。参数AC磁研究生动地证明了反相关关系：随着气隙距离的增加，磁通量密度达到二次线圈的降低，反之亦然。