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3.3 kV SiC MOSFET 加速电网连接储能
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TBL250P06-5DL8 P 沟道增强型 MOSFET
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150V 3.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
注：1. 尺寸和公差符合 ASME Y14.5M, 1994 标准。2. 所有尺寸以毫米为单位。3. 尺寸不包括毛刺或模具毛边。模具毛边或毛刺不超过 0.150 毫米。
平面 n-MOSFET 横截面和布局
• 如果电路具有明确的静态工作点（如大多数模拟电路），则将工作点中实际作为源工作的端子标记为源会很方便。这将方便读取模拟器以文本或图形输出生成的设备电压。
40V2.0MΩN-CH功率MOSFET
昏暗。分钟。 nom。 最大 0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。分钟。nom。最大0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。
功率 MOSFET 芯片数据表
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BL1012 N 沟道增强型 MOSFET
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